9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊： 在28納米產(chǎn)品和新平開發(fā)軟件平臺(tái)Vivado發(fā)布后，賽靈思并沒有停止新工藝開發(fā)的腳步。日前賽靈思宣布了其20納米的產(chǎn)品規(guī)劃。 賽靈思全球高級(jí)副總裁、亞太區(qū)執(zhí)行總
2012-11-14 10:43:401136 三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測(cè)試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2013-05-23 09:05:161636 10nm新工藝難產(chǎn)，Intel不得不臨時(shí)增加了第三代的14nm工藝平臺(tái)Kaby Lake，但即便如此進(jìn)展也不快，Intel甚至將其描述為“2017年平臺(tái)”（2017 Platform）。
2016-07-11 09:44:081243 臺(tái)積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會(huì)蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說第一個(gè)將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591048 全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 10:03:292569 `無線充電時(shí)代，第五屆手機(jī)外殼（2.5/3D玻璃、氧化鋯陶瓷）新材料新工藝論壇2018. 04. 20，深圳5G通信呼之欲出，無線充電時(shí)代開始來臨；蘋果、三星已采用，預(yù)計(jì)2018年無線充電將在
2018-01-22 11:11:41
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
，25nm新工藝NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到
2022-01-22 07:59:46
THGBMFT0C8LBAIG閃存芯片THGBMHT0C8LBAIG 為滿足5G、云計(jì)算、IoT、AI以及智能駕駛等領(lǐng)域所帶來的不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，鎧俠宣布將在日本巖手縣現(xiàn)有的K1工廠旁預(yù)留
2022-01-26 08:35:58
嗎？ NAND閃存與Xilinx Spartan 6兼容嗎？有人可以幫助我，謝謝。格拉迪斯以上來自于谷歌翻譯以下為原文According to the datasheet, The Spartan 6
2019-05-21 06:43:17
韓國(guó)三星電子日前宣布，位于中國(guó)陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國(guó)
2014-05-14 15:27:09
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2021-05-17 19:38:07
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2021-11-01 19:33:54
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2021-12-28 19:29:41
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由
芯片制造的半導(dǎo)體
工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)
工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳
工藝選擇是尺寸最小的最
新工藝。現(xiàn)在，情況已不再如此?！ ?/div>
2019-09-17 07:40:28
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái)，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補(bǔ)了中國(guó)TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
應(yīng)用行業(yè)：LED顯示屏、U盾、電子稱、數(shù)顯卡尺、萬用表工藝介紹：之前邦定板工藝有兩種：一種是沉金：優(yōu)點(diǎn)是上錫好，缺點(diǎn)是不耐磨；另外一種工藝是鍍金，優(yōu)點(diǎn)是耐磨，好邦定，缺點(diǎn)是上錫弱；邦定新工藝可以實(shí)現(xiàn)上錫好的同時(shí)大大降低成本，可以降低20%的成本，還可以提升良率QQ：2414764046
2019-04-09 10:07:14
最近更新了一下PDK文件，發(fā)現(xiàn)用的新的文件仿真以前做的一些模塊，一些指標(biāo)都變了對(duì)里面的MOS管進(jìn)行仿真，發(fā)現(xiàn)老工藝庫的單管本證增益比新工藝庫的還要高。這是什么情況有人遇到過這樣的問題嗎
2021-06-25 06:47:35
內(nèi)存卡，全國(guó)求購(gòu)閃迪內(nèi)存卡。帝歐還回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購(gòu)連接器，收購(gòu)鉭電容，回收sd卡，收購(gòu)tf卡?；厥展S庫存ic，大量收購(gòu)工廠庫存ic
2021-07-29 19:32:37
閃迪SD卡，回收全新閃迪CF卡，回收舊閃迪CF卡，回收全新閃迪MS卡/短棒，回收舊閃迪MS卡/短棒，回收閃迪手機(jī)內(nèi)存卡，回收閃迪數(shù)碼相機(jī)內(nèi)存卡，回收PSP內(nèi)存卡等等，回收閃迪一切內(nèi)存卡，新舊均可。 UPD78F0411GASTM32L152VBT6EUP3484ADIR1BQ24103ARHLRTSUMV59XUS-Z1IT6263FNS-35390A-T8T1GATMEGA8A-AUMP1540DJ-LF-ZMP2143DJ-LF-ZBD37033FV-ME2SN74LS74ADRIRF7341TRPBFIRF7342TRPBFASM1083AXP223LPC2388FBD144NCEFES78-08GATMEGA16A-AURTL8211E-VB-CGATJ2273BBQ24261RGERMT90826AL1EP4CE6F17C8NBD37534FVPCI9080-3GTPS54320RHLRTMS320F28335PGFAADA4084-4ARUZ-RLADR127AUJZ-REEL7ADP7182AUJZ-R7DS28E01P-100+TA3983SLPTR-TMP2451DT-LF-ZTPS2044BDRG4ADS1230IPWRTXB0104PWRLIS3LV02DLK9F8G08UOM-PIB0AD8221ARMZ-R7AD822ARZ-REEL7LPC2888FET180XC3S100E-4VQG100ICH7101A-BFK4T1G164QF-BCF7AT45DB642D-CNUAT90CAN128-16AUVNH3SP30TR-E長(zhǎng)期專業(yè)回收手機(jī)指紋、指紋芯片、定制指紋模組！
2021-03-30 18:22:24
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2021-04-16 17:08:20
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2021-10-15 19:14:40
傳統(tǒng)煙草制絲線是以品牌配方的模式組織生產(chǎn) ,為適應(yīng)分組加工新工藝在制絲線中的應(yīng)用 ,要求在品牌配方的基礎(chǔ)上 ,引入模塊的概念 ,因此傳統(tǒng)制絲線的控制程序已不能滿足分組加
2009-04-11 10:00:23
12 本文介紹了解決微型 MEMS 無縫互連的創(chuàng)新工藝。
2009-11-26 15:32:4216 韓國(guó)三星電子公司周一說，它和蘋果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放
2006-03-13 13:05:36389 我國(guó)研制出廢舊電池處理新工藝
北京科技大學(xué)及有關(guān)科研單位經(jīng)２０多年研究攻關(guān)，研制出國(guó)內(nèi)首創(chuàng)的廢舊電池物理分選─化學(xué)處理新工藝。應(yīng)用這一新工藝建成
2009-10-28 11:15:42703 三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533 新工藝驗(yàn)證規(guī)格服務(wù)汽車電子市場(chǎng)
中國(guó)市場(chǎng)的汽車生產(chǎn)量逐年提升，從2008年到2013年期間，中國(guó)車用電子市場(chǎng)的年復(fù)合成長(zhǎng)率為17.5%，同一時(shí)間全球的成長(zhǎng)率只有8%
2009-12-18 13:34:18564 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 英特爾大連廠十月投產(chǎn) 65納米工藝生產(chǎn)芯片組
英特爾近日宣布，其大連芯片廠將在2010年10月份如期投產(chǎn)。大連芯片廠將采用65納米工藝生產(chǎn)300毫米芯片組。
2010-02-08 09:17:52808 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚
2010-03-23 11:58:41600 國(guó)內(nèi)光伏企業(yè)啟用零污染節(jié)能新工藝
3月24日早間消息，總部設(shè)在保定的太陽能公司英利綠色能源宣布，今年擴(kuò)展400兆瓦產(chǎn)能，將總產(chǎn)
2010-03-24 08:35:08482 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
英特爾今天宣布發(fā)布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號(hào)，MLC就是多層單元封裝，HET則代表著高耐久性技術(shù)(High Endurance Technology)，是為了解決閃存類型與壽命之間的矛盾而誕生的。
2011-09-15 09:28:331450 AMD考慮改變傳統(tǒng)的工藝策略，不再一味盲目追新?，F(xiàn)在我們談?wù)?0nm和14nm。我認(rèn)為我們?cè)趤喸邮澜缰行凶叩么_實(shí)很艱難。轉(zhuǎn)換到新工藝所帶來的價(jià)格優(yōu)勢(shì)已經(jīng)開始模糊
2011-12-18 14:21:13807 據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動(dòng)設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
2012-04-04 18:32:05670 MOSAID Technologies今天宣布，他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片，讓他們和諧地運(yùn)行在了一個(gè)高性能通道內(nèi)。
2012-04-06 09:53:211268 東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，蘋果將會(huì)采用新工藝，進(jìn)一步降低MacBook Pro和MacBook Air設(shè)備的零件厚度。
2012-09-27 10:07:46955 在白色LED模塊需求以照明用途為中心不斷高漲的情況下，日本愛德克公司（IDEC）針對(duì)將組合藍(lán)色LED元件和黃色熒光材料實(shí)現(xiàn)白色光的模塊（偽白色LED模塊），開發(fā)出了新的制造工藝（圖1）＊1。新工藝
2013-03-04 10:43:241435 
東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 設(shè)計(jì)參考手冊(cè)（Design Rule Manual，DRM） 與SPICE認(rèn)證，相比于原16納米FinFET制程，可以使系統(tǒng)和芯片公司通過此新工藝在同等功耗下獲得15%的速度提升、或者在同等速度下省電30%。
2014-10-08 19:10:45663 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢(shì)在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451320 智能硬件是以平臺(tái)性底層軟硬件為基礎(chǔ)，以智能傳感互聯(lián)、人機(jī)交互、新型顯示及大數(shù)據(jù)處理等新一代信息技術(shù)為特征，以新設(shè)計(jì)、新材料、新工藝硬件為載體的新型智能終端產(chǎn)品及服務(wù)。
2017-10-09 14:08:271954 作為臺(tái)積電最有競(jìng)爭(zhēng)力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，三星聯(lián)手IBM打造5nm新工藝叫板臺(tái)積電。
為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)壯舉，就必須在現(xiàn)有的芯片內(nèi)部構(gòu)架上進(jìn)行改變。研究團(tuán)隊(duì)將硅納米層進(jìn)行水平堆疊，而非傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體行業(yè)的垂直堆疊構(gòu)架，這使得5nm晶體管的工藝有了實(shí)現(xiàn)可能，而這一工藝將有可能引爆未來芯片性能的進(jìn)一步高速發(fā)展。
2018-01-20 19:56:276887 
據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià)，迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630 據(jù)報(bào)道，法國(guó)研究機(jī)構(gòu)Leti of CEA Tech研發(fā)出一個(gè)生產(chǎn)高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現(xiàn)有方法，這項(xiàng)新工藝更簡(jiǎn)單且更高效。
2019-05-17 15:14:172720 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 在日本的2019 VLSI Symposium超大規(guī)模集成電路研討會(huì)上，臺(tái)積電宣布了兩種新工藝，分別是7nm、5nm的增強(qiáng)版，但都比較低調(diào)，沒有過多宣傳。
2019-07-31 15:28:322593 和以往間隔多年推出一代全新工藝制程不同，目前兩大晶圓代工廠臺(tái)積電及三星都改變了打法，一項(xiàng)重大工藝制程進(jìn)行部分優(yōu)化升級(jí)之后，就會(huì)以更小的數(shù)字命名。作為韓系芯片大廠龍頭的三星在工藝制程方面非常激進(jìn)
2019-08-26 12:29:002622 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 AMD今年推出了7nm工藝的銳龍、霄龍及Radeon顯卡，三大業(yè)務(wù)全線升級(jí)新工藝了，這是Q3季度AMD業(yè)績(jī)大漲的關(guān)鍵。
2019-10-31 15:32:332358 但其實(shí)在芯片代工方面，還有很多其他不同的工藝和廠商。例如硅鍺和SOI等就是其典型代表。另外，還有如MEMS、砷化鎵等第三代半導(dǎo)體等工藝也是市場(chǎng)關(guān)注的熱點(diǎn)。尤其是在即將到來的物聯(lián)網(wǎng)和5G時(shí)代，這些新工藝的關(guān)注度正在升溫。
2019-12-26 15:22:16970 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號(hào)為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793 無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:161889 全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:191922 全 球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:341883 2020第四屆國(guó)際新材料新工藝及色彩（簡(jiǎn)稱CMF）展將于2020年11月24日-11月27日在深圳國(guó)際會(huì)展中心舉行，展會(huì)以跨界創(chuàng)新，縱向落地為主題，重磅推出5G終端及基站功能材料、消費(fèi)電子外觀效果
2020-09-18 11:13:528483 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 責(zé)任編輯：xj 原文標(biāo)題：突破！一種5G陶瓷濾波器創(chuàng)新工藝，解決介質(zhì)陶瓷粉體制備的痛點(diǎn)！ 文章出處：【微信公眾號(hào)：5G半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2020-09-28 10:02:242054 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在 5nm 工藝大規(guī)模投產(chǎn)之后，臺(tái)積電將投產(chǎn)的下一代重大芯片制程工藝，就將是 3nm，目前正在按計(jì)劃推進(jìn)，計(jì)劃在 2021 年開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022 年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。
2020-10-30 05:43:06689 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:131552 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:342755 1月28日消息，今日，小米筆記本官方微博再次為RedmiBook Pro預(yù)熱。 官方表示，手感、質(zhì)感俱佳，不負(fù)期待，新工藝不想放手，這次真的很Pro。 根據(jù)此前預(yù)熱信息來看，新一代RedmiBook
2021-01-28 15:56:181748 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:372217 原定于2021年9月1-3日在深圳舉辦的“2021第5屆國(guó)際新材料新工藝及色彩（簡(jiǎn)稱CMF）展覽會(huì)”將延期至2021年9月27-29日繼續(xù)在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安6號(hào)館）舉辦，我司將隨后公布更具體的相關(guān)信息。
2021-09-02 16:22:152080 
重要通知：獵板PCB表面處理新工藝-鎳鈀金于官網(wǎng)正式上線！ 在前幾天推出的文章中，小編提到了獵板的新工藝鎳鈀金（也叫化鎳鈀金、沉鎳鈀金），這是一種最新的PCB表面處理技術(shù)，由于該工藝對(duì)工廠的制程能力
2021-10-14 16:00:313095 
著名的電源半導(dǎo)體技術(shù)公司深圳市銳駿半導(dǎo)體有限公司最新推出一款MOS封裝新工藝。這款TO220-S封裝廣泛的適用于MOSFET、高壓整流器及肖特基等功率器件。
2022-03-12 17:57:131195 為了突破露點(diǎn)儀的工藝天花板，奧松電子的研發(fā)工程師們創(chuàng)造性地采用了半導(dǎo)體的加工方式，實(shí)現(xiàn)了在極小的體積上，瞬間達(dá)到所需要的高溫，實(shí)現(xiàn)了節(jié)能、抗污和高效等目標(biāo)。運(yùn)用這一新工藝，實(shí)現(xiàn)了新的效果。
2022-08-19 15:51:161206 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
新工藝電磁流量計(jì)在傳統(tǒng)電磁 流量計(jì)制造的基礎(chǔ)上做了哪些改進(jìn)?
2023-02-07 13:51:47541 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 研究團(tuán)隊(duì)聚焦集成電路領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)，研發(fā)了一種可以應(yīng)用于高端電子產(chǎn)品、適應(yīng)5G通信高頻高速信號(hào)傳輸速率，且具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的PCB高精密表面修飾新工藝。
2023-04-25 10:49:37362 
閃存存儲(chǔ)設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495232 國(guó)產(chǎn)劃片機(jī)確實(shí)開創(chuàng)了半導(dǎo)體芯片切割的新工藝時(shí)代。劃片機(jī)是一種用于切割和劃分半導(dǎo)體芯片的設(shè)備，它是半導(dǎo)體制造過程中非常重要的一環(huán)。在過去，劃片機(jī)技術(shù)一直被國(guó)外廠商所壟斷，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造企業(yè)不得不
2023-07-03 17:51:46479 
DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120 
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