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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星利用二代10納米工藝研發(fā)出8Gb DDR4芯片

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出8Gb DDR4芯片

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2021-09-08 14:59:58

深圳回收內(nèi)存芯片優(yōu)勢 收購內(nèi)存芯片

FLASH芯片,回收進口FLASH 電子芯片?。?現(xiàn)代:H27UBG8T2CTR-BC(4GB) H27UBG8T2BTR-BC(4GB) H27UCG8T2ETR-BC(8GB
2021-08-20 16:33:07

煥發(fā)正能量 2013年存儲產(chǎn)品和技術(shù)展望

年首款DDR4從韓國三星誕生,隨后海力士迅速跟進研制生產(chǎn);2012年5月8日,美光官方正式宣布該公司首款DDR4內(nèi)存開發(fā)生產(chǎn)出成品,并已經(jīng)開始提供樣品給主要客戶進行測試,預計2013年開始量產(chǎn)
2012-12-30 18:45:31

二代Intel頂級CPU問世 芯片解密打破禁售壟斷

級緩存、單/雙精度浮點性能超過6/3TFlops、六通道DDR4和多通道16GB MCDRAM高帶寬內(nèi)存、Omni-Path全新自主光纖互連等。 在該芯片解密項目進行中,我們深刻的認識到國內(nèi)超級計算機研發(fā)
2015-11-30 14:54:14

蘇州專業(yè)收購DDR4

DDR4。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com?;厥?b class="flag-6" style="color: red">三星DDR,回收海力士DDR,回收南亞DDR,回收爾必達DDR,回收美光DDR,回收DDR
2021-03-17 17:59:10

蘋果芯片供應商名單曝光后 三星哭了!

季度開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下次擊敗勁敵三星、獨吃蘋果處理器大單的新記錄,2017年營收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星,日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存,并將于今年下半年上市。這樣一來,臺積電和三星以及蘋果的性能之爭,就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54

請問DNW只能用三星的ARM芯片嗎?

DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎?
2019-08-05 22:52:59

迅為電子推出基于三星Exynos 4412的ARM Cortex A9核心板

功耗的前提下具有與DDR3一樣的速度?!ご鎯Γ?b class="flag-6" style="color: red">8GB(可根據(jù)需要配置16GB以及32GB),采用三星EMMC,時鐘頻率高達52MHZ,滿足MMC V4.41協(xié)議標準。 ·PMIC:選用三星自家電源管理芯片
2013-06-18 16:07:28

追求性能提升 使用8GB HBM2顯存

UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存,帶寬460GB/s,號稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍,不過該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存,頻率2666Mbps?! ≈档米⒁獾氖牵m然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22

高價回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片

高價回收三星芯片高價回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收,高價收購ic電子料。帝歐趙生***(同步微信),QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41

高價收購三星DDR3

三星ddr3 :DDR3/64*16/K4B1G1646G-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BYKODDR3/128*16
2021-09-23 19:20:15

教大家對DDR4做仿真

DDR仿真DDR4
小凡發(fā)布于 2022-09-13 19:03:17

三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片  三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。   這種內(nèi)存芯片
2010-02-26 11:33:42780

超越三星的國產(chǎn)內(nèi)存!朗科絕影DDR4-4266開箱 #硬聲創(chuàng)作季

SamsungDDR4產(chǎn)品評測三星
jf_49750429發(fā)布于 2022-11-03 07:39:43

高速設計:用于DDR3/DDR4的xSignal

DDR4
Altium發(fā)布于 2023-06-25 17:49:32

驚呆了,逆天的配置三星Galaxy S8:8GB內(nèi)存+UFS 2.1閃存芯片

現(xiàn)在有消息稱,三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片,而今年的10月份,他們就曾發(fā)布公告稱,基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432404

三星宣布量產(chǎn)第二代10nm級別1y-nm 8Gb DDR4顆粒,高頻內(nèi)存3600MHz起步

據(jù)報道,三星二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進的專用電路設計技術(shù),比初代10nm級別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:512785

“全球最小”8Gb DDR4 芯片 三星DRAM地位再增強

三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據(jù)報道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片
2017-12-21 13:49:011534

三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

三星被人稱為世界最賺錢的公司之一,三星Q3凈利潤高達98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331472

三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進一步搶攻DRAM市場商機

三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求,三星將在明年擴大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38835

三星開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道,三星電子今天宣布,已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063

三星二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:25723

三星10nm級DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789

備戰(zhàn)下一代顯卡,三星搶先量產(chǎn)16Gb的GDDR6內(nèi)存芯片

如之前預告的那樣,在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久,16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:003468

南亞科完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,重返PC市場

臺塑集團旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進,完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,并通過個人電腦(PC)客戶認證,本月開始出貨,為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后,再度重返個人電腦市場,明年農(nóng)歷年后將再切入服務器市場,南亞科借此成為韓系和美系大廠之后,另一穩(wěn)定供貨來源。
2018-08-28 16:09:212734

SK海力士研發(fā)完成基于1Ynm工藝DDR4 DRAM芯片

11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083251

三星突破DRAM的擴展極限 成功研發(fā)10nm級DDR4內(nèi)存

,動態(tài)隨機存取存儲器)。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(1y-nm)8Gb DDR4以來僅僅16個月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4,說明三星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:541444

三星電子將開發(fā)首款基于第三代10nm級工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01215

美光正式量產(chǎn)1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存

日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存,這是第三代10nm級內(nèi)存工藝,這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個量產(chǎn)1Znm工藝的公司,這一次進度比以往的標桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:003359

SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb DDR4 DRAM

10月21日,SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
2019-10-21 16:10:362869

DDR5內(nèi)存速度在DDR4基礎上翻倍,2020年才能實現(xiàn)量產(chǎn)

最近一年來,DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價,如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復三年前接近千元的售價之勇,只要200多塊就可以搞定。
2019-10-30 15:19:005766

七彩虹推出兩款DDR4普條,頻率都為DDR4 2666

12月8日消息,近日,七彩虹推出了兩款DDR4 普條,都是DDR4 2666頻率,8GB單條售價188元,16GB單條售價299元。
2019-12-09 15:49:496112

長鑫國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片的外觀和參數(shù)曝光,使用19納米制造技術(shù)

長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(shù)(即19nm工藝)來制造4GB8GBDDR4內(nèi)存芯片,目標是在2020年第一季度上市?,F(xiàn)在,一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:137803

合肥長鑫加速開發(fā)17nm工藝內(nèi)存研發(fā)

在量產(chǎn)國內(nèi)首個8Gb DDR4芯片之后,合肥長鑫日前又獲得了156億元的巨額投資,將加速開發(fā)17nm工藝DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:144084

Samsung研發(fā)二代3納米工藝 SF3

據(jù)報道,韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術(shù)的芯片,稱為 SF3。這一發(fā)展標志著半導體行業(yè)的一個重要里程碑,因為三星與臺積電競爭下一代先進工藝節(jié)點的量產(chǎn)主導權(quán)。韓國知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:14456

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