昨夜晚間，寧波南大光電發(fā)表公告稱，公司自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品 近日成功通過客戶的使用認證。

據(jù)南大光電介紹，“ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國家“02 專項”的 一個重點攻關(guān)項目。本次產(chǎn)品的認證通過，標志著“ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn) 業(yè)化”項目取得了關(guān)鍵性的突破，成為國內(nèi)通過產(chǎn)品驗證的第一只國產(chǎn) ArF 光 刻膠，為全面完成項目目標奠定了堅實的基礎。

他們指出，認證評估報告顯示，“本次認證選擇客戶 50nm 閃存產(chǎn)品中的控制柵進行驗 證，寧波南大光電的 ArF 光刻膠產(chǎn)品測試各項性能滿足工藝規(guī)格要求，良率結(jié)果達標?！?/p>

在談到這個光刻膠通過客戶認證對公司的價值的時候，南大光電表示，ArF 光刻膠材料是集成電路制造領(lǐng)域的重要關(guān)鍵材料，可以用于 90nm-14nm 甚至 7nm 技術(shù)節(jié)點的集成電路制造工藝。廣泛應用于高端芯片制 造（如邏輯芯片、 AI 芯片、5G 芯片、大容量存儲器和云計算芯片等）。

ArF 光刻膠的市場前景好于預期。隨著國內(nèi) IC 行業(yè)的快速發(fā)展，自主創(chuàng)新和國產(chǎn)化步伐的加快，以及先進制程工藝的應用，將大大拉動光刻膠的用量。本次通過客戶認證的產(chǎn)業(yè)化意義大。本次驗證使用的 50nm 閃存技術(shù)平臺，

在特征尺寸上，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm 光刻需求，孔制程工藝可滿足 65nm-90nm 光刻需求，該工藝平臺的光刻膠在業(yè)界有代表性。

南大光電“02專項”項目前程提要

在2018年，南大光電曾發(fā)表關(guān)于實施國家“02專項”ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā) 與產(chǎn)業(yè)化的可行性研究報告。

報告指出，江蘇南大光電材料股份有限公司（以下簡稱“南大光電”、“公司”、 “本公司”）成立于2000年12月，注冊資本27，346.88萬元，為全球MO源主要供應商之一。南大光電經(jīng)過多年的技術(shù)積累及創(chuàng)新，已經(jīng)擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的MO源獨特生產(chǎn)技術(shù)。

作為全球MO源的主要供應商，產(chǎn)品在滿足國內(nèi)需求時，已遠銷日本、臺灣，韓國、歐洲和美國。公司獲得了ISO9001質(zhì)量認證體系、ISO14001環(huán)境認證體系及OHSAS18001職業(yè)健康體系的認證。公司2012年8月7日在深圳證券交易所創(chuàng)業(yè)板成功上市。

公司目前擁有MO源、電子特氣、光刻膠三大業(yè)務板塊，努力成為國際一流的MO源供應商、國內(nèi)領(lǐng)先的電子特氣供應商和國內(nèi)技術(shù)最領(lǐng)先的光刻膠供應商并力爭在五到十年內(nèi)發(fā)展成為國際上優(yōu)秀的電子材料生產(chǎn)企業(yè)。

而公司擬投資65，557萬元實施“193nm（ArF）光刻膠材料開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項目，項目實施主體寧波南大光電材料有限公司是本公司的全資子公司。按照他們所說，193nm（ArF）光刻膠和MO源都屬于高純電子材料，在生產(chǎn)工藝、分析測試等方面有一定的相似性，公司現(xiàn)有的很多生產(chǎn)技術(shù)和管理經(jīng)驗可以直接應用到此項目中。南大光電經(jīng)過多年的技術(shù)積累及創(chuàng)新，已經(jīng)擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的MO源獨特生產(chǎn)技術(shù)。在產(chǎn)品的合成、純化、分析、封裝、儲運及安全操作等方面均已經(jīng)達到國際先進水平。同時，為了此次項目的開發(fā)，南大光電已完成1500平方米研發(fā)中心的建設工作。

根據(jù)規(guī)劃，公司將通過3年的建設、投產(chǎn)及實現(xiàn)銷售，達到年產(chǎn)25噸193nm（ArF干式和浸沒式）光刻膠產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模。產(chǎn)品滿足集成電路行業(yè)需求標準，同時建成先進光刻膠分析測試中心和高分辨率光刻膠研發(fā)中心，為公司新的高端光刻膠產(chǎn)品的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化提供技術(shù)保障。目前本項目的主要建設內(nèi)容為生產(chǎn)車間、分析測試中心、研發(fā)中心、倉庫、水電、道路等配套設施的建設。

他們在報告中指出，作為集成電路制造最為關(guān)鍵的基礎材料之一——高檔光刻膠材料（如：ArF光刻膠），幾乎完全依賴于進口。這種局面已經(jīng)嚴重制約了我國集成電路產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展。更有甚者，我國集成電路工業(yè)使用的高檔光刻膠中，80%以上都是從日本一個國家進口（剩余的部分從美國進口）。這樣壟斷式的依賴格局使得中國集成電路產(chǎn)業(yè)在我國發(fā)生嚴重自然災害、政治沖突、商業(yè)沖突或軍事沖突時受到嚴重的負面影響。

從產(chǎn)品性質(zhì)方面分析，相較于可以長時間保存（3年左右，甚至更長）的大硅片和先進制造設備， 高檔光刻膠的保質(zhì)期很短（6個月左右，甚至更短）。一旦遇到上述的自然災害或沖突，我國集成電路產(chǎn)業(yè)勢必面臨芯片企業(yè)短期內(nèi)全面停產(chǎn)的嚴重局面。因此，盡快實現(xiàn)全面國產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)化高檔光刻膠材料具有十分重要的戰(zhàn)略意義和經(jīng)濟價值。

但南大光電也強調(diào)，ArF光刻膠產(chǎn)品的配方包括成膜樹脂、光敏劑、添加劑和溶劑等組分材料。是否能夠?qū)⒏鱾€組分的功能有效地結(jié)合在一起，關(guān)系到光刻膠配方的成敗，這是調(diào)制光刻膠配方的最大挑戰(zhàn)和難點，也是一個光刻膠公司技術(shù)能力的基本體現(xiàn)。國際上只有為數(shù)很少的幾家光刻膠公司可以做到產(chǎn)品級 ArF光刻膠配方的調(diào)制。

針對此種情況，一方面，我們可以進行外部引“智”，從光刻膠技術(shù)先進的美國和日本等國家引進相關(guān)領(lǐng)域的專家。另一方面，我們應該進行內(nèi)部尋“智”，聯(lián)合國內(nèi)光刻膠的研究單位，積極培養(yǎng)國內(nèi)的光刻膠研發(fā)人才。通過人才的“內(nèi)外結(jié)合”，我們將自主研發(fā)出國產(chǎn)ArF光刻膠產(chǎn)品。

同時，我們又可以此團隊為基礎，建設屬于我國自己本土的光刻膠人才隊伍，為公司先進光刻膠產(chǎn)品的升級換代和我國集成電路行業(yè)的后續(xù)發(fā)展奠定基礎。

日本絕對領(lǐng)導的光刻膠市場

據(jù)智研咨詢統(tǒng)計，2019年全球光刻膠市場規(guī)模預計近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%。預計該市場未來3年仍將以年均5%的速度增長，至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。

根據(jù)下圖，我們可以了解到低端的g/i-line的占總的半導體光刻膠市場份額31%，高端的KrF、ArF-i光刻膠的市場份額最大，達到45%，基本是被日本的企業(yè)壟斷，所以讓日本在半導體領(lǐng)域有極大的控制能力。

以 ArF 光刻膠產(chǎn)品為代表的先進光刻膠以及工藝的主要技術(shù)和專利都掌握在國外的企業(yè)與研究部門，如日本的信越化學（Shin-Etsu Chemical）、合 成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、住友化學（Sumitomochem）、富士膠片 （Fujifilm）和美國陶氏（Dow Chemical Company），其中尤其是日本企業(yè)，占有率極高。

在KrF光刻膠方面，日本也是占了主導地位，在這領(lǐng)域有全球5%市場占有率的韓國企業(yè)和11%的美國企業(yè)。

南大光電表示，本項目已作為我國“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”的核心 部分被列入我國國家科技重大專項，受到國家科技部的高度支持。作為對 提升國家綜合國力有重大推動作用的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，ArF（干式和浸沒式）光 刻膠是我國集成電路產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵原材料，與國家經(jīng)濟及社會發(fā)展的需求緊 密結(jié)合。

本項目不僅能夠極大提高我國本土企業(yè)的自主創(chuàng)新能力，更重要 的是通過重大關(guān)鍵技術(shù)的突破，將帶動和提升我國整個電子工業(yè)體系的技 術(shù)水平和國際競爭力。項目符合國家的產(chǎn)業(yè)政策，按國家基本建設程序進行實施，項目的建設是可行的。
責編AJX