博世于2019年10月在德國正式宣布其開始碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)。功率碳化硅半導體生產(chǎn)基地位于德國羅伊特林根。

博世碳化硅MOSFET以封裝或裸片形式提供。博世碳化硅為客戶提供多種封裝選擇，新開發(fā)的TO263-7（D2-PAK-7）封裝主要用于表面貼裝（SMT），而成熟且廣泛使用的TO247-4設(shè)計是通孔技術(shù)的合適選擇，D2-PAK-7封裝的特點是背面觸點和連接器引腳之間的爬電距離增加（圖1），因此，客戶無需滿足特殊的CTI要求即可實現(xiàn)高壓應(yīng)用。）

開爾文源——減少開關(guān)損耗，驅(qū)動更穩(wěn)定

在這兩種封裝中，開爾文源均直接連接至引腳（圖2）。該引腳用作控制電壓的參考，并有助于消除源電感對開關(guān)速度的影響，否則會導致電壓失調(diào)（VL）。

圖2：使用開爾文源降低了源電感對開關(guān)速度的影響 （來源：博世）

開爾文封裝引腳屬于專用源極連接引腳，可以用作柵極驅(qū)動電壓的基準電位，通過消除源極電感導致的電壓降的影響，進一步降低開關(guān)損耗。

博世雙通道溝槽技術(shù)

博世專門開發(fā)的雙通道溝槽技術(shù)可確保更高的效率（圖3）。該技術(shù)可實現(xiàn)MOSFET的低電阻設(shè)計以及小于1 Ohm的低內(nèi)部柵極電阻。這允許負載電流的急速上升（di/dt），進而，開關(guān)損耗的降低、開關(guān)頻率更高。

圖3：博世獨創(chuàng)的雙通道溝槽技術(shù) （來源：博世）

但是，快速切換也會產(chǎn)生副作用。迅速開關(guān)會在導通和關(guān)斷切換過程中引起不可避免的寄生電感和電容振蕩，由此產(chǎn)生的功率和電壓峰值會使電路的組件過載。每個碳化硅MOSFET其內(nèi)部電容和電感都參與在其中。為了改進，我們在柵極線上增加一個外部電阻可以在開關(guān)速度和電容振蕩趨勢之間進行折衷（圖4和5）。

圖4：針對汽車逆變器應(yīng)用進行了優(yōu)化的1200V導通。

測量條件：

溫度：25°C，VGS(on): 18V, VGS(off): -5V, RGate ext: 13Ohm, ID: 160A, UBatt: 850V（來源：博世）

圖5：針對汽車逆變器應(yīng)用進行了優(yōu)化的1200V關(guān)斷。測量條件：

溫度：25°C，VGS（on）：18V，VGS（off）：-5V，RGate ext：13Ohm，ID：160A，UBatt：850V （來源：博世）

博世碳化硅助力車規(guī)應(yīng)用的穩(wěn)定表現(xiàn)

優(yōu)化的設(shè)計和高質(zhì)量的柵極氧化物可實現(xiàn)從-5V至+18V的寬柵極控制電壓范圍，甚至對于從-11V至+25V的短脈沖也是如此。該柵極電壓范圍與高電壓組合柵極閾值電壓為3.5V，可實現(xiàn)非常好的安全距離，以防止意外接通。

米勒系數(shù)也已進行了優(yōu)化，典型值為1，可將輸出到門的反饋降至最低。即使在漏極連接處具有高電壓梯度（dV/dt），也可以確?？煽康那袚Q。

對于車輛中的功率器件，在任何情況下都能安全駕駛至關(guān)重要。與驅(qū)電路一起工作時，這就要求電源開關(guān)能夠承受負載側(cè)的短路，通常持續(xù)3μs，不會造成損壞。這個時間可以保護電路檢測到短路并觸發(fā)負載電流切斷。短路時間的進一步增加將導致導通電阻（RDSon）的增加，從而導致功率損失。博世碳化硅MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，可同時保持3μs的持續(xù)時間和最佳RDSon（圖6）。

圖6：TO247-3L中SiC-MOSFET的短路測量

測量條件：溫度：25°C，VGS（on）：15V，VGS（off）：-5V，RGext：6,2 Ohm，VBatt：800V （來源：博世）

原文標題：關(guān)于博世碳化硅功率器件的幾個常識，你可能還不知道！

文章出處：【微信公眾號：博世汽車電子事業(yè)部】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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