為了減少對(duì)中國(guó)方面的依賴(lài)，拜登簽署了一項(xiàng)行政命令，與中國(guó)臺(tái)灣和日本和韓國(guó)等國(guó)家/地區(qū)合作，加快建立芯片和其他戰(zhàn)略意義產(chǎn)業(yè)鏈的合作。不難看出，美國(guó)政府已逐漸重視其面臨的芯片供應(yīng)問(wèn)題。

國(guó)際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)（SEMI）和美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)（SIA）最新報(bào)告顯示，2020 年美國(guó)芯片制造僅占全球 12%，遠(yuǎn)低于 90 年代 37% 的制造產(chǎn)能；而形成鮮明對(duì)比的是，美企 2020 年半導(dǎo)體銷(xiāo)售額占全球市場(chǎng)的近一半。也就是說(shuō)，盡管美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)勢(shì)頭很猛，但十分依賴(lài)其它國(guó)家/地區(qū)代工制造；而臺(tái)積電便是代工鏈條上的重要玩家，其市場(chǎng)份額已超過(guò) 50%。

近日臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音對(duì)外官宣3nm工藝研發(fā)進(jìn)度。劉德音表示，新工藝研發(fā)不僅一切順利，甚至比預(yù)期還要快，其3nm工藝在2022年就可進(jìn)行商用。不過(guò)值得一提的是，臺(tái)積電3nm技術(shù)仍采用FinFET結(jié)構(gòu)，而三星的3nm技術(shù)將率先升級(jí)GAA技術(shù)。

此外，據(jù)臺(tái)積電被曝光的內(nèi)部信確認(rèn)，將投資約2326億元在美國(guó)新開(kāi)設(shè)6個(gè)工廠，地點(diǎn)位于美國(guó)的亞利桑那州，以實(shí)現(xiàn)建設(shè)超大型晶圓廠的目標(biāo)。按照此前的消息披露，工廠為5nm的12英寸晶圓廠，將從2021年開(kāi)始建設(shè)，預(yù)計(jì)2024年進(jìn)行投產(chǎn)。

事實(shí)上，臺(tái)積電“赴美建廠”的計(jì)劃，早在 2020 年 5 月就已公開(kāi)。當(dāng)時(shí)，臺(tái)積電發(fā)布聲明表示，該芯片工廠將建在亞利桑那州，計(jì)劃于 2021 年開(kāi)始建設(shè)，2024 年投入生產(chǎn)，采用 5nm 工藝為相關(guān)的客戶(hù)代工芯片，計(jì)劃的月產(chǎn)能是 20000 片晶圓。

值得一提的是，臺(tái)積電在美國(guó)華盛頓州卡馬斯市已設(shè)有一家晶圓廠，并且在德克薩斯州奧斯汀市和加利福尼亞州圣何塞市設(shè)有設(shè)計(jì)中心。

彼時(shí)，臺(tái)積電曾預(yù)估亞利桑那州工廠建設(shè)預(yù)計(jì)支出（包括資本支出） 120 億美元。不過(guò)，投資建設(shè)一座 12 寸的晶圓廠尚需一、二千億新臺(tái)幣，如果臺(tái)積電在美國(guó)蓋六座新廠的消息屬實(shí)，則總投資額將達(dá)到 1 兆元新臺(tái)幣（約 359 億美元）。同時(shí)，一旦工廠建成，則美國(guó)新廠月產(chǎn)能可達(dá) 10 萬(wàn)片以上；基于此，臺(tái)積電超越三星，曾為美國(guó)產(chǎn)能最大的非美系半導(dǎo)體代工廠。

除了建廠消息更新，臺(tái)積電目前正招募技術(shù)人員前往美國(guó)駐點(diǎn)。據(jù)臺(tái)積電此前透露，美國(guó)新廠將直接創(chuàng)造 1600 多個(gè)高科技專(zhuān)業(yè)職位，并在半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中創(chuàng)造數(shù)千個(gè)間接職位。

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