電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）日前，臺積電董事長魏哲家宣布，將在美國新增 1000 億美元投資。他指出，臺積電已承諾建造 3 座半導體制造廠，后續(xù)還計劃新建 3 座半導體廠、2 座先進封裝廠以及 1 座研發(fā)中心。

據(jù)統(tǒng)計，臺積電在美國的投資總額將達 1650 億美元。此次新增的 1000 億美元投資，疊加此前規(guī)劃的 650 億美元，使其成為美國歷史上最大的單項境外直接投資案。分析人士認為，臺積電此舉迫于美方壓力。特朗普曾表示，若臺積電在臺灣地區(qū)生產(chǎn)芯片再運往美國，未來可能被征收 25%、30% 甚至 50% 的關(guān)稅，且關(guān)稅只會提高；而若在美國生產(chǎn)，則完全免征關(guān)稅。

臺積電赴美：從抗拒到迂回

此前報道顯示，臺積電在美國建廠成本遠高于亞洲，約為臺灣地區(qū)的兩倍，勞動力、能源和原材料等成本高昂。而且，此次投資缺乏明確的補貼支持。分析認為，這可能會稀釋臺積電的長期毛利率，影響企業(yè)盈利能力，給其帶來較大財務負擔。然而，從臺積電目前的態(tài)度來看，已轉(zhuǎn)為積極響應。

在美國最初半招攬半脅迫臺積電赴美建廠時，臺積電態(tài)度極為抗拒。臺積電創(chuàng)始人張忠謀曾公開批評赴美投資 “昂貴、浪費又徒勞無功”，董事長魏哲家亦用 “一把鼻涕一把眼淚” 形容建廠困難。2023 年底，臺積電宣布美國首座先進制程芯片廠將推遲投產(chǎn)，并公開質(zhì)疑美國投資計劃的經(jīng)濟可行性，彼時其抗拒情緒幾乎達到頂峰，而當時臺積電實際投資僅為前期的 120 億美元。

如今，臺積電赴美投資從最初的 120 億美元，先是擴大到 650 億美元，隨后又追加 1000 億美元。這一轉(zhuǎn)變受多種因素影響。關(guān)稅政策方面，特朗普政府以關(guān)稅 “大棒” 威脅，揚言對外國生產(chǎn)的半導體增加 25% 關(guān)稅，甚至可能對臺灣地區(qū)生產(chǎn)的芯片加征 100% 關(guān)稅，迫使臺積電為規(guī)避關(guān)稅風險而加大赴美投資。

同時，也有對客戶支持的考量。蘋果、英偉達、高通等美國大客戶對先進芯片需求巨大，臺積電在美國投資建廠，可更靠近客戶，縮短供應鏈周期，更好滿足客戶需求，進而增強與這些大客戶的合作關(guān)系。目前，臺灣方面已解除先進制程限制，不再約束臺積電在外建先進制程工廠，將決策權(quán)完全交予臺積電，由其根據(jù)自身技術(shù)發(fā)展自主決定。雖然臺積電前期建廠成本高昂，但有望通過大客戶訂單彌補部分損失，財務狀況或與面臨高關(guān)稅時相近。

此外，臺積電若不主動出擊，可能被迫接手英特爾的制造工廠。此前美方曾放出讓臺積電入股英特爾的消息，且有獲取臺積電技術(shù)的意圖。臺積電為避免與英特爾合作導致技術(shù)過度被滲透，通過大規(guī)模投資彰顯自身在美國市場的獨立性和重要性，在一定程度上降低技術(shù)合作風險。從這個層面看，臺積電將先進工廠建在美國，雖生產(chǎn)基地發(fā)生變化，但技術(shù)仍掌握在自己手中。

因此，有分析師認為，臺積電赴美可緩解關(guān)稅危機，且 “比被迫接管英特爾工廠更具可控性”。不過，美國建廠成本為臺灣地區(qū)的 2 - 4 倍，工程師短缺、供應鏈不完善等問題將持續(xù)壓縮利潤率。

芯片制造的又一次轉(zhuǎn)移？

目前，美國仍是全球最大的半導體市場。據(jù)半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）數(shù)據(jù)，2024 年 11 月全球半導體銷售額為 578.2 億美元，美國地區(qū)銷售額達 195 億美元，占全球芯片銷售額的 33.7%，位居第一。另外，市場調(diào)研機構(gòu) Counterpoint 發(fā)布的報告顯示，在 2024 年全球前十大半導體品牌廠商排名中（不包含代工廠），美國企業(yè)高通占 5.6%、博通占 5%、英特爾占 4.9%、美光占 4.8%、英偉達占 4.3%、AMD 占 4.1%、西部數(shù)據(jù)占 2.5%，10 家中有 7 家來自美國，合計占比高達 27.2%。

臺積電作為全球晶圓代工的龍頭企業(yè)，統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2024 年其在全球晶圓代工行業(yè)占據(jù) 62% 的市場份額，預計 2025 年這一數(shù)字將進一步增長至 66%。從投資規(guī)模來看，即便臺積電是全球晶圓代工龍頭，1000 億美元也是一筆巨額投資。作為參考，臺積電 2024 年的資本支出為 297.6 億美元。因此，臺積電在美設(shè)立研發(fā)中心和大規(guī)模建廠，可能導致臺灣地區(qū)半導體先進制程研發(fā)與技術(shù)加速外移，削弱臺灣地區(qū)在半導體領(lǐng)域的核心競爭力，使其面臨產(chǎn)業(yè) “空心化” 風險。同時，臺積電在日本、歐洲的投資預計也會受到影響。

那么，這是否意味著全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)正朝著美國進行新一輪轉(zhuǎn)移呢？

歷史上，晶圓代工產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了三次重大轉(zhuǎn)型。第一次是 20 世紀 70 年代 - 90 年代，從美國轉(zhuǎn)移至日本。當時美國半導體產(chǎn)業(yè)面臨日本的激烈競爭，日本政府出臺一系列政策，如 1976 年啟動的 VLSI 計劃，政府注資 3.2 億美元聯(lián)合東芝、日立等企業(yè)攻關(guān)半導體技術(shù)，同時限制外資持股，為本土企業(yè)提供市場保護。巔峰時期，日本產(chǎn)能占全球 DRAM 產(chǎn)能的 80%。

第二次是 20 世紀 80 年代 - 90 年代，從日本轉(zhuǎn)移至韓國和中國臺灣地區(qū)。隨著全球經(jīng)濟形勢變化和產(chǎn)業(yè)競爭加劇，日本半導體產(chǎn)業(yè)逐漸暴露出過度依賴單一市場等問題。韓國和中國臺灣地區(qū)抓住機遇，積極發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，這次轉(zhuǎn)移成就了臺積電和三星的晶圓代工業(yè)務。

第三次是 2010 年至今，向中國大陸轉(zhuǎn)移。隨著中國大陸經(jīng)濟快速發(fā)展，對半導體需求不斷增加，加之國家政策大力支持和資本大量投入，中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)迎來快速發(fā)展機遇。在此過程中，中芯國際、華虹等中國大陸晶圓代工廠商不斷提升技術(shù)水平和產(chǎn)能，市場份額逐漸擴大。

從這幾次轉(zhuǎn)移過程可見，政策因素和市場因素是引導全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的兩大主導因素。政策方面，美國政府出臺《芯片與科學法案》，投入巨額資金扶持本土半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，同時將關(guān)稅作為引導晶圓代工轉(zhuǎn)移的手段。從表象看，晶圓代工產(chǎn)業(yè)在美國設(shè)廠，能更貼近客戶，縮短供應鏈周期，更好響應市場需求。

然而，此次美國引導的晶圓代工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移面臨諸多阻礙。除了前文提到的成本劣勢，人才劣勢和產(chǎn)業(yè)鏈劣勢也十分明顯。盡管美國有一定科研人才基礎(chǔ)，但晶圓代工產(chǎn)業(yè)需要大量熟練技術(shù)工人和工程師，從各產(chǎn)業(yè)情況來看，美國在技術(shù)工人和工程師方面存在明顯人才斷檔，缺口巨大。并且，美國在晶圓代工配套產(chǎn)業(yè)鏈方面，短期內(nèi)難以達到亞洲的完善程度，這將影響晶圓代工產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)效率和成本。當前，美國的晶圓代工產(chǎn)業(yè)處境尷尬，一方面，中國大陸通過限制關(guān)鍵原材料（如鎵、鍺）出口、加速成熟制程自主化，降低了美國在成熟工藝方面的收益；另一方面，臺積電雖被迫轉(zhuǎn)移先進技術(shù)，但通過 “技術(shù)迭代時間差” 策略（如臺灣保留 1.4 納米研發(fā)），維持部分技術(shù)代際優(yōu)勢?，導致美國工廠難以充分享受技術(shù)紅利。

綜合來看，臺積電此次 1000 億美元的投資更多是一種表態(tài)，是一種周旋策略，實際投入多少仍有待觀察。目前，美國晶圓制造產(chǎn)業(yè)中，格芯占比僅為 5%，英特爾約為 0.3%，臺積電美國工廠規(guī)模可忽略不計，這一水平相較于 2022 年的 6.58% 有明顯下滑。因而，美國此次力推的晶圓代工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，大概率難以取得理想成果。