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      NP9P03G 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

      微雨問(wèn)海棠 ? 來(lái)源：微雨問(wèn)海棠 ? 作者：微雨問(wèn)海棠 ? 2022-07-20 11:10 ? 次閱讀
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      描述

      NP9P03G采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

      設(shè)計(jì)為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON)

      電荷。它可以用于各種各樣的

      應(yīng)用程序。

      一般特征

      ?VDS = -30v, id = -30a

      RDS(上)(Typ) = 12.5Ω@VGS = -10 v

      RDS(上)(Typ) = 18米Ω@VGS = -4.5 v

      高功率和電流處理能力

      ?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品

      ?表面安裝包

      應(yīng)用程序

      ?負(fù)荷開(kāi)關(guān)

      包

      ?- 252 - 2 - l

      poYBAGLXcZSAdA6IAADFCGndFYk742.png

      訂購(gòu)信息

      poYBAGLXcauACuC4AAA0f_HUrrA901.png

      絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明，TA=25℃)

      pYYBAGLXcdSAAxi2AAC-YNZs5Ec718.png

      電特性(除非另有說(shuō)明，TA=25℃)

      poYBAGLXce-APTJ_AAJdKiAjVUw170.png

      注:1:脈沖測(cè)試;脈沖寬度≦300ns，占空比≦2%。

      2:設(shè)計(jì)保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)。

      熱特性

      pYYBAGLXcgiAbzN9AABGc7vuUsk495.png

      審核編輯 黃昊宇

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        的頭像 發(fā)表于 04-16 11:25 ?383次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 04-15 17:08 ?348次閱讀
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