內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗的5v3A同步整流ic U7712

5v3A同步整流ic U7712內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。

支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM) 和準諧振工作模式 (QR)。

U7712集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。

U7712內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，減低了系統(tǒng)成本。

5v3A同步整流ic U7712主要特性：

&反激拓撲副邊同步整流功率開關(guān)

&支持“浮地”和“共地”同步整流兩種拓撲

&支持斷續(xù)工作模式 (DCM) 和準諧振工作模式(QR)

&<300uA 超低靜態(tài)電流

&內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電

&內(nèi)置 40V 功率 MOSFET

&內(nèi)部集成保護：VDD 欠壓保護 (UVLO)、VDD 電壓鉗位 (>5mA 鉗位電流)

&封裝信息 SOP-8

系統(tǒng)開機以后，5v3A同步整流ic U7712內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。

當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V 典型值），ic進入睡眠模式，同時內(nèi)部同步整流MOSFET進入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。

當VDD電壓高于VDD開啟電壓后（4V典型值），ic開始工作。

ic內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。

在內(nèi)部同步整流 MOSFET 開通瞬間，5v3A同步整流ic U7712漏-源(Drain-Source) 之間會產(chǎn)生電壓尖峰。

為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致ic誤動作，ic內(nèi)部集成有前沿消隱電路(LEB)。

在LEB時間（約 1us）內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直至消隱時間結(jié)束。

審核編輯：劉清