同步整流芯片U7110W化控制關斷損耗

同步整流芯片會實時監(jiān)測電路中的相關參數(shù)，比如電壓、電流等信號。一旦檢測到滿足開通或者需要關斷的條件，芯片內(nèi)部的控制電路會生成一個驅(qū)動或者關斷信號，以確保電路的正常運行，減少損耗。同步整流芯片在開通和關斷階段的精確控制，對于提高開關電源的效率和性能起著至關重要的作用。讓我們看看同步整流芯片U7110W是如何控制的！

變壓器副邊續(xù)流階段開始時，同步整流內(nèi)置MOSFET的溝道處于關閉狀態(tài)，副邊電流Is經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。當負向Vds電壓小于同步整流芯片U7110W內(nèi)置MOSFET開啟檢測閾值Vth_on (典型值-220mV)，經(jīng)過開通延遲Td_on (典型值 25ns)，內(nèi)置MOSFET的溝道開通。

UNU7110W

在同步整流內(nèi)置MOSFET導通期間，同步整流芯片U7110W采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關斷閾值Vth_off (典型值 0mV)，經(jīng)過關斷延遲Td_off (典型值 22ns)，內(nèi)置MOSFET的溝道關斷。

在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值3.8V)之前，同步整流芯片U7110W處于關機狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內(nèi)部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值 3.5V)后，芯片關機，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。

YLB

同步整流芯片U7110W的快速關斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應力，可支持斷續(xù)工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7110W內(nèi)部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關誤開通。

選擇高頻率、高性能、CCM同步整流芯片，加上合理設計和優(yōu)化芯片的控制策略，可以進一步降低損耗，提升電源的整體性能。深圳銀聯(lián)寶科技推出的多款同步整流芯片，搭配對應的主控芯片，形成了多套成熟高效的電源方案，硬核實力，不容小覷！