同步整流芯片U7110W化控制關(guān)斷損耗

同步整流芯片會(huì)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電路中的相關(guān)參數(shù)，比如電壓、電流等信號(hào)。一旦檢測(cè)到滿(mǎn)足開(kāi)通或者需要關(guān)斷的條件，芯片內(nèi)部的控制電路會(huì)生成一個(gè)驅(qū)動(dòng)或者關(guān)斷信號(hào)，以確保電路的正常運(yùn)行，減少損耗。同步整流芯片在開(kāi)通和關(guān)斷階段的精確控制，對(duì)于提高開(kāi)關(guān)電源的效率和性能起著至關(guān)重要的作用。讓我們看看同步整流芯片U7110W是如何控制的！

變壓器副邊續(xù)流階段開(kāi)始時(shí)，同步整流內(nèi)置MOSFET的溝道處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流Is經(jīng)MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流，同時(shí)在體二極管兩端形成一負(fù)向Vds電壓(<-500mV)。當(dāng)負(fù)向Vds電壓小于同步整流芯片U7110W內(nèi)置MOSFET開(kāi)啟檢測(cè)閾值Vth_on (典型值-220mV)，經(jīng)過(guò)開(kāi)通延遲Td_on (典型值 25ns)，內(nèi)置MOSFET的溝道開(kāi)通。

UNU7110W

在同步整流內(nèi)置MOSFET導(dǎo)通期間，同步整流芯片U7110W采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當(dāng)Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值Vth_off (典型值 0mV)，經(jīng)過(guò)關(guān)斷延遲Td_off (典型值 22ns)，內(nèi)置MOSFET的溝道關(guān)斷。

在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON (典型值3.8V)之前，同步整流芯片U7110W處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制電路開(kāi)始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值VDD_OFF (典型值 3.5V)后，芯片關(guān)機(jī)，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。

YLB

同步整流芯片U7110W的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7110W內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通。

選擇高頻率、高性能、CCM同步整流芯片，加上合理設(shè)計(jì)和優(yōu)化芯片的控制策略，可以進(jìn)一步降低損耗，提升電源的整體性能。深圳銀聯(lián)寶科技推出的多款同步整流芯片，搭配對(duì)應(yīng)的主控芯片，形成了多套成熟高效的電源方案，硬核實(shí)力，不容小覷！