電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日有消息稱，三星計劃在今年第四季度將NAND Flash產(chǎn)品的價格提高10%以上，預計最快會從10月開始漲價。與此同時，為了加速去庫存以配合漲價，三星自今年以來就一直對NAND閃存以及DRAM減產(chǎn)。

在今年第一季度財報中，半導體業(yè)務(wù)暴虧4.58萬億韓元（約合249億元人民幣）后，三星改變了此前“不減產(chǎn)”的承諾，表示將調(diào)整存儲芯片產(chǎn)量。經(jīng)過半年多的減產(chǎn)等調(diào)控措施，從近期包括三星在內(nèi)的多家存儲大廠的動作來看，存儲市場似乎即將邁入新的上行周期。

持續(xù)減產(chǎn)降低投資，NAND開始大幅漲價

存儲器市場是半導體周期的重要風向標之一，周期性較為突出，每次存儲器價格的下行都伴隨著主流大廠“主動”或“被動”的減產(chǎn)對市場價格進行調(diào)控。

三星在今年1月和今年4月分別進行了兩次產(chǎn)能調(diào)整，降低晶圓投入以降低NAND和DRAM產(chǎn)能，初期減產(chǎn)主要著重于DRAM。而進入下半年，隨著產(chǎn)能的下降，部分存儲器已經(jīng)開始出現(xiàn)止跌的跡象。

在4月減產(chǎn)計劃進行三個月后，有機構(gòu)估算，今年7月三星將DRAM晶圓的月產(chǎn)量削減至62萬片，同比減少超過12%，創(chuàng)下了公司近兩年來的新低，減產(chǎn)效果顯著。不過當時由于終端市場的需求并未恢復，盡管三星、SK海力士、美光三大存儲廠商希望在三季度拉動DRAM的合約價提高7%-8%，但市場上實質(zhì)的反彈還未到來。

美光在6月的財報會議上表示，將擴大DRAM和NAND Flash的減產(chǎn)規(guī)模，從此前的減產(chǎn)25%擴大至減產(chǎn)30%，并持續(xù)到2024年。

SK海力士在二季度財報中提到，NAND Flash的去庫存速度相比DRAM更慢，因此公司將進一步擴大NAND Flash的減產(chǎn)幅度。與此同時，SK海力士的投資規(guī)模也將同比減少50%以上，產(chǎn)能擴充的重點也將轉(zhuǎn)移到DDR5、HBM3等未來需求上。

三星近期也繼續(xù)縮減對存儲器產(chǎn)能的投資。三星最大的生產(chǎn)基地平澤P3晶圓廠中，此前擴建計劃規(guī)模如今被縮減為原來的三分之一。三星原計劃將P3晶圓廠的產(chǎn)能提升至8萬片DRAM和3萬片NAND Flash，如今分別被縮減至5萬片和1萬片。

無論如何，從通過產(chǎn)能調(diào)控來提高市場價格的角度看，目前存儲廠商的減產(chǎn)措施已經(jīng)有所成效。

首先是供給端，今年年初三星NAND Flash的庫存水位超過20周，最高曾高達28周，三星的目標是在今年年底實現(xiàn)NAND Flash的庫存正?；_到約6到8周的水平。存儲廠商在減產(chǎn)的同時，也積極與主要客戶重新談判價格，存儲器合約價自下半年以來就開始有所上漲，特別是DRAM產(chǎn)品中，由于供應商在價格談判中態(tài)度強硬，需求方接受漲價，三季度DDR5 DRAM合約價漲幅達到5%到10%。

而需求端方面，由于AI熱潮持續(xù)，AI服務(wù)器對DDR5、HBM等高端DRAM產(chǎn)品需求高漲，帶動DRAM價格率先實現(xiàn)反彈。同時因為預期價格的上漲，需求方也開始增加采購力度，因此將會帶動DRAM出貨以及價格的持續(xù)上漲。

一般來說，DRAM由于市面上原廠數(shù)量較少，減產(chǎn)帶來的去庫存漲價效應會更加顯著。所以同樣的減產(chǎn)策略下，NAND Flash的漲價相對來得更晚。不過在合約價上，近期有消息稱三星與多家手機廠商客戶，包括小米、OPPO、谷歌簽署了存儲芯片供應協(xié)議，DRAM和NAND Flash價格在現(xiàn)有合同的價格基礎(chǔ)上上漲10%-20%，這大概是為了四季度的整體漲價定下基調(diào)。

伴隨著芯片減產(chǎn)初有成效，三星預計到今年第四季度存儲器市場將迎來供不應求的狀況。

產(chǎn)品更新迭代進一步提高存儲市場預期

在存儲市場下行周期，存儲大廠都在削減資本支出，將資源集中在創(chuàng)新產(chǎn)品上。更高性能的存儲器產(chǎn)品帶來更高的附加值，也能拉高整體存儲市場的產(chǎn)品均價。SK海力士預計5年后AI服務(wù)器內(nèi)存，包括HBM、DDR4和DDR5在整個服務(wù)器內(nèi)存的市場份額將會從目前的17%提高至38%，因此更高端的存儲產(chǎn)品會是包括SK海力士在內(nèi)，存儲廠商未來會重點關(guān)注的方向。

今年8月，SK海力士在2023閃存峰會上展示了全球首個300層以上的NAND Flash樣品。這款1Tb TLC 4D NAND Flash樣品高達321層相比上一代238層的512Gb NAND Flash效率提高了59%，通過對數(shù)據(jù)單元的堆疊突破，在單位晶圓上實現(xiàn)更大的存儲容量產(chǎn)出。

SK海力士的321層NAND Flash將會在2025年上半年開始量產(chǎn)，而針對更大容量的NAND Flash，SK海力士表示對應的PCIe 6.0接口和UFS 5.0規(guī)格的產(chǎn)品也已經(jīng)在開發(fā)中。

隨后又傳出消息稱，三星計劃在2024年搶先SK海力士量產(chǎn)第九代300層以上的V-NAND Flash，不過三星沒有公布相關(guān)技術(shù)細節(jié)。按照三星規(guī)劃的路線圖，到2030年NAND堆疊將超過1000層，能夠更好地支持未來的數(shù)據(jù)密集型應用。

在AI熱潮下，AI加速卡以及GPU等應用對DRAM內(nèi)存帶寬需求暴增，從GDDR到HBM，是順應更高的數(shù)據(jù)吞吐量而產(chǎn)生的技術(shù)更替。

美光在7月率先宣布向客戶提供HBM3 Gen2（同HBM3e）的樣品，具有1.2 TB/s的聚合帶寬，8高堆疊容量為24GB。未來還有12高堆疊版本，容量可達36GB，與上一代HBM2e相比，每瓦性能是上一代的2.5倍。美光還在近期確認，HBM2 Gen2 DRAM產(chǎn)品將會在明年年初大批量出貨交付，主要客戶包括NVIDIA。

隨后的8月，SK海力士也宣布成功開發(fā)出HBM3E DRAM，最高每秒可以處理1.15TB數(shù)據(jù)。SK海力士計劃明年上半年將HBM3E投入量產(chǎn)，但交付可能要稍晚于美光。

同時在移動DRAM方面，SK海力士也在今年年初宣布成功開發(fā)出LPDDR5T。相比LPDDR5X 8.5Gbps的速率，LPDDR5T再次提升了13%，達到9.6Gbps。而今年8月SK海力士宣布旗下LPDDR5T DRAM已經(jīng)在聯(lián)發(fā)科新一代天璣9300平臺上完成驗證，天璣9300+LPDDR5T 將有望成為下一代旗艦手機的“標配”。

寫在最后

存儲市場的觸底比業(yè)界此前預測的來得更晚，但各大存儲原廠的大規(guī)模減產(chǎn)以及強硬的價格談判態(tài)度等措施的作用下，儲存市場的反彈在第四季度基本已經(jīng)成為定局。不過要讓存儲市場真正邁進上行周期，僅依靠AI服務(wù)器以及汽車帶來的新需求是遠遠不夠的，最終還需要等待消費終端市場的全面復蘇。