有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手?;蛘哕浻布梢?b class='flag-5'>在設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
發(fā)表于 06-24 15:10
電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中,需要通過(guò)調(diào)焦來(lái)確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難,且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線,就可以免去調(diào)焦過(guò)程,本文將介紹一種能把
發(fā)表于 05-10 22:32
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重
發(fā)表于 03-05 19:37
近日,荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種新工藝,能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示,通過(guò)精準(zhǔn)控制這種半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu),大
發(fā)表于 01-23 09:52
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德國(guó)半導(dǎo)體巨頭英飛凌科技(Infineon Technologies)近日宣布了一項(xiàng)重要決策,將在泰國(guó)設(shè)立一座全新的半導(dǎo)體工廠。這座工廠將專注于功率
發(fā)表于 01-22 15:48
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是工廠的排氣系統(tǒng);半導(dǎo)體制造和檢驗(yàn)過(guò)程中使用多種藥液和氣體,也會(huì)產(chǎn)生大量的污水和有害氣體,如圖1-1所示,污水處理設(shè)施、廢液儲(chǔ)存罐、廢氣處理設(shè)施也是半導(dǎo)體工廠的標(biāo)配。
通過(guò)閱讀此章了解
發(fā)表于 12-29 17:52
近日,由國(guó)家能源局主辦、深圳市發(fā)展改革委承辦的2024年推進(jìn)高質(zhì)量充電基礎(chǔ)設(shè)施體系建設(shè)座談會(huì)在深圳隆重召開(kāi)。其中,基本半導(dǎo)體“高壓快充的碳化硅功率器件應(yīng)用”作為深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)
發(fā)表于 12-26 10:22
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本書深入淺出,沒(méi)有晦澀難懂的公式和高深的理論,有的是豐富的彩色配圖,可以作為一本案頭小品來(lái)看,看完本書之后對(duì)制造半導(dǎo)體芯片的工藝等有個(gè)基本全面的了解。
跟著本書就好比參觀了一遍制造工廠和生產(chǎn)線
發(fā)表于 12-16 22:47
三菱電機(jī)近日宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃,將斥資約100億日元在日本福岡縣福岡市新建一座功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠。該
發(fā)表于 12-02 10:27
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及先進(jìn)半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)”論壇上,環(huán)旭電子微小化創(chuàng)新研發(fā)中心(Miniaturization Competence Center)研發(fā)處資深處長(zhǎng)沈里正博士發(fā)表了精采演講,為與會(huì)者帶來(lái)了深刻的行業(yè)洞見(jiàn)。
發(fā)表于 11-21 17:04
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三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將投資約100億日元,在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠。該計(jì)劃最初于2023年3月
發(fā)表于 11-20 17:57
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日本富士膠片(Fujifilm Holdings)近期宣布開(kāi)始銷售針對(duì)最先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)的材料,正式進(jìn)軍高端半導(dǎo)體材料市場(chǎng)。這些
發(fā)表于 10-31 17:12
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據(jù)韓國(guó)政府方面的最新消息透露,三星電子的越南分公司正積極探討在越南設(shè)立半導(dǎo)體組裝工廠的可能性,盡管具體的選址尚未塵埃落定,但有線索指向富士康投資活躍的北江地區(qū)附近,這一區(qū)域因其得天獨(dú)厚
發(fā)表于 08-23 15:19
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據(jù)天津經(jīng)開(kāi)區(qū)一泰達(dá)消息,近日,天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱德高化成)在天津經(jīng)開(kāi)區(qū)的施工現(xiàn)場(chǎng)打
發(fā)表于 08-01 16:25
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寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度(Eg>2.3eV)的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),使其
發(fā)表于 07-31 09:09
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評(píng)論