據(jù)悉，臺積電1nm制程將落腳嘉義科學(xué)園區(qū)，臺積電已向相關(guān)管理局提出100公頃用地需求，其中40公頃將先設(shè)立先進封裝廠，后續(xù)的60公頃將作為1nm建廠用地。業(yè)界估，臺積電1nm總投資額將逾萬億新臺幣。臺積電回應(yīng)表示，選擇設(shè)廠地點有諸多考量因素，不排除任何可能性。

1納米尺寸的芯片制造面臨著物理極限的挑戰(zhàn)，可能導(dǎo)致晶體管的性能下降甚至失效。作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要參與者之一，臺積電已經(jīng)宣布開始研發(fā)1納米工藝。然而，這項工作不僅充滿了技術(shù)挑戰(zhàn)，還伴隨著巨大的成本壓力。

從技術(shù)的角度來看，制造1納米芯片需要克服許多困難。量子隧穿現(xiàn)象是其中之一，因為當(dāng)尺寸縮小到1納米時，電子會發(fā)生量子隧穿現(xiàn)象，這會導(dǎo)致晶體管的性能受到限制。此外，納米級別的制造過程也會面臨更多的工藝控制和材料選擇挑戰(zhàn)。由于這些技術(shù)難題，制造商們需要投入大量的研發(fā)資源和資金來克服這些問題。

然而，成本是制造1納米芯片面臨的另一個巨大挑戰(zhàn)。在目前的工藝水平下，制造1納米芯片的成本可能會遠遠超過現(xiàn)有水平。外部觀察指出，1納米工藝的研發(fā)和生產(chǎn)需要巨額投資，而且成本可能會遠遠超出當(dāng)前工藝水平。報告還指出，下一代EUV光刻機的預(yù)計成本約為4億美元，比目前的1.5億美元提高了2.8倍。因此，制造商們需要找到解決高昂成本問題的方法。

盡管面臨諸多挑戰(zhàn)，實現(xiàn)1納米工藝的承諾對于未來半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要。然而，要實現(xiàn)這一目標，制造商們不僅需要克服技術(shù)難題，還需要尋找降低成本的方法。這使得半導(dǎo)體行業(yè)的未來發(fā)展充滿了挑戰(zhàn)和不確定性。臺積電去年就開始組建團隊研發(fā)1.4納米工藝，預(yù)計該工藝將于2026年問世，而1納米工藝芯片可能要到2028年才能量產(chǎn)。

審核編輯：黃飛