三星半導(dǎo)體近日宣布，已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)第二代3納米工藝SF3。這一里程碑式的事件，突顯了三星與臺(tái)積電在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的激烈競(jìng)爭(zhēng)。

SF3工藝的獨(dú)特之處在于其實(shí)現(xiàn)了在同一單元內(nèi)調(diào)整不同環(huán)柵（GAA）晶體管納米片溝道寬度。這一創(chuàng)新為芯片設(shè)計(jì)提供了更大的自由度，從而降低功耗、提升性能，并優(yōu)化晶體管密度。

三星計(jì)劃在未來(lái)六個(gè)月內(nèi)將SF3工藝的良率提升至60%以上。目前，該公司正在對(duì)使用此工藝制造的芯片進(jìn)行性能和可靠性測(cè)試。首款采用SF3工藝的芯片將是一款專(zhuān)為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的應(yīng)用處理器，預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候發(fā)布的Galaxy Watch 7等產(chǎn)品中亮相。

三星表示，他們計(jì)劃從2024年下半年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)SF3芯片。在2023年至2024年期間，三星將以3納米工藝為主，包括SF3（3GAP）和改進(jìn)版本SF3P（3GAP+）。此外，該公司還計(jì)劃在2025年至2026年推出2納米工藝節(jié)點(diǎn)。

三星在晶圓代工領(lǐng)域的突破為全球芯片產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的技術(shù)革新和競(jìng)爭(zhēng)格局。這一進(jìn)展無(wú)疑將進(jìn)一步推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，并有望為未來(lái)的電子產(chǎn)品帶來(lái)更強(qiáng)大的性能和更低的功耗。

審核編輯：黃飛