近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。

據(jù)了解，瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET芯片，以其卓越的性能特性引起了行業(yè)內(nèi)的廣泛關(guān)注。這款芯片在損耗水平上達(dá)到了業(yè)界較低的標(biāo)準(zhǔn)，其驅(qū)動電壓范圍為15V~18V，相較于傳統(tǒng)產(chǎn)品，具有更好的兼容性，能夠更好地適應(yīng)各種應(yīng)用場景的需求。

此次推出的三款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻分別為25mΩ，40mΩ和60mΩ，這一參數(shù)的優(yōu)化使得芯片在高效能轉(zhuǎn)換和節(jié)能方面表現(xiàn)出色。同時，它們采用了TO247-4封裝形式，這一封裝設(shè)計(jì)使得芯片能夠在-55°C到175°C的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，滿足了汽車等復(fù)雜環(huán)境中對功率電子元件的高要求。

值得一提的是，TO247-4封裝還具備開爾文源極引腳，這一設(shè)計(jì)能夠顯著減小柵極驅(qū)動電壓尖峰，從而提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。在新能源汽車等領(lǐng)域，這一特性尤為重要，能夠有效減少因電壓波動導(dǎo)致的系統(tǒng)故障。

業(yè)內(nèi)專家表示，瞻芯電子此次推出的第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品不僅展示了其在功率電子領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也為新能源汽車、工業(yè)電源等領(lǐng)域的發(fā)展提供了有力支持。隨著新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大和工業(yè)應(yīng)用的不斷深化，高性能、高可靠性的功率電子元件將成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素。

瞻芯電子的這一成就無疑為功率電子行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力，其產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用將進(jìn)一步推動相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級。未來，我們期待瞻芯電子能夠繼續(xù)推出更多創(chuàng)新產(chǎn)品，為行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。