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納微半導(dǎo)體將攜下一代高功率、高可靠性功率半導(dǎo)體亮相PCIM 2024

納微芯球 ? 來(lái)源:納微芯球 ? 2024-05-24 15:37 ? 次閱讀
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為快充、功率轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)能、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用,打造最安全、最高效、最可靠的功率器件的最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)即將閃耀全球頂尖的電力電子盛會(huì)

加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)誠(chéng)邀觀眾參加6月11日-13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“納微芯球”展臺(tái),親自探索下一代行業(yè)領(lǐng)先的氮化鎵和碳化硅方案如何在20W-20MW的快速增長(zhǎng)市場(chǎng)和應(yīng)用中提供卓越性能。

作為“電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)”領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)盛會(huì),PCIM今年步入第二十五個(gè)年頭,憑借著多年來(lái)持續(xù)為電力電子的行業(yè)專(zhuān)家提供國(guó)際化交流和展示平臺(tái)而享譽(yù)全球。

秉承著“Electrify Our World”的使命,納微半導(dǎo)體誠(chéng)邀觀眾探索“納微芯球”展臺(tái),了解下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)如何為電氣化交通運(yùn)輸、AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)壓縮機(jī),馬達(dá)和機(jī)器人技術(shù)、可再生能源開(kāi)發(fā)和存儲(chǔ)提供最新的解決方案。每件展品都強(qiáng)調(diào)了如便攜性提高、續(xù)航里程更長(zhǎng)、充電速度更快和電網(wǎng)獨(dú)立性等對(duì)終端用戶(hù)帶來(lái)的顯著優(yōu)勢(shì),以及低碳的氮化鎵和碳化硅技術(shù)如何在2050年實(shí)現(xiàn)每年減少超過(guò)60億噸的二氧化碳排放。

納微半導(dǎo)體歐洲區(qū)銷(xiāo)售高級(jí)總監(jiān)Alessandro Squeri

“PCIM是電力電子行業(yè)的年度大事件之一。性能互補(bǔ)的GaNFast和GeneSiC產(chǎn)品組合,結(jié)合全面的、針對(duì)特定應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計(jì)支持,通過(guò)可持續(xù)的性能優(yōu)勢(shì)有效加速客戶(hù)的產(chǎn)品上市時(shí)間。

納微展臺(tái)即將展示一批令人振奮的最新氮化鎵和碳化硅應(yīng)用,這些應(yīng)用的在研客戶(hù)價(jià)值達(dá)16億美元,是高達(dá)220億美元/年的市場(chǎng)機(jī)遇的重點(diǎn)部分。”

在PCIM 2024上,納微半導(dǎo)體帶來(lái)以下最新技術(shù):

安全、可靠的大功率旗艦GaNSafe寬禁帶平臺(tái)

創(chuàng)下集成度新高度的第四代GaNSense Half-Bridge半橋氮化鎵功率芯片

為電機(jī)驅(qū)動(dòng)和能量存儲(chǔ)應(yīng)用帶來(lái)顛覆性改變的第三代快速GeneSiC功率FETs。

同時(shí),納微半導(dǎo)體還將在PCIM 2024上帶來(lái)經(jīng)行業(yè)評(píng)審后的精彩技術(shù)分享,包括:

演講

SESSION

“Low-Cost High-Density 300 W / 20 V AC-DC Converter Enabled by GaN Power ICs”

時(shí)間與地點(diǎn):

6月11日,13:00 – 14:30,10.1廳

演講者:

Alfred Hesener,納微半導(dǎo)體工業(yè)應(yīng)用高級(jí)總監(jiān)

摘要:

該報(bào)告將分享一種300W的高功率密度、低成本AC-DC轉(zhuǎn)換器,其體積僅270cc,峰值效率> 96%。其電路拓?fù)浒ㄒ粋€(gè)兩相交錯(cuò)式PFC輸入級(jí),一個(gè)LLC DC-DC級(jí)和一個(gè)同步整流輸出級(jí)?;诘壒β市酒瓦\(yùn)行在300 kHz的通用控制器全新設(shè)計(jì),在裝殼后可實(shí)現(xiàn)1.1W/cc的功率密度。

論文

PAPER

Evaluation of SiC Devices for Over 500 kHz Application Based on Buck Circuit

時(shí)間與地點(diǎn):

6月12日,15:30 – 17:00,前廳

作者:

賈民立,納微半導(dǎo)體高級(jí)主任應(yīng)用工程師

摘要:

本文選擇了三個(gè)規(guī)格相似、制造商不同的1200V碳化硅器件進(jìn)行分析和實(shí)驗(yàn)研究,并設(shè)計(jì)了一個(gè)輸出功率為3.6kW、開(kāi)關(guān)頻率為600 kHz的降壓轉(zhuǎn)換器。在相同的工作條件下測(cè)試了這三種碳化硅器件的效率和熱,結(jié)果表明具有快速開(kāi)關(guān)特性和低熱阻的碳化硅器件更適合在高頻轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,GeneSiC 的碳化硅器件是其中的代表。

PCIM 2024將于6月11日-13日在德國(guó)紐倫堡展覽中心(Messe Karl-Sch?nleben-Str. Messeplatz 1, 90471 Nürnberg, Germany)盛大舉辦,“納微芯球”展臺(tái)位于9號(hào)館,展位號(hào)544,歡迎大家蒞臨展臺(tái)參觀交流。



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:納微半導(dǎo)體將攜下一代高功率、高可靠性功率半導(dǎo)體亮相PCIM 2024

文章出處:【微信號(hào):納微芯球,微信公眾號(hào):納微芯球】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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