一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星公布最新工藝路線圖

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2024-06-17 15:33 ? 次閱讀

來源:綜合報道

近日,三星電子在加州圣何塞的設備解決方案美國總部舉辦三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum, SFF),公布了其最新代工技術(shù)路線圖和成果。

wKgaomZv5quATHk3AAFRwF3jgqk127.jpg

以下是主要亮點:

1. **新節(jié)點和技術(shù)進展**:三星宣布了兩個新的尖端節(jié)點——SF2Z 和 SF4U。SF2Z 是一種2nm工藝,采用背面電源輸送網(wǎng)絡(BSPDN)技術(shù),這種技術(shù)將電源軌置于晶圓背面,以提高功率、性能和面積(PPA),并降低電壓降(IR降),主要面向高性能計算和人工智能應用。SF4U 則是4nm工藝的變體,通過結(jié)合光學縮小技術(shù)來提供PPA改進。

2. **超越臺積電**:三星計劃在2025年推出SF2節(jié)點(原稱為SF3P),這是一種2納米級工藝技術(shù),主要針對高性能計算和智能手機應用。這使三星在2nm級節(jié)點上正式領先于臺積電,后者計劃在2025年底開始采用N2工藝制造芯片。

wKgZomZv5quAGbD7AAEWAEa7wOY232.jpg

3. **GAA工藝的成熟與應用**:三星強調(diào)了其全環(huán)繞柵極(GAA)工藝技術(shù)的成熟度,已進入量產(chǎn)的第三年。公司計劃在今年下半年量產(chǎn)第二代3nm工藝(SF3),并計劃在即將推出的2nm工藝上采用GAA。三星表示,其GAA產(chǎn)量自2022年以來穩(wěn)步增長,并有望在未來幾年大幅增長。

4. **AI解決方案平臺**:三星還發(fā)布了AI Solution人工智能平臺,針對特定客戶的AI需求提供高性能、低功耗、高帶寬的解決方案,并計劃在2027年推出集成CPO的一站式AI解決方案。

5. **市場和業(yè)務增長**:在過去一年中,三星代工的AI銷售額增長了80%,顯示了其在市場上滿足不斷變化的需求的能力。

這些進展表明三星在芯片制造技術(shù)方面的創(chuàng)新和競爭能力,特別是在高性能計算和人工智能領域。三星的這些舉措旨在鞏固其在半導體行業(yè)的領先地位,并在未來幾年與主要競爭對手臺積電展開更激烈的競爭。

聲明:本網(wǎng)站部分文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡,轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播。 轉(zhuǎn)載文章版權(quán)歸原作者所有,如有異議,請聯(lián)系我們修改或刪除。

審核編輯 黃宇


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體工藝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    107

    瀏覽量

    26504
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    三星存儲,開始反擊!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)近日,三星電子公布了其第季度財報,顯示該公司芯片季度營業(yè)利潤達3.86萬億韓元,遠低于上一季度的6.45萬億韓元,環(huán)比爆降近40%。顯然,這一輪業(yè)績的爆降與三星
    的頭像 發(fā)表于 11-04 00:06 ?3605次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>存儲,開始反擊!

    三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

    較為激進的技術(shù)路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
    發(fā)表于 04-18 10:52

    英飛凌公布AI數(shù)據(jù)中心電池備份單元BBU路線圖,全球首款12kW系統(tǒng)在列

    3 月 21 日消息,英飛凌當?shù)貢r間本月 12 日公布了該企業(yè)面向 AI 數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)的電池備份單元路線圖,涵蓋了從 4kW 到 5.5kW 再到全球首款 12kW 的 BBU 電源解決方案
    的頭像 發(fā)表于 03-21 19:38 ?519次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>公布</b>AI數(shù)據(jù)中心電池備份單元BBU<b class='flag-5'>路線圖</b>,全球首款12kW系統(tǒng)在列

    三星與SK海力士實施NAND閃存“自然減產(chǎn)”

    據(jù)外媒最新報道,為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來,三星電子和SK海力士正積極
    的頭像 發(fā)表于 02-12 10:38 ?381次閱讀

    關(guān)于RISC-V學習路線圖推薦

    一個號的RISC-V學習路線圖可以幫助學習者系統(tǒng)地掌握RISC-V架構(gòu)的相關(guān)知識。比如以下是一個較好的RISC-V學習路線圖: 一、基礎知識準備 計算機體系結(jié)構(gòu)基礎 : 了解計算機的基本組成、指令集
    發(fā)表于 11-30 15:21

    未來10年智能傳感器怎么發(fā)展?美國發(fā)布最新MEMS路線圖

    此前,美國半導體工業(yè)協(xié)會(下文簡稱“SIA”)和美國半導體研究聯(lián)盟(下文簡稱“SRC”),聯(lián)合發(fā)布了未來10年(2023-2035)全球半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖——微電子和先進封裝技術(shù)路線圖(下文
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:39 ?2383次閱讀
    未來10年智能傳感器怎么發(fā)展?美國發(fā)布最新MEMS<b class='flag-5'>路線圖</b>

    三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

    近日,據(jù)相關(guān)報道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經(jīng)制定了未來NAND閃存的生產(chǎn)路線圖,并計劃在這一生產(chǎn)過
    的頭像 發(fā)表于 11-27 11:00 ?506次閱讀

    三星加速2nm及1.4nm制程投資

    三星正加速其在先進制程領域的投資步伐,計劃于明年第一季度在平澤一廠的“S3”代工線建成一條月產(chǎn)能達7000片晶圓的2nm生產(chǎn)線。此舉標志著三星在推進其技術(shù)路線圖方面邁出了重要一步。
    的頭像 發(fā)表于 10-11 16:09 ?548次閱讀

    三星電子計劃在2026年推出最后一代10nm級工藝1d nm

    三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露,三星計劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存,該制程將支持高達32Gb的顆粒容量,標志著內(nèi)存性能與密度的雙重飛躍。
    的頭像 發(fā)表于 09-09 17:45 ?797次閱讀

    2024學習生成式AI的最佳路線圖

    本文深入探討了2024年最佳生成式AI路線圖的細節(jié),引領我們穿越動態(tài)進展、新興趨勢以及定義這一尖端領域的變革應用。引言在日新月異的人工智能領域,生成式AI猶如創(chuàng)新的燈塔,不斷拓展創(chuàng)造力與智慧的邊界
    的頭像 發(fā)表于 07-26 08:28 ?947次閱讀
    2024學習生成式AI的最佳<b class='flag-5'>路線圖</b>

    三星電子公布2024年異構(gòu)集成路線圖,LP Wide I/O移動內(nèi)存即將面世

    7月17日,三星電子公布了其雄心勃勃的2024年異構(gòu)集成路線圖,其中一項關(guān)鍵研發(fā)成果引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注——一款名為LP Wide I/O的創(chuàng)新型移動內(nèi)存即將面世。這款內(nèi)存不僅預示著存儲技術(shù)的又一次
    的頭像 發(fā)表于 07-17 16:44 ?1661次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>電子<b class='flag-5'>公布</b>2024年異構(gòu)集成<b class='flag-5'>路線圖</b>,LP Wide I/O移動內(nèi)存即將面世

    三星展望2027年:1.4nm工藝與先進供電技術(shù)登場

    在半導體技術(shù)的競技場上,三星正全力沖刺,準備在2027年推出一系列令人矚目的創(chuàng)新。近日,三星晶圓代工部門在三星代工論壇上公布了其未來幾年的技術(shù)路線圖
    的頭像 發(fā)表于 06-21 09:30 ?568次閱讀

    三星芯片制造技術(shù)路線圖出爐,意強化AI芯片代工市場競爭力

    在科技日新月異的當下,三星電子公司作為全球領先的科技企業(yè)之一,再次展示了其在芯片制造領域的雄心壯志。6月13日,據(jù)彭博社等權(quán)威媒體報道,三星電子在其位于加州圣何塞的美國芯片總部舉辦的年度代工論壇上,公布了其最新的芯片制造技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 06-13 15:05 ?1024次閱讀

    英飛凌為AI數(shù)據(jù)中心提供先進的高能效電源裝置產(chǎn)品路線圖

    英飛凌科技股份公司已翻開AI系統(tǒng)能源供應領域的新篇章,發(fā)布了電源裝置(PSU)產(chǎn)品路線圖。該路線圖在優(yōu)先考慮能源效率前提下,專為滿足AI數(shù)據(jù)中心當前和未來的能源需求而設計。
    發(fā)表于 06-03 18:24 ?858次閱讀
    英飛凌為AI數(shù)據(jù)中心提供先進的高能效電源裝置產(chǎn)品<b class='flag-5'>路線圖</b>

    三星手機屏維修技術(shù)人員

    想招三星手機屏維修人員,電子專業(yè)畢業(yè),有電子產(chǎn)品生產(chǎn)維修經(jīng)驗2年以上,有意向到美國工作的,歡迎留言私信!
    發(fā)表于 05-20 10:47