2024年，AI技術(shù)在端側(cè)的應(yīng)用已成為主流趨勢(shì)，算力從云端下放到終端帶動(dòng)六大主要設(shè)備加速落地。包括AI智能手機(jī)、AI PC、智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能汽車、健康檢測(cè)設(shè)備以及智能安防監(jiān)控。其中智能汽車、工業(yè)領(lǐng)域的智能制造和智慧城市成為三大核心應(yīng)用場(chǎng)景。

作為領(lǐng)先的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案提供商，西部數(shù)據(jù)攜旗下針對(duì)智能網(wǎng)聯(lián)車、物聯(lián)網(wǎng)、電動(dòng)汽車以及人工智能數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的最新產(chǎn)品和解決方案參展，現(xiàn)場(chǎng)多樣化的存儲(chǔ)產(chǎn)品吸引行業(yè)人士駐足交流。



車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)芯片需求強(qiáng)勁！汽車智能化需求帶動(dòng)NAND等產(chǎn)品增長(zhǎng)

汽車正在成為新型智能終端，ADAS、動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、各類傳感器、信息娛樂和儀表顯示系統(tǒng)，以及車聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)等環(huán)節(jié)都是車載存儲(chǔ)技術(shù)的重要應(yīng)用領(lǐng)域。2024年，新能源汽車的滲透率快速上升，新能源汽車對(duì)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）、汽車事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)（EDR）的需求將為車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)的發(fā)展提供新的動(dòng)力，整體市場(chǎng)規(guī)模有望持續(xù)增長(zhǎng)。

針對(duì)新能源汽車存儲(chǔ)的市場(chǎng)需求，西部數(shù)據(jù)帶來了核心產(chǎn)品iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存盤。2024年初，憑借iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存盤，西部數(shù)據(jù)成為首批通過ASPICE CL3（等級(jí)3）的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案提供商。這款產(chǎn)品具備三大優(yōu)勢(shì)：1、讀取速度快：采用112層3D NAND技術(shù)，順序讀取速度高達(dá)1,600MB/s，順序?qū)懭胨俣雀哌_(dá)1,200MB/s；2、UFS 3.1標(biāo)準(zhǔn)接口嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器，具備適用于汽車應(yīng)用的附加功能；3、先進(jìn)的內(nèi)存管理固件功能，包含強(qiáng)大的ECC、讀取刷新、磨損平衡和壞塊管理功能。



從應(yīng)用領(lǐng)域來看，由于UFS的整體性能高于上一代產(chǎn)品e.MMC，西部數(shù)據(jù)車規(guī)級(jí)UFS產(chǎn)品可以被廣泛應(yīng)用于ADAS和車載信息娛樂系統(tǒng)。

據(jù)悉，西部數(shù)據(jù)憑借iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存盤獲得了此次2024第二十四屆“IOTE金獎(jiǎng)”創(chuàng)新產(chǎn)品。

引領(lǐng)物聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)創(chuàng)新，先進(jìn)技術(shù)賦能多個(gè)行業(yè)

GSMA預(yù)測(cè)，2025年全球工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)將達(dá)138億，中國(guó)將達(dá)41億，約為全球1/3。智能工廠帶動(dòng)的工業(yè)智能終端加速落地，帶來了豐富的工業(yè)存儲(chǔ)應(yīng)用。工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)應(yīng)用場(chǎng)景廣泛，涉及機(jī)械生產(chǎn)、醫(yī)療衛(wèi)生、電力、食品、交通、運(yùn)輸?shù)雀鱾€(gè)領(lǐng)域，使用條件相對(duì)更為嚴(yán)苛。


此次展會(huì)上，西部數(shù)據(jù)帶來了專為工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)產(chǎn)品。如iNAND IX EU312 UFS EFD和iNAND IX EM132嵌入式閃存盤等。前者基于先進(jìn)的3D NAND，將UFS的高性能及工業(yè)級(jí)的高耐久性和大容量用于終端攝像頭和智慧視頻應(yīng)用，支持高頻讀寫使用，包括AI視頻攝像機(jī)和邊緣設(shè)備。設(shè)備支持最高可達(dá)768TBW（256GB版本），耐久性強(qiáng)大，可滿足密集的讀寫要求。

后者iNAND IX EM132嵌入式閃存盤則是西部數(shù)據(jù)首款專為工業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備設(shè)計(jì)的3D NAND e.MMC，其中搭載了西部數(shù)據(jù)的高可靠性64層3D NAND閃存。該產(chǎn)品有兩種版本的寬溫范圍，分別是-25°C至+ 85°C以及-40°C至85°C。與2D NAND e.MMC產(chǎn)品相比，西部數(shù)據(jù)iNAND IX EM132嵌入式閃存盤擁有更長(zhǎng)的使用壽命，適用于包括工業(yè)控制、運(yùn)輸和醫(yī)療在內(nèi)的多種嚴(yán)苛應(yīng)用場(chǎng)景。

從智算中心到邊緣，西部數(shù)據(jù)旗艦產(chǎn)品助力應(yīng)用落地

在IOTE 2024上，西部數(shù)據(jù)展示了旗下首款企業(yè)級(jí)PCIe Gen 5.0解決方案——西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN861NVMe SSD。



這款產(chǎn)品通過顯著增強(qiáng)的隨機(jī)讀取性能與優(yōu)化的能耗效率，Ultrastar DC SN861 NVMe SSD能夠完美處理大語言模型訓(xùn)練、推理及實(shí)時(shí)AI服務(wù)部署等復(fù)雜任務(wù)。該產(chǎn)品擁有高達(dá)16TB的存儲(chǔ)容量，隨機(jī)讀取性能相比上一代產(chǎn)品提升約3倍，為處理海量數(shù)據(jù)集等應(yīng)用場(chǎng)景提供了速度優(yōu)勢(shì)。值得關(guān)注的是，Ultrastar DC SN861在能耗管理方面表現(xiàn)出色，以更低的能耗提供更高的每瓦特IOPS（IOPS/Watt），有助于企業(yè)進(jìn)一步降低TCO。

在萬物互聯(lián)和人工智能時(shí)代，數(shù)量龐大的互聯(lián)設(shè)備所產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)正在給存儲(chǔ)提出更加嚴(yán)苛的要求。西部數(shù)據(jù)此次展示了新一代車規(guī)級(jí)UFS 3.1存儲(chǔ)解決方案，和針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心廠商推理需求的Ultrastar DC SN861NVMe SSD等前沿產(chǎn)品。我們相信西部數(shù)據(jù)憑借豐富的存儲(chǔ)解決方案可以助力各領(lǐng)域的合作伙伴邁向存儲(chǔ)的新高度。