隨著消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度和穩(wěn)定性要求的提高，各大制造廠商對(duì)各個(gè)接口的靜電防護(hù)產(chǎn)生更高需求。靜電對(duì)于電子產(chǎn)品/設(shè)備可能造成的危害有：

電子設(shè)備損壞：靜電放電/浪涌可能會(huì)引起瞬時(shí)高電壓，超過主控芯片或電路的承受范圍，導(dǎo)致高速接口或電路板損壞，使設(shè)備無法正常工作。

數(shù)據(jù)丟失或損壞：靜電放電/浪涌可能干擾信號(hào)的傳輸，導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤或丟失，影響產(chǎn)品/設(shè)備的功能和性能。

因此，為了保護(hù)電子產(chǎn)品的功能完整性免受浪涌靜電的破壞，使用靜電浪涌抑制器（ESD, Electro-Static discharge）或瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressors，TVS）等防護(hù)器件變得至關(guān)重要。

晶選防護(hù)方案 TT0374SP-HFx

晶揚(yáng)電子針對(duì)高速信號(hào)傳輸接口（如用于USB3.1、USB3.2、Thunderbolt、HDMI2.0等信號(hào)線的保護(hù)）免受靜電放電/浪涌的損壞推出ESD新品TT0374SP-HFx，產(chǎn)品具有以下優(yōu)勢(shì)：

1、為確保通過高速信號(hào)數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐暾?，新品具有超?a href="http://www.www27dydycom.cn/tags/電容/" target="_blank">電容（VR=0V，f = 1MHz：IO-GND容值低至0.26 pF）。

2、采用我司獨(dú)有的深回滯前沿專利技術(shù)，新品具有較低的鉗位電壓（8/20μs測(cè)試波形：IPP=7A，Vc=6.6 V），相比普通的無回滯和淺回滯器件，深回滯器件能為電路提供更好的保護(hù)性能。

3、具有較高的ESD耐受能力，能承受IEC 61000-4-2測(cè)試的14kV接觸放電和15kV空氣放電的ESD沖擊。

4、外形小巧，具有四通路的集成陣列式DFN2510封裝，可最大限度地減少在PCB上所占用的空間，且成本更低。

（晶揚(yáng)晶選靜電防護(hù)方案）

用于信號(hào)和電源防護(hù)的ESD性能參數(shù)表

（眼圖測(cè)試曲線）

LAYOUT設(shè)計(jì)時(shí)的注意事項(xiàng)：

將ESD保護(hù)器件盡可能靠近I/O連接器放置，以減少ESD接地路徑，提高保護(hù)性能。

PCB布線盡可能走圓角或45度角，避免直角走線，以避免不必要的反射。

保持差分?jǐn)?shù)據(jù)通道的正線和負(fù)線之間的走線長(zhǎng)度相等，以避免共模噪聲的產(chǎn)生和阻抗失配。