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嵌入式板級封裝在高壓應(yīng)用中的新挑戰(zhàn)—微區(qū)缺陷造成的局部放電

廣電計(jì)量 ? 2025-01-10 15:31 ? 次閱讀

嵌入式板級封裝

汽車電驅(qū)系統(tǒng)正在朝著更高電壓(1200V)、更高集成度不斷發(fā)展。高集成度特別是“嵌入式板級封裝(Embedded Die Substrate Package)”帶來了傳統(tǒng)封裝無可比擬的優(yōu)勢:更小體積、更優(yōu)散熱、更優(yōu)電氣性能(低感、低阻)、更高可靠性。

新型封裝面對新的挑戰(zhàn):局部放電

與此同時(shí),高度集成及更高電壓的應(yīng)用,為上述新型封裝絕緣特性帶來了新的挑戰(zhàn):局部放電。它是由于不同封裝材料在交接界面處出現(xiàn)了邊緣終止,同時(shí)切換為不同介電特性的其他材料,造成了交界面處電場的高度集中,特別是在封裝內(nèi)部絕緣系統(tǒng)出現(xiàn)微觀局部缺陷(氣泡、裂紋、雜質(zhì)等)的位置。局部放電的發(fā)生促使芯片周圍封裝材料進(jìn)一步放電碳化,嚴(yán)重時(shí)高電場瞬時(shí)能量的釋放甚至損傷包覆性差的芯片邊緣。

Pengyu Fu等人通過電場分布的仿真工作,證實(shí)了以上局放的發(fā)生機(jī)理及放電易發(fā)生位置。

廣電計(jì)量解決方案

廣電計(jì)量在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步研究驗(yàn)證了1200V SiC芯片封裝在嵌入式板級結(jié)構(gòu)中發(fā)生局部放電的現(xiàn)象。

通過深入研究,我們驗(yàn)證了局部放電測試同時(shí)搭配破壞性物理分析可以作為檢查此類特殊封裝結(jié)構(gòu)是否存在微觀缺陷的有效分析手段。

實(shí)際測試結(jié)果不但印證了上述電場仿真所明確的典型失效位置、形貌,并且還進(jìn)一步明確了芯片周圍存在封裝空洞缺陷所導(dǎo)致的典型失效模式。

面對汽車電驅(qū)系統(tǒng)的更高集成化、更高電壓應(yīng)用,新的封裝形式不斷面對新的可靠性問題。廣電計(jì)量先進(jìn)封裝分析中心積極布局技術(shù)前沿,在功率封裝、2.5D等先進(jìn)封裝領(lǐng)域積累了豐富的分析經(jīng)驗(yàn)。同時(shí)緊貼客戶研發(fā)一線,深入合作開展一系列非標(biāo)分析驗(yàn)證工作。

廣電計(jì)量半導(dǎo)體服務(wù)優(yōu)勢

? 工業(yè)和信息化部“面向集成電路、芯片產(chǎn)業(yè)的公共服務(wù)平臺”。

?工業(yè)和信息化部“面向制造業(yè)的傳感器等關(guān)鍵元器件創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化公共服務(wù)平臺”。

?國家發(fā)展和改革委員會“導(dǎo)航產(chǎn)品板級組件質(zhì)量檢測公共服務(wù)平臺”。

?廣東省工業(yè)和信息化廳“汽車芯片檢測公共服務(wù)平臺”。

?江蘇省發(fā)展和改革委員會“第三代半導(dǎo)體器件性能測試與材料分析工程研究中心”。

?上海市科學(xué)技術(shù)委員會“大規(guī)模集成電路分析測試平臺”。

?在集成電路及SiC領(lǐng)域是技術(shù)能力最全面、知名度最高的第三方檢測機(jī)構(gòu)之一,已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百個型號的芯片驗(yàn)證,并支持完成多款型號芯片的工程化和量產(chǎn)。

?在車規(guī)領(lǐng)域擁有AEC-Q及AQG324全套服務(wù)能力,獲得了近50家車廠的認(rèn)可,出具近400份AEC-Q及AQG324報(bào)告,助力100多款車規(guī)元器件量產(chǎn)。

?在衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,獲委任為空間環(huán)境地面模擬裝置用戶委員會委員單位,建設(shè)了行業(yè)領(lǐng)先的射頻高精度集成電路檢測能力,致力成為北斗導(dǎo)航芯片工程化量產(chǎn)測試的領(lǐng)航者。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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