電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）2025年1月在CES展上，存儲大廠紛紛秀肌肉，而他們無一例外地展示了其存儲之于AI應(yīng)用的實力。SK海力士、三星、美光等廠商帶來了最新的技術(shù)和產(chǎn)品，他們引領(lǐng)著AI存儲新的方向。

SK海力士

SK海力士在CES展上展示了公司在推動人工智能時代進(jìn)步方面所推出的變革性存儲器產(chǎn)品。包括SK海力士的HBM、服務(wù)器DRAM、eSSD、CXL及PIM產(chǎn)品。

作為領(lǐng)先的HBM供應(yīng)商，SK海力士公開了16層HBM3E樣品。這是全球容量最大的HBM產(chǎn)品，48GB 16層HBM3E專門針對人工智能學(xué)習(xí)和推理進(jìn)行了優(yōu)化。目前，該產(chǎn)品仍處于開發(fā)階段。此外，還有DDR5 RDIMM和MCR DIMM，這兩款高速服務(wù)器DRAM模塊是專為數(shù)據(jù)中心環(huán)境量身定制的，能夠提供快速的數(shù)據(jù)處理能力和大容量內(nèi)存支持。

圖源：SK海力士

隨著數(shù)據(jù)存儲在人工智能領(lǐng)域的重要性日益凸顯，SK海力士特別展示了其創(chuàng)新的eSSD解決方案，包括PS1010、PEB110和PE9010。這些產(chǎn)品專為數(shù)據(jù)中心量身定制，具備應(yīng)對人工智能應(yīng)用所產(chǎn)生的大規(guī)模數(shù)據(jù)所需的卓越可靠性與快速的讀寫速度。

圖源：SK海力士

此外，SK海力士還展示了其前沿的CXL技術(shù)，如CMM-DDR5和CMM-Ax，這些技術(shù)正在引領(lǐng)內(nèi)存接口的發(fā)展趨勢，以提升人工智能系統(tǒng)的靈活性與可擴(kuò)展性。與此同時，還展出了PIM解決方案，包括GDDR6-AiM和AiMX，這是一種高速且低功耗的加速卡，能夠執(zhí)行復(fù)雜計算功能，從而徹底革新人工智能環(huán)境中的數(shù)據(jù)處理效率。

同時，SK海力士還展示了其端側(cè)AI解決方案，以彰顯其產(chǎn)品在人工智能服務(wù)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。這些創(chuàng)新產(chǎn)品包括LPCAMM2、移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0，以及業(yè)界領(lǐng)先的用于端側(cè)AI PC的最高性能固態(tài)硬盤PCB01。通過這一系列展示，SK海力士強(qiáng)調(diào)了這些技術(shù)如何憑借卓越的能效實現(xiàn)極致性能，為從移動AI到消費(fèi)電子等多元化應(yīng)用提供強(qiáng)有力的支持。

三星

在拉斯維加斯舉行的CES 2025展上，三星展示全系列以人工智能驅(qū)動的智能產(chǎn)品，這些產(chǎn)品已被重新構(gòu)想，以塑造一個更可持續(xù)和更易于訪問的世界，連接最好的技術(shù)和生活方式。早前，其10.7Gbps LPDDR5X DRAM產(chǎn)品獲得了2025年CES創(chuàng)新獎。

三星開發(fā)出的業(yè)界首款12納米級LPDDR5X DRAM，支持高達(dá)10.7Gbps的業(yè)界最快速度。LPDDR5X具有高性能和業(yè)界最小的芯片尺寸，針對下一代端側(cè)AI應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。三星存儲器產(chǎn)品策劃團(tuán)隊項目負(fù)責(zé)人JunYoung Lee和首席工程師JinSuk Chung對LPDDR5X的技術(shù)特點進(jìn)行了解讀。

LPDDR5X是一種針對智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等需要高性能的端側(cè)AI優(yōu)化的內(nèi)存解決方案。設(shè)計關(guān)鍵是創(chuàng)造一種具有較低的耗電量及提供增強(qiáng)性能的薄型芯片。LPDDR5X通過從策劃到設(shè)計、工藝、PKG技術(shù)等與各開發(fā)部門的合作，實現(xiàn)了業(yè)界最快的10.7Gbps速度和業(yè)界最薄的0.65mm厚度。

為了實現(xiàn)業(yè)界最快的10.7Gbps速度，必須確保高速數(shù)據(jù)傳輸輸入輸出電路的性能。 此外，它還利用了降低內(nèi)部運(yùn)行電壓的設(shè)計技術(shù)，實現(xiàn)高速運(yùn)行的同時保持低功耗。

三星的F-DVFS（全動態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)）技術(shù)，是通過在特定的周期間隔內(nèi)，將實際數(shù)據(jù)路徑中使用的電壓降低到某個水平以下，來降低信號傳輸所涉及的功耗。 三星的F-DVFS技術(shù)擴(kuò)展了此功能，允許在從最小周期到最大周期的整個范圍內(nèi)調(diào)整電壓。這種靈活性使其更容易根據(jù)運(yùn)行速度改變電壓，從而最大限度地降低功耗，延長電池壽命。

圖源：三星半導(dǎo)體

三星的LPDDR5X是業(yè)界最薄的12nm級DRAM。為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，將兩個芯片結(jié)合為一個單元，形成四個單元的內(nèi)聚系統(tǒng)，并通過更改保護(hù)半導(dǎo)體電路的電路保護(hù)材料——EMC（環(huán)氧樹脂模塑料）來進(jìn)行優(yōu)化。 最后，背面打磨技術(shù)的開發(fā)至關(guān)重要，該技術(shù)通過拋光晶圓背面來保持操作特性和可靠性，同時減少晶圓厚度。

圖源：三星半導(dǎo)體

為了進(jìn)行開發(fā)和驗證，與客戶合作是至關(guān)重要的。三星半導(dǎo)體內(nèi)部，特別是負(fù)責(zé)低功耗高性能產(chǎn)品設(shè)計的DRAM設(shè)計團(tuán)隊，以及為了打造更薄的LPDDR5X而進(jìn)行不懈研發(fā)的PKG開發(fā)團(tuán)隊之間的合作協(xié)同效應(yīng)是非常大的。從內(nèi)部到整個行業(yè)的協(xié)作貫穿于開發(fā)過程中，最終促使了我們的成功，得到CES創(chuàng)新獎。

隨著智能手機(jī)市場對可折疊產(chǎn)品的需求不斷增加，消費(fèi)者正在尋找更纖薄的設(shè)備。為了減小設(shè)備的厚度，必須減小每個組件的厚度。當(dāng)組件的厚度減小時，設(shè)備內(nèi)部的氣流空間得以增加，從而更容易管理熱量。這使得智能手機(jī)能夠在不受因升溫帶來性能限制的情況下進(jìn)行高性能操作，如游戲。

圖源：三星半導(dǎo)體

三星專家表示，隨著人工智能的進(jìn)步，運(yùn)行大規(guī)模服務(wù)器的數(shù)據(jù)中心市場正在增長，能效正成為一個關(guān)鍵問題。很多人一想到AI內(nèi)存技術(shù)就會想到HBM。然而，市場上除了像HBM這種不計功耗、要求最高性能的產(chǎn)品外，對像LPDDR這種在低功耗下也能達(dá)到一定性能水平的產(chǎn)品的需求也日益增長。對于替代現(xiàn)有DDR模塊的LP模塊產(chǎn)品（LPCAMM、SOCAMM等）來說也是如此。

與DDR相比，LPDDR在能效和高性能操作方面具有優(yōu)勢，因此使用LPDDR的需求日益增長。 此外，LPDDR在個人電腦中的應(yīng)用也在增加，并且由于電動汽車和自動駕駛的普及，Auto LPDDR5X在汽車市場的使用也在增加。

三星電子正在積極開發(fā)2026年下一代解決方案LPDDR6。與LPDDR5X相比，LPDDR6將在性能和能效方面進(jìn)一步升級。另外，LPCAMM、SOCAMM等模塊型產(chǎn)品目前正在與客戶公司進(jìn)行驗證，正在準(zhǔn)備開發(fā)高性能、低功耗DRAM技術(shù)，如通過增加數(shù)據(jù)輸入輸出數(shù)量來確保高帶寬的LPW，以及增加計算功能的LP-PIM。 預(yù)計這將超越端側(cè)AI，擴(kuò)展到更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

美光

美光科技在2025CES期間宣布擴(kuò)大其Crucial消費(fèi)者內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合，包括推出高速CrucialP510 SSD，并擴(kuò)大其現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品組合中的密度和外形選項，以提供更廣泛的選擇和靈活性給消費(fèi)者。P510具有高達(dá)11,000/9,550兆字節(jié)每秒(MB/s)的讀寫速度，為大眾帶來了驚人的Gen5性能。

圖源：美光科技

新的SSD產(chǎn)品P510專為筆記本電腦和臺式機(jī)設(shè)計，采用全新、更省電的架構(gòu)，比之前CrucialGen5 固態(tài)硬盤省電25%，以支持更長的電池壽命。

其快速的讀寫速度使用戶能夠最大限度地提高生產(chǎn)力，并從游戲到創(chuàng)意應(yīng)用，享受更流暢、更沉浸式的體驗。這款SSD提供1TB和2TB容量選項，帶有集成散熱片。P510還提供了單面設(shè)計，易于安裝，即使在支持Gen5的較新筆記本電腦中也是如此。

Crucial系列還推出了帶有散熱片的 Crucial P310 2280 SSD。集成的散熱片設(shè)計用于與 PlavStation5配合使用，但也可以用于臺式機(jī)，為桌面游戲玩家和創(chuàng)作者提供無限制的卓越性能。該 SSD 的讀取速度為 7,100 MB/S，提供快速、可靠且經(jīng)濟(jì)高效的存儲和容量。

小結(jié)：

眼下存儲廠商除了在高帶寬內(nèi)存HBM上競爭激烈、加速HBM4的研發(fā)和量產(chǎn)之外，高速、低功耗的存儲產(chǎn)品在AI應(yīng)用爆發(fā)的時代更加不可或缺，高性能的存儲產(chǎn)品對于AI數(shù)據(jù)處理、存儲效能至關(guān)重要，這將推動存儲技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新。