問題

調(diào)試時在代碼中對Flash進行寫操作時（比如Bootloader對Code Flash進行升級操作，Application對Data Flash進行寫操作），Memory窗口中Flash內(nèi)容不更新。

原因

正常情況下，F(xiàn)lash對應(yīng)Memory區(qū)域在ddf(device description file)文件中的AccType是R，表示調(diào)試器對Flash只讀，不能修改Flash的內(nèi)容：

Memory Configuration窗口中（Memory Configuration窗口可以通過對應(yīng)的仿真器 > Memory Configuration打開）Flash默認Type是Read only,，對應(yīng)的Cache Type是ROM/Flash:

對于Cache Type是ROM/Flash的Memory區(qū)域，調(diào)試器會認為對應(yīng)Memory區(qū)域的值在調(diào)試過程中不會改變，所以調(diào)試器在調(diào)試過程中不會去更新對應(yīng)Memory區(qū)域的值，導(dǎo)致即使對應(yīng)Memory區(qū)域的值實際已經(jīng)更新了，但是Memory窗口中的值卻沒有更新：

解決辦法

前面介紹了造成調(diào)試時Memory窗口中內(nèi)容不更新的原因是因為對應(yīng)Memory區(qū)域的Cache Type是ROM/Flash，而Cache Type是ROM/Flash是因為ddf文件里面對應(yīng)Memory區(qū)域的AccType是R，下面介紹對應(yīng)的解決方法：

1.Disable Debugger Cache

使能Disable Debugger Cache（Disable Debugger Cache菜單可以通過對應(yīng)的仿真器 > Disable Debugger Cache使能）之后，調(diào)試器將不會使用cache，所有的訪問都會映射到目標系統(tǒng)：

2. 修改Flash對應(yīng)Memory區(qū)域的Cache Type為RAM

需要在Memory Configuration窗口中將對應(yīng)Flash對應(yīng)Memory區(qū)域的Cache Type改成RAM（選中對應(yīng)Memory區(qū)域，點擊Edit，在Edit Memory Range窗口中選擇Cache Type為RAM），這樣調(diào)試器就會認為對應(yīng)Memory區(qū)域的值在調(diào)試過程中會改變，從而會去讀取目標系統(tǒng)對應(yīng)Memory區(qū)域，在Memory窗口中更新對應(yīng)Memory區(qū)域的值：

3. 修改ddf文件中Flash對應(yīng)Memory區(qū)域的AccType為RW

在IAR安裝目錄armconfigdebugger下找到對應(yīng)ddf文件，然后修改Flash對應(yīng)Memory區(qū)域的AccType為RW。修改之后重新打開IDE，對應(yīng)Memory Configuration窗口會加載更新的ddf文件：