今日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應(yīng)用場景的理想之選。

GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash采用24nm工藝節(jié)點，支持內(nèi)置8bit ECC、3V和1.8V兩種工作電壓，以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多種高速讀取模式，為用戶提供多種組合設(shè)計方案。與傳統(tǒng)SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在ECC設(shè)計上摒棄了原有的串行計算方式，實現(xiàn)復(fù)雜ECC算法的并行計算，這極大地縮短了內(nèi)置ECC的計算時間。該系列3V產(chǎn)品最高時鐘頻率為166MHz，在Continuous Read模式下可達83MB/s連續(xù)讀取速率；1.8V產(chǎn)品最高時鐘頻率為133MHz，在Continuous Read模式下可達66MB/s連續(xù)讀取速率。這意味著在同頻率下，GD5F1GM9系列的讀取速度可達到傳統(tǒng)SPI NAND產(chǎn)品的2~3倍，該設(shè)計優(yōu)勢可有效提高器件的數(shù)據(jù)訪問效率，顯著縮短系統(tǒng)啟動時間，進一步降低系統(tǒng)功耗。

為了解決傳統(tǒng)NAND Flash的壞塊難題，GD5F1GM9系列引入了先進的壞塊管理（BBM）功能。該功能允許用戶通過改變物理塊地址和邏輯塊地址的映射關(guān)系，從而有效應(yīng)對出廠壞塊和使用過程中新增壞塊的挑戰(zhàn)。一方面，傳統(tǒng)NAND Flash在出廠時可能存在隨機分布的壞塊，若這些壞塊出現(xiàn)在前部代碼區(qū)，將導(dǎo)致NAND Flash無法正常使用。而GD5F1GM9系列通過壞塊管理（BBM）功能，可確保前256個Block均為出廠好塊，進而保障代碼區(qū)的穩(wěn)定性。另一方面，在使用過程中，NAND Flash可能出現(xiàn)新增壞塊，傳統(tǒng)解決方案需要預(yù)留大量冗余Block用于不同分區(qū)的壞塊替換，造成嚴(yán)重的資源浪費。GD5F1GM9系列的壞塊管理（BBM）功能允許用戶重新映射邏輯地址和物理地址，使損壞的壞塊地址重新可用，并且僅需預(yù)留最小限度的冗余Block，該功能不僅顯著提高了資源利用率，還有效簡化了系統(tǒng)設(shè)計。

“目前，SPI NAND Flash的讀取速度普遍較慢，已成為制約終端產(chǎn)品性能提升的重要瓶頸”，兆易創(chuàng)新副總裁、存儲事業(yè)部總經(jīng)理蘇如偉表示，“GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash的推出，為市場中樹立了新的性能標(biāo)桿，該系列不僅有效彌補了傳統(tǒng)SPI NAND Flash在讀取速度上的不足，并為壞塊管理提供了新的解決方案，可成為NOR Flash用戶在擴容需求下的理想替代選擇。未來，兆易創(chuàng)新還將持續(xù)打磨底層技術(shù)，為客戶提供更高效、更可靠的存儲方案。”

目前，兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列可提供1Gb容量、3V/1.8V兩種電壓選擇，并支持WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24（5×5 ball array）5x5ball封裝選項。如需了解詳細(xì)信息及產(chǎn)品定價，請聯(lián)系當(dāng)?shù)劁N售代表。