在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域中，經(jīng)驗(yàn)的積累往往決定了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。若是電子新人了解到一些實(shí)用的設(shè)計(jì)技巧，電源設(shè)計(jì)將事半功倍。下面將總結(jié)大佬的14條電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，以此提供參考和指導(dǎo)。

1電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)

肖特基散熱片連接：肖特基的散熱片可以直接接到輸出正極線路，從而省去絕緣墊和絕緣粒的使用。

RCD吸收元件選擇：對(duì)于15W以上功率的電路，避免使用XX4007作為RCD吸收元件，因其速度慢、壓降大，易導(dǎo)致高溫失效。

輸出濾波電容耐壓：輸出濾波電容的耐壓值應(yīng)至少符合1.2倍余量，以避免量產(chǎn)中的損壞現(xiàn)象。

臥式電容跳線布置：大電容或其他電容做成臥式時(shí)，底部如有跳線應(yīng)放在負(fù)極電位，以節(jié)省成本并避免使用套管。

元件承認(rèn)書(shū)描述：整流橋堆、二極管或肖特基等晶元大小元件，在承認(rèn)書(shū)或BOM表中需明確描述，以管控供應(yīng)商送貨一致性。

Snubber電容選擇：為處理異音問(wèn)題，Snubber電容優(yōu)先使用Mylar電容。

啟動(dòng)電阻保護(hù)：?jiǎn)?dòng)電阻如使用在整流前，需串聯(lián)一顆幾百K的電阻，以防電阻短路時(shí)損壞IC和MOSFET。

高壓大電容并聯(lián)：高壓大電容并聯(lián)一顆103P瓷片電容，對(duì)輻射30-60MHz有抑制作用，有助于EMI整改。

Y電容容量限制：使用的Y電容總?cè)萘坎荒艹^(guò)222P，以避免漏電流影響，設(shè)計(jì)時(shí)需特別留意安規(guī)要求。

2電路調(diào)試經(jīng)驗(yàn)

冷機(jī)啟動(dòng)電流：冷機(jī)時(shí)，PSR需1.15倍電流能開(kāi)機(jī)，SSR需1.3倍電流能開(kāi)機(jī)，以確保老化后啟動(dòng)良好。

異常測(cè)試：短路或開(kāi)路某個(gè)元件后，如仍有輸出電壓，則需進(jìn)行LPS測(cè)試，過(guò)流點(diǎn)不能超過(guò)8A。

3安規(guī)與測(cè)試經(jīng)驗(yàn)

安規(guī)開(kāi)殼樣機(jī)準(zhǔn)備：安規(guī)開(kāi)殼樣機(jī)所有可選插件元件需裝上供拍照用，L、N線和DC線與PCB需點(diǎn)白膠固定。

EMS項(xiàng)目測(cè)試：進(jìn)行EMS項(xiàng)目測(cè)試時(shí)，需測(cè)試至產(chǎn)品損壞為止，如ESD雷擊等，并記錄產(chǎn)品余量。

4變壓器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

變壓器B值控制：反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，變壓器B值需小于3500高斯，以避免磁飽和導(dǎo)致的動(dòng)作失控。需確認(rèn)過(guò)流點(diǎn)、開(kāi)機(jī)瞬間、輸出短路、高溫、高低壓等狀態(tài)下的磁飽和情況。

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