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資料分享!瑞芯微RK3506(3核A7@1.5GHz+雙網(wǎng)口+雙CAN-FD)工業(yè)核心板硬件說(shuō)明書

Tronlong創(chuàng)龍科技 ? 來(lái)源:Tronlong創(chuàng)龍科技 ? 作者:Tronlong創(chuàng)龍科技 ? 2025-04-25 11:27 ? 次閱讀

前 言

本文為創(chuàng)龍科技SOM-TL3506工業(yè)核心板硬件說(shuō)明書,主要提供SOM-TL3506工業(yè)核心板的產(chǎn)品功能特點(diǎn)、技術(shù)參數(shù)、引腳定義等內(nèi)容,以及為用戶提供相關(guān)電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。 為便于閱讀,下表對(duì)文檔出現(xiàn)的部分術(shù)語(yǔ)進(jìn)行解釋;對(duì)于廣泛認(rèn)同釋義的術(shù)語(yǔ),在此不做注釋。

wKgZPGgK-5iAClZkAAHyCozqk9g627.png

硬件參考資料目錄如下表所示:

wKgZO2gK-6SAPsK1AAITJvEgHsU693.png

硬件資源

SOM-TL3506核心板板載CPU、ROM、RAM、晶振、電源、LED等硬件資源,并通過(guò)郵票孔連接方式引出IO。

wKgZPGf1xICAfW86AB6DRfy49Dk677.png

圖 1 核心板硬件框圖

wKgZO2gK-8yAECh1AJJrwrcq3g0403.png

圖 2 核心板正面實(shí)物圖

wKgZPGgK--KATqlVAFbg3euQQtc954.png

圖 3 核心板背面實(shí)物圖

CPU

核心板CPU型號(hào)兼容RK3506J和RK3506B,兩者均采用WBBGA333L封裝,引腳數(shù)量為333個(gè),尺寸為11.3mm*13.3mm。RK3506J為工業(yè)級(jí),工作溫度范圍為-40°C~85°C;RK3506B為寬溫級(jí),工作溫度范圍為-20°C~70°C。

CPU主要架構(gòu)如下:

wKgZO2gK_GGAeGhRAAEaBh8gP-M260.png

wKgZPGf1xImAY53XAAIXNe6eaAY378.png

圖 4 RK3506處理器功能框圖

ROM

NAND FLASH

核心板通過(guò)FSPI接口連接1片NAND FLASH芯片,型號(hào)為深圳市江波龍電子股份有限公司(Longsys)的F35SQA002G-WWT,8-WSON封裝,尺寸為6mm*8mm。F35SQA002G-WWT為工業(yè)級(jí),工作溫度范圍為-40°C~85°C,顆粒類型為SLC,容量為256MByte。

eMMC

核心板通過(guò)CPU的SDMMC接口連接1片eMMC芯片,采用4bit數(shù)據(jù)線,兼容如下eMMC配置。

wKgZPGgK_H6AL7YrAAD18hbTCBg549.png

備注:元器件實(shí)際工作溫度范圍請(qǐng)以官方數(shù)據(jù)手冊(cè)為準(zhǔn)。

eMMC使用壽命受限于可循環(huán)擦寫次數(shù)(P/E),程序固化、升級(jí)、信息保存以及刪除都將加快eMMC的損耗。損耗嚴(yán)重將可能導(dǎo)致區(qū)塊徹底失效、數(shù)據(jù)損壞,從而使設(shè)備無(wú)法正常啟動(dòng)。

建議采取如下方案,以延長(zhǎng)eMMC使用壽命:

(1) 數(shù)據(jù)寫入優(yōu)化:建立緩存機(jī)制,零散數(shù)據(jù)累計(jì)達(dá)到一定大小之后,再進(jìn)行批量寫入,從而減少eMMC擦寫次數(shù)。

(2) 存儲(chǔ)方案調(diào)整:通過(guò)外置存儲(chǔ)設(shè)備(例如SD卡、NVMe硬盤等)分流用戶數(shù)據(jù),從而減少eMMC擦寫次數(shù)。

RAM

核心板通過(guò)CPU的專用DDR3總線連接1片DDR3,采用16bit數(shù)據(jù)線。DDR3兼容型號(hào)有如下表所示,支持DDR3-1500工作模式(750MHz)。

wKgZO2gK_KSAfExMAACQ3V-1oOE791.png

備注:元器件實(shí)際工作溫度范圍請(qǐng)以官方數(shù)據(jù)手冊(cè)為準(zhǔn)。

晶振

核心板采用1個(gè)工業(yè)級(jí)無(wú)源晶振Y1。Y1晶振時(shí)鐘頻率為24MHz,為CPU提供系統(tǒng)時(shí)鐘源。

電源

核心板采用分立電源供電設(shè)計(jì),所選的DCDC、LDO電源芯片均滿足工業(yè)級(jí)環(huán)境使用要求。電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)滿足系統(tǒng)的供電要求和CPU上電、掉電時(shí)序要求,核心板采用5.0V直流電源供電。

LED

核心板板載2個(gè)LED,其中LED1為電源指示燈,默認(rèn)上電時(shí)點(diǎn)亮。LED2為用戶可編程指示燈,對(duì)應(yīng)GPIO0_A5_d引腳,高電平點(diǎn)亮。

wKgZO2gK_MKAGHP2AEC-3kxH-bQ798.png

圖 5 核心板LED實(shí)物圖

wKgZO2gLATqAEok0AAADovagVdE409.png

wKgZPGgK_MuAaBVgAAADt1auACE604.png

圖 6 電源指示燈原理圖

wKgZO2gK_MuAFHO8AAAEr2R60Po520.png

圖 7 用戶可編程指示燈原理圖

外設(shè)資源

核心板引出CPU主要外設(shè)資源及性能參數(shù)如下表所示。

wKgZPGgK_QWACYD2AAkUsJo3USs779.png

備注:部分引腳資源存在復(fù)用關(guān)系。

引腳說(shuō)明

引腳排列

核心板郵票孔引腳采用2x 30pin + 2x 40pin,共140pin規(guī)格,引腳排列如下圖所示。

wKgZO2gK_RuADPztAHnfIjc-iRU342.png

圖8

引腳定義

核心板引腳定義如下表,其中表格中的“列標(biāo)題”說(shuō)明如下。

(1) “核心板封裝”為核心板郵票孔;

(2) “核心板引腳號(hào)”為核心板郵票孔封裝引腳序列號(hào);

(3) “芯片引腳號(hào)”為CPU引腳序列號(hào); 備注:“芯片引腳號(hào)”為"-"表示該引腳信號(hào)未連接至CPU引腳。

(4) “芯片引腳名稱”為CPU完整的引腳信號(hào)名稱,包含全部復(fù)用功能信號(hào);

(5) “引腳功能分配”為核心板推薦功能描述;

(6) “參考電平”為CPU引腳工作電平標(biāo)準(zhǔn);

(7) “核心板內(nèi)部連接器件”為核心板內(nèi)部信號(hào)連接方式;

(8) “器件參數(shù)”為核心板內(nèi)部連接元器件的參數(shù)值;

(9) “核心板內(nèi)部PCB走線長(zhǎng)度”為CPU信號(hào)引腳到核心板郵票孔引腳之間的走線長(zhǎng)度值;

(10) “走線阻抗”為核心板高速信號(hào)的走線阻抗值。

wKgZPGgK_SqAZLDcAAW1hLQA-2I665.png

備注:部分引腳內(nèi)容。

內(nèi)部引腳使用說(shuō)明

核心板內(nèi)部使用引腳說(shuō)明如下表。

其中“核心板引腳號(hào)”為核心板郵票孔連接器引腳序列號(hào);“芯片引腳號(hào)”為CPU引腳序列號(hào);“芯片引腳名稱”為CPU完整的引腳信號(hào)名稱,包含全部復(fù)用功能信號(hào);“引腳功能”為核心板引腳推薦功能描述;“參考電平”為核心板引腳工作電平標(biāo)準(zhǔn)?!靶酒_號(hào)”為"-"表示該引腳信號(hào)未連接至CPU引腳。

wKgZO2gK_TeAB25oAAIxVKWKyhw544.png

RM_IO引腳說(shuō)明

RM_IO是IO矩陣,共有32個(gè)引腳,有如下特性:

RM_IOn(n=0~31)可從function IDn(n=0~98)任選其中一個(gè)功能,并且function IDn(n=0~98)的每個(gè)功能只能映射于其中一個(gè)RM_IOn(n=0~31)。

舉例:RM_IO0選擇I2C0_SCL,則I2C0_SCL不能再映射到RM_IOn(n=1~31)中;RM_IO1選擇I2C0_SDA,則I2C0_SDA不能再映射到RM_IO0、RM_IOn(n=2~31)中。

wKgZPGgK_VOAKDJFAAOtgVWkN8Y763.png

圖9

設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):

(1) RM_IO5/RM_IO21已經(jīng)在核心板內(nèi)部使用。

(2) PWM0_CH0已在核心板內(nèi)部使用,底板設(shè)計(jì)時(shí),請(qǐng)勿通過(guò)RM_IO進(jìn)行映射分配使用。

電氣特性

工作環(huán)境

wKgZO2gK_WiAacCwAACvVpYY0cs452.png

功耗測(cè)試

wKgZO2gK_XGANzCDAAGbMNiALCw436.png

備注:功耗基于TL3506-EVM評(píng)估板運(yùn)行Buildroot系統(tǒng),在自然散熱狀態(tài)下測(cè)得。測(cè)試數(shù)據(jù)與具體應(yīng)用場(chǎng)景有關(guān),僅供參考。

狀態(tài)1:系統(tǒng)啟動(dòng),評(píng)估板不接入其他外接模塊,不執(zhí)行程序。

狀態(tài)2:系統(tǒng)啟動(dòng),評(píng)估板不接入其他外接模塊,運(yùn)行測(cè)試命令"stress-ng --cpu 3 --vm 3 --vm-bytes 32M --timeout 86400s --temp-path=/userdata &",3個(gè)ARM Cortex-A7核心的資源使用率約為100%。

狀態(tài)3:系統(tǒng)啟動(dòng),評(píng)估板不接入其他外接模塊,運(yùn)行測(cè)試命令"stress-ng --cpu 3 --vm 3 --vm-bytes 32M --timeout 86400s --temp-path=/userdata &",3個(gè)ARM Cortex-A7核心的資源使用率約為100%。

熱成像圖

核心板在自然散熱(不安裝散熱器與風(fēng)扇)的狀態(tài)下,穩(wěn)定工作40min后,使用熱成像儀測(cè)得核心板不同工作狀態(tài)的熱分布圖如下所示。其中紅色測(cè)溫點(diǎn)為最高溫度點(diǎn),白色測(cè)溫點(diǎn)為畫面中心溫度點(diǎn)。

備注:受測(cè)試環(huán)境、熱成像儀因素影響,最高溫度點(diǎn)、白色測(cè)溫點(diǎn)存在一定誤差,請(qǐng)參考核心板熱分布圖并結(jié)合實(shí)際情況,合理選擇散熱方式。

工業(yè)級(jí)核心板熱成像

wKgZPGgLATuAYafkAAalgaDdErg138.png

wKgZPGgK_YyAGcgaAAallu_2xb0416.png

圖 10 狀態(tài)2(最高溫度點(diǎn)為46.0℃

wKgZO2gK_bqAWH_uAAbXS1DY0wM554.png

圖 11 狀態(tài)3(最高溫度點(diǎn)為47.0℃)

寬溫級(jí)核心板熱成像

wKgZO2gK_Y2AM3Y8AAandWkdAaw484.png

圖 12 狀態(tài)2(最高溫度點(diǎn)為46.7℃)

wKgZPGgK_Y2AYtCfAAaVl1vGva0640.png

圖 13 狀態(tài)3(最高溫度點(diǎn)為47.6℃)

散熱器設(shè)計(jì)說(shuō)明

根據(jù)“功耗測(cè)試”、“熱成像圖”章節(jié)實(shí)測(cè)結(jié)果,SOM-TL3506核心板在高溫情況下需要考慮散熱設(shè)計(jì)。用戶如需自行設(shè)計(jì)散熱器,請(qǐng)注意如下要點(diǎn):

(1) 請(qǐng)根據(jù)核心板熱成像圖中展現(xiàn)的熱源分布,針對(duì)發(fā)熱量較大的器件設(shè)計(jì)合適的散熱結(jié)構(gòu)。 (2) 進(jìn)行散熱器設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)滿足在最高環(huán)境溫度及最大功耗工作期間,處理器結(jié)溫低于下圖所示瑞芯微官方推薦的最大結(jié)溫。

(3) 為使散熱器與核心板的熱源器件表面的良好接觸,應(yīng)增加相變導(dǎo)熱墊片,其厚度推薦不大于0.25mm。

wKgZPGgK_d6AfgeqAAAYzdYYQys364.png

圖14

機(jī)械尺寸

核心板主要硬件相關(guān)參數(shù)如下所示,僅供參考。

wKgZO2gK_e6AbSFvAABzRSLBTZI060.png

備注:

(1) 頂層最高元器件高度:指核心板最高元器件水平面與PCB正面水平面的高度差。核心板最高元器件為電源芯片(U2)。

(2) 核心板高度 = PCB板厚 + 頂層最高元器件高度。

wKgZPGgK_fuAWW-ZAALZ6oLqsyI149.png

圖 15 核心板機(jī)械尺寸圖

wKgZPGgK_gWAegYyAABiwTVLrrc740.png

圖 16 核心板安裝高度示意圖

底板設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

最小系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于SOM-TL3506核心板進(jìn)行底板設(shè)計(jì)時(shí),請(qǐng)務(wù)必滿足最小系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求,具體如下。

電源設(shè)計(jì)說(shuō)明

(1) VDD_5V_SOM

VDD_5V_SOM為核心板的主供電輸入,電源功率建議參考評(píng)估板按最大10W進(jìn)行設(shè)計(jì)。

wKgZO2gK_hKATGO3AAAi9pxP6fA345.png

圖 17 VDD_5V_SOM電源設(shè)計(jì)

VDD_5V_SOM在核心板內(nèi)部未預(yù)留總電源輸入的儲(chǔ)能大電容,底板原理圖設(shè)計(jì)時(shí),請(qǐng)?jiān)诳拷诵陌遴]票孔焊盤位置放置儲(chǔ)能大電容,參考設(shè)計(jì)如下圖所示。

wKgZO2gK_h6AFos0AAAEgHWSReM389.png

圖 18 儲(chǔ)能電容

(2) VDD_5V_MAIN & VDD_3V3_MAIN & VDD_1V8_MAIN

VDD_5V_MAIN、VDD_3V3_MAIN、VDD_1V8_MAIN為評(píng)估底板提供的外設(shè)電源。為使VDD_5V_MAIN、VDD_3V3_MAIN、VDD_1V8_MAIN滿足核心板的上電、掉電時(shí)序要求,推薦使用VDD_3V3_SOM_OUT電源來(lái)控制VDD_5V_MAIN、VDD_3V3_MAIN和VDD_1V8_MAIN的電源使能。

wKgZO2gK_jCAZIH2AAAg0w4JmSs516.png

圖 19 VDD_5V_MAIN電源設(shè)計(jì)

wKgZO2gK_jqAIJO0AAAhVRL3dN8174.png

圖 20 VDD_3V3_MAIN電源設(shè)計(jì)

wKgZPGgK_kSADd4iAAAg0jV3BBY046.png

圖 21 VDD_1V8_MAIN電源設(shè)計(jì)

(3) 底板設(shè)計(jì)時(shí),如需考慮電源突然下電對(duì)系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn),可參考我司底板設(shè)計(jì)PLP(掉電保護(hù))接口,配套我司TL-PLP掉電保護(hù)模塊使用。實(shí)現(xiàn)底板突然掉電時(shí),切換為TL-PLP模塊供電,使系統(tǒng)在完成數(shù)據(jù)保存后再斷電。

wKgZO2gK_k6AIE-xAAAT6F04DOE877.png

圖 22 底板PLP接口設(shè)計(jì)

備注:請(qǐng)?jiān)诘装逶黾尤缦聢D所示快速下電電路,以滿足快速上電、掉電應(yīng)用場(chǎng)景下及時(shí)泄放底板的電源,確保系統(tǒng)下一次上電符合CPU和底板器件的上電時(shí)序要求。

wKgZO2gK_leAHcWRAAAHoKNu9ec643.png

圖 23 底板快速下電電路設(shè)計(jì)

系統(tǒng)啟動(dòng)說(shuō)明

SARADC_IN0為啟動(dòng)配置引腳,已在核心板內(nèi)部接10K電阻上拉至1.8V電源,在評(píng)估底板上默認(rèn)懸空,則系統(tǒng)默認(rèn)啟動(dòng)順序?yàn)镹AND FLASH、eMMC、SD卡、USB接口。

系統(tǒng)上電后,由CPU內(nèi)部BootRom的引導(dǎo)代碼依次從NAND FLASH、eMMC/SD卡、USB接口檢測(cè)SPL啟動(dòng)程序,從第一個(gè)包含SPL啟動(dòng)程序的設(shè)備開(kāi)始啟動(dòng)。SPL啟動(dòng)后,將優(yōu)先從SD系統(tǒng)卡(非常規(guī)SD卡)引導(dǎo)U-Boot鏡像,否則,將從原啟動(dòng)設(shè)備引導(dǎo)U-Boot鏡像,注意eMMC版本的核心板不支持SD卡功能。

SARADC_IN1在核心板內(nèi)部通過(guò)10K電阻上拉至1.8V,用于對(duì)地短路進(jìn)入Recovery模式。建議不要將該引腳作為ADC使用,優(yōu)先使用其它SARADC通道。若不使用該功能可懸空處理。

詳情請(qǐng)查閱“6-開(kāi)發(fā)參考資料Rockchip官方參考文檔CommonMMC”目錄下的官方參考文檔《Rockchip_Developer_Guide_SD_Boot_CN》。

wKgZPGgK_mSAJ1qoAAAzFzKW9lE051.png

圖 24 評(píng)估底板BOOT MODE參考設(shè)計(jì)

系統(tǒng)復(fù)位信號(hào)

T3/NPORn/RESETn/PU/3V3為CPU復(fù)位輸入引腳,核心板內(nèi)部已通過(guò)1K電阻上拉至3.3V,默認(rèn)情況請(qǐng)懸空處理,以避免影響上電時(shí)序。

備注:由于T3/NPOR/RESETn/PU/3V3和VDD_3V3_SOM_OUT基本同時(shí)上電,如外設(shè)使用T3/NPOR/RESETn/PU/3V3進(jìn)行上電復(fù)位且有嚴(yán)格上電時(shí)序要求,建議增加Buffer(RS1G07XC5)進(jìn)行延遲上電復(fù)位以滿足外設(shè)上電時(shí)序。

wKgZPGgK_m6AOL_AAAANG9g4om4037.png

圖 25 T3/NPORn/RESETn/PU/3V3電路設(shè)計(jì)

其他設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

保留Micro SD卡接口

對(duì)于NAND FLASH配置核心板,評(píng)估底板通過(guò)SDMMC總線引出Micro SD接口(eMMC配置核心板不支持Micro SD卡功能),主要用于調(diào)試過(guò)程中使用系統(tǒng)啟動(dòng)卡來(lái)啟動(dòng)系統(tǒng),或批量生產(chǎn)時(shí)基于Micro SD卡快速固化系統(tǒng)至NAND FLASH,底板設(shè)計(jì)時(shí)建議保留此外設(shè)接口。

保留USB2.0OTG接口

評(píng)估底板通過(guò)USB2.0 OTG0總線引出USB2.0 OTG接口,當(dāng)Micro SD卡無(wú)法使用時(shí),可通過(guò)拉低SARADC_IN0信號(hào),進(jìn)入Maskrom模式,通過(guò)USB2.0 OTG接口更新系統(tǒng)至eMMC或NAND FLASH,底板設(shè)計(jì)時(shí)建議保留此外設(shè)接口。

保留UART0接口

評(píng)估底板通過(guò)CH340T芯片將UART0總線轉(zhuǎn)換為Type-C接口,作為系統(tǒng)調(diào)試串口使用,底板設(shè)計(jì)時(shí)建議保留UART0作為系統(tǒng)調(diào)試串口。

VDD_ADJ_SD_OUT相關(guān)IO說(shuō)明

VDD_ADJ_SD_OUT為核心板輸出的1.8V/3.3V切換電源,最大輸出電流為200mA,只能供電給IO分配為使用pin72、pin74~78、pin51~59的評(píng)估底板外設(shè)。

當(dāng)軟件配置核心板的G1/GPIO0_D0_d為高電平時(shí),VDD_ADJ_SD_OUT輸出3.3V;配置G1/GPIO0_D0_d為低電平時(shí),VDD_ADJ_SD_OUT輸出1.8V。

由于eMMC配置核心板的eMMC或NAND FLASH配置核心板的Micro SD卡已使用SDMMC接口(pin72、pin74~78),上電過(guò)程中會(huì)存在動(dòng)態(tài)切換1.8V/3.3V電平,如pin51~59的IO需要上拉,其上拉電源必須使用VDD_ADJ_SD_OUT,不建議將引腳pin72、pin74~78、pin51~59作為GPIO功能使用。

如IO資源不足必須將引腳pin72、pin74~78、pin51~59用作GPIO功能,請(qǐng)?zhí)砑与娖睫D(zhuǎn)換芯片以實(shí)現(xiàn)電平穩(wěn)定。

wKgZO2gK_neAJfDwAABBBMPzXB8465.png

圖 26

由于篇幅過(guò)長(zhǎng)等原因,部分引腳內(nèi)容及板卡硬件內(nèi)容均不逐一展示,如需獲取完整版詳細(xì)資料,請(qǐng)關(guān)注創(chuàng)龍科技微信公眾號(hào)或官網(wǎng),也可以在評(píng)論區(qū)留言,感謝您的支持!

審核編輯 黃宇

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    發(fā)表于 11-28 16:58