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TPS65910 集成電源管理 IC(PMIC),帶 4 個(gè) DC/DC、8 個(gè) LDO 和 RTC,采用6x6mm QFN系列數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-04-28 10:52 ? 次閱讀

TPS65910 器件是一款集成電源管理 IC,采用 48-QFN 封裝,專用于由一節(jié)鋰離子或鋰離子聚合物電池或 3 節(jié)串聯(lián)鎳氫電池或 5-V 輸入供電的應(yīng)用;它需要多個(gè)電源軌。該器件提供 3 個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器、1 個(gè)升壓轉(zhuǎn)換器和 8 個(gè) LDO,旨在支持基于 OMAP 的應(yīng)用的特定功率要求。

其中兩個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器為雙處理器內(nèi)核供電,并可通過專用的 3 類 SmartReflex 接口進(jìn)行控制,以實(shí)現(xiàn)最佳節(jié)能效果。第三個(gè)轉(zhuǎn)換器為系統(tǒng)中的 I/O 和內(nèi)存供電。
*附件:tps65910.pdf

該器件包括 8 個(gè)通用 LDO,提供廣泛的電壓和電流能力。LDO 完全可由 I 控制^2^C 接口。LDO 的使用非常靈活;它們旨在用于以下用途:兩個(gè) LDO 指定為基于 OMAP 的處理器上的 PLL 和視頻 DAC 電源軌供電,四個(gè)通用輔助 LDO 可用于為系統(tǒng)中的其他器件供電,兩個(gè) LDO 用于在需要這些存儲(chǔ)器的應(yīng)用中為 DDR 存儲(chǔ)器電源供電。

除了電源之外,該器件還包含一個(gè)嵌入式電源控制器 (EPC),用于管理 OMAP 系統(tǒng)和 RTC 的電源排序要求。

特性

  • 嵌入式電源控制器
  • 兩個(gè)用于處理器內(nèi)核的高效降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  • 一個(gè)用于 I/O 電源的高效降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  • 一個(gè)高效的升壓 5V DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  • 符合 SmartReflex 標(biāo)準(zhǔn)的處理器內(nèi)核動(dòng)態(tài)電壓管理
  • 8 個(gè) LDO 穩(wěn)壓器和 1 個(gè)實(shí)時(shí)時(shí)鐘 (RTC) LDO(內(nèi)部用途)
  • 1 個(gè)高速 I^2^通用控制命令的 C 接口 (CTL-I^2^C)
  • 1 個(gè)高速 I^2^用于 SmartReflex 3 類控制和命令 (SR-I) 的 C 接口^2^C)
  • 兩個(gè)與 SR-I 復(fù)用的使能信號(hào)^2^C,可配置以控制任何電源狀態(tài)和處理器內(nèi)核電源電壓
  • 熱關(guān)斷保護(hù)和熱晶片檢測(cè)
  • 一個(gè) RTC 資源,其中包含:
    • 用于 32.768kHz 晶體或 32kHz 內(nèi)置 RC 振蕩器的振蕩器
    • 日期、時(shí)間和日歷
    • 警報(bào)功能
  • 一個(gè)可配置的 GPIO
  • 通過內(nèi)部或外部 3MHz 時(shí)鐘實(shí)現(xiàn) DC-DC 開關(guān)同步

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?類型?:集成電源管理單元(PMU)
  • ?特點(diǎn)?:專為單節(jié)Li-Ion或Li-Ion聚合物電池以及3串Ni-MH電池或5V輸入設(shè)計(jì),提供多個(gè)電源軌
  • ?應(yīng)用?:適用于多種處理器核心和I/O檢測(cè)電源需求的應(yīng)用

2. 功能特性

  • ?電源控制器?:嵌入式電源控制器(EPC)管理電源序列
  • ?DC-DC轉(zhuǎn)換器?:兩個(gè)高效降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器(用于處理器核心),一個(gè)用于I/O檢測(cè)電源
  • ?LDO電壓調(diào)節(jié)器?:八個(gè)通用LDO,提供廣泛的電壓和電流能力
  • ?RTC與實(shí)時(shí)時(shí)鐘?:集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和日歷功能,帶報(bào)警能力
  • ?I2C接口?:兩個(gè)高速I2C接口,一個(gè)用于通用目的,一個(gè)用于SmartReflex控制
  • ?動(dòng)態(tài)電壓管理?:支持SmartReflex?動(dòng)態(tài)電壓管理

3. 電氣特性

  • ?輸入電壓范圍?:2.7V至5.5V
  • ?輸出電壓范圍?:
    • VIO SMPS:1.5V至3.3V,最大1000mA
    • VDD1/VDD2 SMPS:0.6V至1.5V(可編程),最大1500mA
    • VDD3 SMPS:4.65V至5.25V,最大100mA
    • LDO輸出:1.0V至3.3V(可編程),最大300mA
  • ?效率?:高達(dá)90%(取決于負(fù)載和輸出電壓)

4. 熱管理

  • ?熱關(guān)斷保護(hù)?:防止結(jié)溫過高
  • ?溫度監(jiān)測(cè)?:集成熱傳感器,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)結(jié)溫

5. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:48引腳QFN封裝
  • ?尺寸?:6mm x 6mm

6. 應(yīng)用與布局指南

  • ?布局建議?:提供詳細(xì)的布局指南,包括電源和地的布局、去耦電容的放置等
  • ?應(yīng)用曲線?:提供典型應(yīng)用曲線,幫助設(shè)計(jì)者評(píng)估性能

7. 開發(fā)支持

  • ?工具與軟件?:提供Code Composer Studio? IDE、DSP/BIOS?實(shí)時(shí)基礎(chǔ)軟件等開發(fā)工具
  • ?硬件支持?:支持XDS?仿真器等硬件調(diào)試工具

8. 文檔與支持

  • ?技術(shù)文檔?:包括數(shù)據(jù)手冊(cè)、用戶指南、應(yīng)用筆記等
  • ?社區(qū)資源?:提供TI E2E?在線社區(qū)支持,方便開發(fā)者交流

9. 訂購(gòu)信息

  • ?封裝選項(xiàng)?:提供多種封裝和溫度范圍的選項(xiàng)
  • ?樣品與購(gòu)買?:提供樣品申請(qǐng)和購(gòu)買鏈接

10. 注意事項(xiàng)

  • 在設(shè)計(jì)和使用TPS65910時(shí),需仔細(xì)閱讀數(shù)據(jù)手冊(cè)和相關(guān)應(yīng)用指南
  • 注意靜電放電(ESD)防護(hù),避免損壞IC
  • 根據(jù)具體應(yīng)用需求選擇合適的封裝和溫度范圍選項(xiàng)
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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