TPS65911 器件是一款集成電源管理 IC （PMIC），采用 98 引腳 0.65mm 間距 BGA 封裝。TPS65911 器件專用于由一節(jié)鋰離子或鋰離子聚合物電池、3 節(jié)串聯鎳氫電池或 5V 輸入供電的應用，以及需要多個電源軌的應用。該器件提供 3 個降壓轉換器、1 個用于支持大電流軌的外部 FET 控制器、8 個 LDO，并且該器件設計為靈活的 PMIC，可支持不同的處理器和應用。
*附件：tps65911.pdf

其中兩個降壓轉換器為雙處理器內核供電，并支持通過專用 I 進行動態(tài)電壓調節(jié)^2^C 接口可實現最佳節(jié)能。第三個轉換器為系統(tǒng)中的 I/O 和內存供電。

該器件包括 8 個通用 LDO 穩(wěn)壓器，可提供廣泛的電壓和電流能力。其中 5 個 LDO 穩(wěn)壓器支持 1 至 3.3 V（100 mV 步長），3 個（LDO1、LDO2、LDO4）支持 1.0 至 3.3 V（50 mV 步長）。所有 LDO 穩(wěn)壓器均可由 I 完全控制^2^C 接口。

除了電源資源外，該器件還包含一個 EPC 來管理系統(tǒng)的電源排序要求和一個 RTC。電源排序可通過 EEPROM 進行編程。

特性

• 具有 EEPROM 可編程性的嵌入式電源控制器 （EPC）
• 兩個用于處理器內核的高效降壓 DC-DC 轉換器（VDD1、VDD2）
• 一個用于 I/O 電源 （VIO） 的高效降壓 DC-DC 轉換器
• 一個用于外部 FET 的控制器 （VDDCtrl）
• 處理器內核的動態(tài)電壓調節(jié) （DVS）
• 8 個 LDO 穩(wěn)壓器和 1 個 RTC LDO（內部 RTC 電源）
• 1 個高速 I^2^通用控制命令的 C 接口 （CTL-I^2^C)
• 兩個獨立的使能信號，用于控制電源 （EN1， EN2）
  • 或者，EN1 和 EN2 引腳可用作高速 I^2^C 接口，專用于 VDD1 和 VDD2 的電壓調節(jié)
• 熱關斷保護和熱晶片檢測
• 實時時鐘 （RTC） 資源，具有以下功能：
  • 用于 32.768kHz 晶體或 32kHz 內置 RC 振蕩器的振蕩器
  • 日期、時間和日歷
  • 警報功能
• 9 個可配置的 GPIO，支持多路復用功能：
  • 4 個可用作外部資源的使能，包含在上電序列中并由狀態(tài)機控制
  • 作為 GPI，GPIO 支持邏輯電平檢測，并可以生成可屏蔽的中斷以進行喚醒
  • 其中兩個 GPIO 具有 10mA 電流吸收能力，用于驅動 LED
  • DC-DC 轉換器通過外部 3MHz 時鐘實現開關同步
• 兩個復位輸入：
  • 冷重置 （HDRST）
  • 用于熱復位輸入的電源初始化復位 （PWRDN）
• 用于系統(tǒng)的 32kHz 時鐘和復位 （NRESPWRON） 以及用于復位信號的附加輸出
• 看門 狗
• 兩個 ON 和 OFF LED 脈沖發(fā)生器和一個 PWM 發(fā)生器
• 兩個用于系統(tǒng)控制的比較器，連接到 VCCS 引腳
• A JTAG 和邊界掃描

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?設備名稱?：TPS65911
• ?類型?：集成電源管理單元（PMIC）
• ?主要特性?：
  • 嵌入式電源控制器（EPC）帶EEPROM可編程性
  • 三個高效的降壓DC-DC轉換器（VDD1, VDD2, VIO）
  • 一個用于外部FETs的控制器（VDDCtrl）
  • 動態(tài)電壓縮放（DVS）
  • 八個LDO電壓調節(jié)器
  • 一個實時時鐘（RTC）資源
  • 九個可配置的GPIO
  • 熱關斷保護和熱檢測

2. 應用

• ?便攜式和手持系統(tǒng)?
• ?需要多個電源軌的應用?

3. 功能描述

• ? 嵌入式電源控制器（EPC） ?：管理系統(tǒng)的電源排序需求，可編程通過EEPROM。
• ?DC-DC轉換器?：
  • VDD1和VDD2為處理器核心供電，支持動態(tài)電壓縮放。
  • VIO為I/O和內存供電。
• ?LDO調節(jié)器?：提供廣泛的電壓和電流能力，支持通過I2C接口控制。
• ?RTC資源?：包括振蕩器、日期、時間和日歷、鬧鐘功能。
• ?GPIO?：支持邏輯電平檢測，可生成可屏蔽中斷用于喚醒。
• ?同步與外部時鐘?：DC-DC轉換器可以通過外部3MHz時鐘同步。

4. 規(guī)格

• ?輸入電壓范圍?：2.7V至5.5V
• ?輸出電壓范圍?：
  • VDD1和VDD2：0.6V至3.3V
  • VIO：1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V
  • LDO：1V至3.3V
• ?最大輸出電流?：
  • VDD1和VDD2：高達1500mA（某些配置下2000mA）
  • VIO：高達1100mA
  • LDO：高達320mA（LDO1和LDO2），其他LDO高達300mA

5. 應用信息和典型應用

• ?設計要求?：包括輸入電壓、輸出電壓和電流等參數。
• ?詳細設計過程?：推薦外部組件的選擇，如電感器、電容器和FETs。
• ?應用曲線?：展示負載瞬態(tài)響應等關鍵性能。

6. 布局指南

• ?PCB布局建議?：包括輸入電容器、電感器和輸出電容器的放置，以及地平面的使用。
• ?布局示例?：提供VDD2、VDDIO和VDDCtrl的布局示例。

7. 設備支持

• ?開發(fā)支持?：提供相關的參考設計文檔。
• ?文檔支持?：包括數據手冊、用戶指南和應用報告。
• ?社區(qū)資源?：提供TI E2E在線社區(qū)和設計支持的鏈接。

8. 包裝和可訂購信息

• ?封裝類型?：98引腳0.65mm間距BGA
• ?封裝尺寸?：9.00mm × 6.00mm
• ?可訂購狀態(tài)?：活躍