隨著全球5G網(wǎng)絡規(guī)?；渴鸷蜕虡I(yè)化進程加速，電動汽車驅動系統(tǒng)小型輕量化需求的提升，GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長，吸引了諸多國際廠商紛紛布局。憑借超高熱導率、高電子遷移率等材料特性，GaN與SiC在應用上形成了優(yōu)勢互補，劍指高低壓、高頻及高功率領域，兩者的應用場景幾乎覆蓋了新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)、5G基站、無線充電等大多數(shù)未來前景可期的新興應用市場。

再加上國家和各地方政策持續(xù)利好，有望推動國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)彎道超車。有數(shù)據(jù)顯示，2017年全球SiC功率半導體市場總額達3.99億美元，預計到2023年市場總額將達16.44億美元，年復合增長率為26.6%。與此同時，預計到2026年，全球GaN功率器件市場規(guī)模將達到4.4億美元，復合年增長率為29.4%。

5月29日下午，博聞創(chuàng)意在深圳南山科技園與您相約“第三代半導體GaN與SiC技術應用沙龍”，與國內(nèi)外寬禁帶半導體行業(yè)專家學者面對面交流經(jīng)驗，共同探討第三代半導體GaN與SiC的最新技術發(fā)展動態(tài)及應用設計技巧，讓您和更多的同行一起切磋論道！

會議時間：2019年5月29日13:00至17:30
會議地點：深圳市南山區(qū)科技園康佳研發(fā)大廈B區(qū)7樓
【名額有限！火速報名】

特邀主講嘉賓


【嘉賓簡介】
頭銜：加拿大皇后大學正教授，IEEE電力電子學會副會長，加拿大工程院院士，電力電子技術領域全球權威專家，美國電氣與電子工程師學會會士(IEEE Fellow)
成就：美國專利40項，其中一些專利技術已經(jīng)實現(xiàn)銷售額超過3億元，在國際重要期刊和國際會議上發(fā)表論文180余篇

會議議程

13:00-13:30 簽到
13:30-14:10 SiC功率器件驅動電路優(yōu)化設計
Anup Bhalla,CTO,United SiC
14:10-15:40 技術突破：如何讓氮化鎵器件發(fā)揮出最大優(yōu)勢？
IEEE電力電子學會副會長、加拿大工程院院士 劉雁飛
15:40-16:10 茶歇
16:10-16:50 采用SiC器件的高功率密度航空電源技術
清華大學博士、副教授 許烈
16:50-17:30 寬禁帶半導體技術的發(fā)展現(xiàn)狀及其應用
西安電子科技大學 祝杰杰博士