動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-05-25 11:19

  晶圓鍵合機中的無油真空系統(tǒng)

  

  晶圓鍵合機主要用于將晶圓通過真空環(huán)境, 加熱, 加壓等指定的工藝過程鍵合在一起, 滿足微電子材料, 光電材料及其納米等級微機電元件的制作和封裝需求. 晶圓鍵合機需要清潔干燥的高真空工藝環(huán)境, 真空度一般要求 5E-4 mbar 至 5E-8 mbar, 因為如果參雜了其他氣體雜雜質, 會影響到器件的性能. 無油干式真空泵搭配分子泵是晶圓鍵合機真空系統(tǒng)的標準配

  晶圓 系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2023-05-25 11:12

  分析儀器中的真空系統(tǒng)(分流分子泵應用)

  

  分析儀器對于真空技術的需求非常復雜. 在基于控制成本的情況下, 對真空泵性能和空間限制要求也很高. 需要在設計階段就考慮要達到更高的靈敏度, 分辨率和樣品通量, 明顯改善數據管理等目標, 以及新分析系統(tǒng)中成本和空間的優(yōu)化, 在這個過程中, 真空系統(tǒng)至關重要, 上海伯東德國 Pfeiffer SplitFlow? 智能分流分子泵滿足分析儀器設備廠家要求并接受定

  分析儀器 系統(tǒng)

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• 發(fā)布了產品 2023-05-25 11:07

  銷售維修渦輪分子泵 HiPace 350-800

  

  產品型號：HiPace 350-800 品牌：德國 Pfeiffer 產地：德國

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• 發(fā)布了產品 2023-05-25 10:55

  銷售維修普發(fā)渦輪分子泵 HiPace 10-300

  

  產品型號：HiPace 10-300 品牌：德國 Pfeiffer 產地：德國

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• 發(fā)布了文章 2023-05-25 10:27

  KRi 射頻離子源應用于國產離子束濺射鍍膜機 IBSD

  

  上海伯東客戶某高校使用國產品牌離子束濺射鍍膜機用于金屬薄膜制備, 工藝過程中, 國產離子源鎢絲僅使用 18個小時就會燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無法滿足長時間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導致薄膜質量低的情況. 客戶需要離子源的穩(wěn)定工作時間不低于 48個小時, 經過伯東推薦最終改用美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100 替換原有的國產離子源, 單

  射頻 工藝 離子源

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• 發(fā)布了方案 2023-05-25 10:22

  KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應用

  

  上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.

  電子 離子源

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• 發(fā)布了方案 2023-05-25 10:18

  KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應用

  

  上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應用.

  射頻 離子源

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• 發(fā)布了方案 2023-05-25 10:10

  KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用

  

  上海伯東代理美國 KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進行預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等！

  硅片 離子源

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• 發(fā)布了方案 2023-05-24 17:22

  美國 KRi 大尺寸射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝

  

  上海伯東美國 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380, 利用高均勻性的離子分布及高穩(wěn)定的離子能量成功搭配于 1米7 的大型蒸鍍設備, 解決了在樹脂基材鏡頭上無法達到高質量鍍膜要求的問題, 同時也提升了企業(yè)生產效能.

  Ar 離子源

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• 發(fā)布了產品 2023-05-11 16:45

  美國 KRi 霍爾離子源,真空鍍膜離子源

  

  產品型號：eH 400 產地：美國 類型：霍爾型 品牌：KRi

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