動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-12-13 00:15

  PCB離子污染度測試的重要性

  

  PCB離子污染度的重要性在電子制造業(yè)中，PCB（印刷電路板）的離子污染度測試是保障產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。離子污染度指的是PCB表面殘留的帶電離子污染物，這些污染物主要來源于焊接助劑、化學(xué)清洗劑、濕度控制、電鍍、波峰焊和回流焊等制造工藝。這些殘留物可能引起電氣化學(xué)效應(yīng)，對PCB的性能和可靠性構(gòu)成潛在威脅。離子污染度的控制與測試為了確保PCB的質(zhì)量和可靠性，必須嚴(yán)

  pcb PCB 測試 離子

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• 發(fā)布了文章 2024-12-10 10:43

  什么是半導(dǎo)體芯片的失效切片分析？

  

  芯片切片分析技術(shù)芯片切片分析是一種在半導(dǎo)體、電子顯微學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的技術(shù)。通過將芯片切成薄片，研究人員可以直接觀察芯片內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)，如晶體管、電路布線等，從而深入研究芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和性能。這項(xiàng)技術(shù)不僅有助于優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)，提升性能和可靠度，還可以用于故障檢測和質(zhì)量控制。切片方式的介紹1.機(jī)械研磨機(jī)械研磨是一種低成本的切片技術(shù)，適用于各種材質(zhì)的樣品

  led 半導(dǎo)體 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-12-10 10:40

  電子元件測試中恒溫恒濕試驗(yàn)箱的關(guān)鍵作用

  

  電子元件測試中的多種檢測項(xiàng)目高溫儲存測試是篩選電子元器件的一種有效方法。通過在最高結(jié)溫下儲存電子元器件24至168小時(shí)，加速化學(xué)反應(yīng)，使有缺陷的元件及時(shí)暴露出來，加以淘汰。這種方法簡單易行，能夠有效地穩(wěn)定元器件的參數(shù)性能，減少使用中的參數(shù)漂移。電力測試電力測試是評估電子元器件可靠性的重要項(xiàng)目。在熱電應(yīng)力的綜合作用下，可以暴露出元器件本體和表面的潛在缺陷。電子

  恒溫恒濕機(jī) 電子元器件 試驗(yàn)箱

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• 發(fā)布了文章 2024-12-10 10:39

  AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)下的混合氣體測試

  

  在汽車電子領(lǐng)域，電子組件必須能夠在各種惡劣環(huán)境下保持性能穩(wěn)定，以確保車輛系統(tǒng)的安全和可靠運(yùn)行。為此，混合氣體試驗(yàn)成為了一種關(guān)鍵的測試方法，用以評估這些組件在特定化學(xué)腐蝕環(huán)境下的耐久性。AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了混合氣體試驗(yàn)的具體要求，以模擬汽車電子組件在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的化學(xué)腐蝕條件，驗(yàn)證其在這些條件下的穩(wěn)定性和安全性?；旌蠚怏w試驗(yàn)的核心理念混合氣體試驗(yàn)是

  氣體檢測 汽車電子 測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-06 17:25

  碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術(shù)

  

  碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿電壓以及高功率密度特性。這些特性使得SiC器件在高效電能轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域具有不可替代的優(yōu)勢，正逐漸成為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的主流選擇。碳化硅器件的技術(shù)挑戰(zhàn)盡管SiC器件性能優(yōu)越，但其單晶和外延材料價(jià)格較高，工藝不成熟，

  MOSFET 檢測 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-06 17:24

  功率半導(dǎo)體模塊的可靠性評估：功率循環(huán)測試研究

  

  功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種能力使得功率半導(dǎo)體在各種電力應(yīng)用中不可或缺，例如電力變換器、電機(jī)驅(qū)動器和電力調(diào)節(jié)器等。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件在多個(gè)領(lǐng)域中發(fā)揮著核心作用，尤其是在新能源

  功率半導(dǎo)體 功率循環(huán)測試 半導(dǎo)體器件 測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-06 17:22

  AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)：汽車電子散熱性能的熱阻測試指南

  

  汽車電子領(lǐng)域的散熱挑戰(zhàn)在汽車電子領(lǐng)域，隨著電子設(shè)備在車輛中的廣泛應(yīng)用，對電子器件的性能和可靠性要求也日益嚴(yán)格。AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)作為汽車電子委員會（AutomotiveElectronicsCouncil）制定的一項(xiàng)重要測試標(biāo)準(zhǔn)，專注于評估汽車電子中使用的分立光電半導(dǎo)體元器件的可靠性和質(zhì)量。這些元器件，包括LED、激光器件、光電二極管和光電晶體管等，在汽車

  AEC 汽車電子 熱阻測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-06 17:21

  如何有效避免EBSD數(shù)據(jù)采集中的荷電效應(yīng)并應(yīng)用導(dǎo)電鍍膜技術(shù)？

  

  電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)是一種強(qiáng)大的材料表征工具，它能夠提供關(guān)于材料微觀結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息。然而，在分析絕緣體樣品時(shí)，荷電效應(yīng)是一個(gè)常見的問題，它會影響EBSD數(shù)據(jù)的質(zhì)量。本文將探討多種方法，以減少甚至消除絕緣體樣品在EBSD分析中的荷電效應(yīng)。樣品制備的關(guān)鍵步驟金鑒實(shí)驗(yàn)室在樣品制備的各個(gè)環(huán)節(jié)都具備專業(yè)的技術(shù)能力，能夠?yàn)榭蛻籼峁?

  導(dǎo)電 數(shù)據(jù)采集

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• 發(fā)布了文章 2024-12-05 15:32

  聚焦離子束技術(shù)的歷史發(fā)展

  

  聚焦離子束（FIB）技術(shù)的演變與應(yīng)用聚焦離子束（FIB）技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代科技領(lǐng)域中不可或缺的一部分，尤其是在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域。盡管FIB技術(shù)已經(jīng)廣為人知，但其背后的歷史和發(fā)展歷程卻鮮為人知。FIB技術(shù)的起源FIB技術(shù)的歷史可以追溯到20世紀(jì)60年代，當(dāng)時(shí)科學(xué)家們開始探索使用離子束對樣品進(jìn)行分析和加工的可能性。在隨后的幾十年里，這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)歷了從實(shí)驗(yàn)室原

  fib 離子束

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• 發(fā)布了文章 2024-12-05 15:31

  AEC-Q102特定組件的測試

  

  汽車電子組件的重要性與測試標(biāo)準(zhǔn)在汽車電子行業(yè)中，對某些核心組件的檢測工作至關(guān)重要，它不僅涉及到產(chǎn)品性能的精確性，還直接關(guān)聯(lián)到駕駛者的安全和汽車的整體穩(wěn)定性。作為汽車內(nèi)部至關(guān)重要的光電元件，LED和光耦的檢測標(biāo)準(zhǔn)必須嚴(yán)格遵守AEC-Q102規(guī)范，以保證它們在多變的駕駛條件下依然能夠保持卓越的性能表現(xiàn)。LED在汽車中的應(yīng)用LED組件在汽車中的應(yīng)用非常廣泛，它們不

  led 檢測 汽車電子

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