英飛凌工業(yè)半導體文章

• 新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二極管的Dual-Boost Easy3B模塊2022-04-26 01:23

  

  新品1500V光伏雙面組件MPPT模塊該功率模塊是為1500V直流電壓的太陽能應用而開發(fā)的，與雙面光伏組件兼容，功率為500W+。每個模塊都配備了3路MPPT，每路MPPT的輸入電流可達到30A。產(chǎn)品規(guī)格：FS3L200R10W3S7F_B94200A950VFS3L200R10W3S7F_B94是采用200A950VIGBT7S7和SiC二極管的Dual-

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• 新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM2022-04-23 01:42

  

  新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達1.5HP的逆變器產(chǎn)品規(guī)格：IM323系列的新成員是專門為家用空調(diào)和家用電器應用設計的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達1

  IGBT IPM 1231瀏覽量

• 新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品2022-04-20 01:27

  

  新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化，性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用.XT互連技術，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12

  MOSFET 1193瀏覽量

• 無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動芯片技術優(yōu)勢及產(chǎn)品系列2022-04-19 01:24

  

  在之前的技術文章中，介紹了驅(qū)動芯片的概覽，PN結(jié)隔離(JI)技術，SOI驅(qū)動芯片技術等非隔離的驅(qū)動技術，本文會繼續(xù)介紹英飛凌的無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動芯片技術。在隔離器件的技術上，有三種主流的隔離技術，分別是光隔離，電容隔離和變壓器隔離。顧名思義，其隔離的介質(zhì)分別是光，電場信號和磁信號，隔離器件的使用及其廣泛，從輸入輸出接口，通訊端口，到功率器件的柵極驅(qū)

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• IGBT驅(qū)動電流行為綜述2022-04-16 01:38

  

  IGBT驅(qū)動需要電流：IGBT是一種電壓驅(qū)動的電子開關，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導通，實際器件的驅(qū)動是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅(qū)動電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。驅(qū)動的峰值電流很好理解，按照歐姆定律，由驅(qū)動電壓和驅(qū)動電阻決定：但在小阻值驅(qū)動回路中，實際測得驅(qū)動電流一般比上述公式計算

  IGBT 2557瀏覽量

• 高集成度功率電路的熱設計挑戰(zhàn)2022-04-15 01:29

  

  前言目前隨著科學技術和制造工藝的不斷發(fā)展進步，半導體技術的發(fā)展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動器和控制電路IC，這樣的功率半導體

  MOSFET 半導體技術 功率電路 2155瀏覽量

• 隔離型驅(qū)動的新勢力：英飛凌無磁芯變壓器(CT:Coreless Transformer)隔離型驅(qū)動2022-04-12 01:27

  

  一提到隔離型驅(qū)動，不少硬件研發(fā)工程師就會先入為主想到光耦?？晒怦钫娴氖俏ㄒ贿x擇嗎？伴隨著全球電氣化和數(shù)字化的趨勢，電力電子技術的發(fā)展也日新月異：功率器件開關頻率進一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應用環(huán)境更加復雜惡劣，這些都對隔離型驅(qū)動的性能和可靠性提出了全新的挑戰(zhàn)。而英飛凌隔離型驅(qū)動的超強性能正好滿足了這些挑戰(zhàn)：＋無磁芯變壓器隔離技術基于磁耦合的電氣隔

  英飛凌 驅(qū)動器 1810瀏覽量

• 如何正確理解功率循環(huán)曲線2022-04-08 01:25

  

  近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關注，特別是風力發(fā)電、軌道交通等應用領域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標的溫度循環(huán)曲線來評估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會引起結(jié)合點的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分

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• SiC，30年意味著什么？2022-04-07 01:25

  

  沈璐英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)高級市場總監(jiān)一直以來英飛凌都在積極推進創(chuàng)新，在功率器件領域的創(chuàng)新使得我們已經(jīng)連續(xù)18年位列市場份額第一。無論是從創(chuàng)新還是從企業(yè)社會責任角度出發(fā)，英飛凌都會不遺余力地在碳化硅領域做出自己的貢獻。據(jù)Yole預測，碳化硅市場規(guī)模有望在2025年超過25億美金，年復合增長率超過30%，其中可再生能源和新能源汽車等都是碳化硅極有前景

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• 絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動芯片技術優(yōu)勢及產(chǎn)品系列2022-04-02 01:41

  

  在之前的技術文章中，介紹了驅(qū)動芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術，本文會繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動芯片技術。高壓柵極驅(qū)動IC的技術經(jīng)過長期的發(fā)展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡稱SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對于傳統(tǒng)的導電型的硅襯底，它有三層結(jié)構(gòu)，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機械支撐

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