深圳市浮思特科技有限公司文章

• 如何降低功率元器件發(fā)生絕緣品質(zhì)異常2024-05-28 10:51

  

  當(dāng)絕緣體內(nèi)存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時(shí)，在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發(fā)生局部放電(PartialDischarge，PD)，導(dǎo)致絕緣劣化造成絕緣品質(zhì)異常。例如：樹酯內(nèi)有氣泡或漆包線間的氣隙，因?yàn)榭諝獾慕殡娤禂?shù)較低，氣泡或氣隙的電容量比原絕緣材料低，所以會分到相對高比例的電壓，且在相同間隙距離條件下，氣泡或氣隙的崩潰電壓比絕緣材料的低。此類放電發(fā)生于氣泡或氣隙等局部瑕疵

  功率元器件 585瀏覽量

• SemiQ 開始針對 SiC 產(chǎn)品組合實(shí)施已知良品芯片(KGD)計(jì)劃2024-05-27 11:19

  

  近日，SemiQ已啟動(dòng)了已知良好芯片(KGD)篩選計(jì)劃。該計(jì)劃提供經(jīng)過電氣分類和光學(xué)檢查的高質(zhì)量SiCMOSFET技術(shù)。該技術(shù)已準(zhǔn)備好進(jìn)行后端處理，并且可以直接作為芯片連接。SemiQ的已知良好芯片保證了一致的電氣參數(shù)，使客戶能夠在高壓電源、牽引逆變器和功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)等設(shè)備的構(gòu)建中依靠可重復(fù)的性能來實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)線成品率。統(tǒng)一的芯片特性有利于高功率模塊中各種器件的

  SemiQ SiC 芯片 555瀏覽量

• MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解2024-05-27 11:16

  

  今天我們來講一款FSTSICDIODE模塊MPRA1C65-S61，這款SiCModule可以適用更高的開關(guān)頻率，可忽略的反向恢復(fù)與開關(guān)損耗，大大的提高整機(jī)效率，可適當(dāng)?shù)臏p少散熱器件體積。模塊采用帶有散熱片的S6小型封裝，具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、用戶使用簡單靈活的特點(diǎn)，是焊接切割設(shè)備，開關(guān)電源充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊?？焖賲⒖紨?shù)據(jù):650V/10

  Module SiC 碳化硅 719瀏覽量

• 韓國籌劃622萬億韓元半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃，吸引國內(nèi)外中小企業(yè)強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)2024-05-24 11:46

  

  據(jù)悉，韓國政府正積極籌劃一項(xiàng)半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃，旨在面對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭加劇的背景下，培育和吸引國內(nèi)外中小企業(yè)加入其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。該計(jì)劃補(bǔ)貼預(yù)計(jì)622萬億韓元，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群目標(biāo)所采取的重要舉措。韓國，作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要參與者，近年來一直努力加強(qiáng)其在全球半導(dǎo)體市場中的地位。此次半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃的提出，標(biāo)志著韓國政府在應(yīng)對全球產(chǎn)業(yè)競爭方面邁出了重要步伐。根據(jù)韓國政府的計(jì)劃，補(bǔ)貼將針對有潛力的中

  半導(dǎo)體 525瀏覽量

• 適用于集成存儲和電動(dòng)汽車充電的光伏系統(tǒng)的 SiC MOSFET 模塊2024-05-24 11:45

  

  因?yàn)槭褂没剂蠋淼膯栴}，世界正面臨各種氣候挑戰(zhàn)，所以很多能源部門正轉(zhuǎn)型以應(yīng)對，不僅電力生產(chǎn)轉(zhuǎn)向更多可再生能源，住宅部門也在改變用電方式，如電動(dòng)汽車的普及和熱泵取暖。這些變化導(dǎo)致電力需求增加和住宅用電成本上升，進(jìn)而推動(dòng)了太陽能光伏、家庭電力存儲和電動(dòng)汽車充電設(shè)備的普及。這篇文章將討論SiCMOSFET如何通過創(chuàng)新封裝技術(shù)，有效整合這些電力需求，推動(dòng)電力電子

  MOSFET SiC 電動(dòng)汽車 634瀏覽量

• Nexperia(安世)發(fā)布高性能碳化硅MOSFET，滿足工業(yè)應(yīng)用增長需求2024-05-23 10:57

  

  近日，全球知名的半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia(安世)半導(dǎo)體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進(jìn)的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發(fā)布的MOSFET共包含四種不同選項(xiàng)，RDSon值分別為30、40、60和80mΩ，進(jìn)一步豐富了公司的SiCMOSFET產(chǎn)品線。Nexperia的這一最新發(fā)布是對其SiCMOSFET產(chǎn)品組合的快速擴(kuò)展。此前，該公司

  MOSFET smd封裝 半導(dǎo)體 826瀏覽量

• 基于 GaN 的 MOSFET 如何實(shí)現(xiàn)高性能電機(jī)逆變器2024-05-23 10:56

  

  推動(dòng)更高效的能源利用、更嚴(yán)格的監(jiān)管要求以及研發(fā)了冷卻操作的技術(shù)都能夠?qū)崿F(xiàn)減少電動(dòng)機(jī)的功耗，雖然硅MOSFET等開關(guān)技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，但它們通常無法滿足關(guān)鍵逆變器應(yīng)用更苛刻的性能和效率目標(biāo)。相反，設(shè)計(jì)人員可以使用氮化鎵(GaN)來實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，氮化鎵是一種寬帶隙(WBG)FET器件技術(shù)，在成本、性能、可靠性和易用性方面都得到了改進(jìn)和進(jìn)步。GaN器件是主流，已

  MOSFET 電機(jī) 逆變器 1129瀏覽量

• 聊聊幾種常見的單片機(jī)通信方式2024-05-22 12:28

  

  在這個(gè)數(shù)字化和智能化的時(shí)代，單片機(jī)(MicrocontrollerUnits,MCUs)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的核心組件。從簡單的家用電器如微波爐和洗衣機(jī)，到復(fù)雜的工業(yè)控制系統(tǒng)，甚至是高科技的自動(dòng)駕駛汽車，單片機(jī)都扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅負(fù)責(zé)執(zhí)行基本的控制任務(wù)，還處理數(shù)據(jù)、管理用戶界面，并與其他設(shè)備進(jìn)行通信，今天，我們就來深入了解一下單片機(jī)的幾

  單片機(jī) 工業(yè)控制 通信 2807瀏覽量

• 碳化硅(SiC)引領(lǐng)電力電子革命，成本優(yōu)勢顯著2024-05-21 11:11

  

  近期，市場對碳化硅(SiC)在高電流需求應(yīng)用中的應(yīng)用越來越感興趣，各大集成器件制造商正加速擴(kuò)大SiC的產(chǎn)能投資，并推出多款新產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心、電力基礎(chǔ)設(shè)施和電動(dòng)車等領(lǐng)域的需求。SiC的滲透率上升，顯著降低了系統(tǒng)成本，成為推動(dòng)市場接受度提高的重要因素。在最近的第三類半導(dǎo)體論壇上，SiC領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed指出，SiC的應(yīng)用顯著降低了系統(tǒng)成本，不僅節(jié)省

  電力電子 電動(dòng)車 碳化硅 588瀏覽量

• 浮思特自研(SiC Module)碳化硅功率模塊特性技術(shù)應(yīng)用2024-05-21 11:09

  

  SiCModule，即碳化硅功率模塊，是一種利用碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件。與傳統(tǒng)的硅基功率模塊相比，SiC模塊具有更高的熱導(dǎo)率、更高的擊穿電場強(qiáng)度和更低的導(dǎo)通電阻，這使得它們能夠在更高的溫度、頻率和電壓下工作，同時(shí)減少能量損耗。這些特性使得SiC模塊在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域中具有顯著的優(yōu)勢，推動(dòng)了電子技術(shù)的發(fā)展。MPRA1C65-S61模塊經(jīng)

  Module SiC 半導(dǎo)體 碳化硅 836瀏覽量