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• 碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型2025-07-03 09:47

  

  一、引言 碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導體領(lǐng)域地位關(guān)鍵，其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準確性，進給參數(shù)控制切割過程穩(wěn)定性，二者協(xié)同優(yōu)化對提升碳化硅襯底切割質(zhì)量與效率意義重大。然而，當前研究多將二者獨立分析，難以滿足高精度切割需求，亟需構(gòu)建協(xié)同優(yōu)化模型。 二、自動對刀系統(tǒng)與進給參數(shù)協(xié)同優(yōu)化的挑戰(zhàn) 2.1 動態(tài)交互復雜

  SiC 半導體 碳化硅 171瀏覽量

• 超薄碳化硅襯底切割自動對刀精度提升策略2025-07-02 09:49

  

  超薄碳化硅襯底（

  晶圓 碳化硅 131瀏覽量

• 修屏 4.0 時代：新啟航數(shù)字孿生技術(shù)如何實現(xiàn)激光修屏修復工藝遠程優(yōu)化？2025-07-01 09:55

  

  一、修屏 4.0 時代的技術(shù)特征 修屏 4.0 時代以智能化、數(shù)字化、遠程化協(xié)同為核心特征。傳統(tǒng)修屏依賴人工經(jīng)驗與現(xiàn)場調(diào)試，而 4.0 時代通過數(shù)字孿生、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)融合，實現(xiàn)修復全流程的虛擬映射與動態(tài)優(yōu)化。新啟航數(shù)字孿生技術(shù)打破時空限制，構(gòu)建激光修屏 “物理設(shè)備 - 虛擬模型 - 數(shù)據(jù)交互” 閉環(huán)，為遠程優(yōu)化修復工藝提供技術(shù)支撐。 二、新啟航數(shù)

  激光 面板 351瀏覽量

• 基于機器視覺的碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)設(shè)計與厚度均勻性控制2025-06-30 09:59

  

  一、引言 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，以其卓越的物理化學性能，在新能源汽車、軌道交通、5G 通信等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出不可替代的作用。然而，SiC 材料硬度高、脆性大的特性，給其襯底切割加工帶來了極大挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)切割方法存在切割精度低、效率慢、厚度均勻性差等問題，嚴重制約了 SiC 器件的性能與生產(chǎn)規(guī)模。在此背景下，開發(fā)基于機器視覺的碳化硅襯底切割

  晶圓 機器視 碳化硅 482瀏覽量

• 柔性屏激光修屏禁區(qū)突破：新啟航如何實現(xiàn)曲面 OLED 面板的無損修復？2025-06-28 09:48

  

  一、引言 柔性 OLED 面板憑借其輕薄、可彎曲等特性，在智能終端、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應用。然而，生產(chǎn)過程中面板易出現(xiàn)缺陷，傳統(tǒng)修復方法難以滿足曲面 OLED 面板的無損修復需求。新啟航半導體有限公司在激光修屏技術(shù)上取得突破，為曲面 OLED 面板修復提供了新路徑。 二、曲面 OLED 面板特性與修復難點 2.1 結(jié)構(gòu)與特性 曲面 OLED 面板主要

  OLED 激光屏 176瀏覽量

• 循環(huán)經(jīng)濟 2.0：海翔科技如何用區(qū)塊鏈技術(shù)追溯二手設(shè)備全生命周期2025-06-27 09:58

  

  摘要：在循環(huán)經(jīng)濟 2.0 時代，資源高效利用與透明化管理成為核心訴求。海翔科技創(chuàng)新性地將區(qū)塊鏈技術(shù)應用于二手半導體設(shè)備全生命周期追溯，為行業(yè)發(fā)展提供新范式。本文通過分析循環(huán)經(jīng)濟 2.0 背景下的行業(yè)需求，闡述區(qū)塊鏈技術(shù)在二手設(shè)備追溯中的應用路徑、優(yōu)勢及面臨的挑戰(zhàn)，揭示海翔科技如何借助技術(shù)創(chuàng)新推動二手設(shè)備產(chǎn)業(yè)升級。 一、引言 循環(huán)經(jīng)濟 2.0 強調(diào)在資源循

  區(qū)塊鏈技術(shù) 設(shè)備 341瀏覽量

• 自動對刀技術(shù)對碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性優(yōu)化2025-06-26 09:46

  

  摘要：碳化硅襯底切割對起始位置精度與厚度均勻性要求極高，自動對刀技術(shù)作為關(guān)鍵技術(shù)手段，能夠有效提升切割起始位置精度，進而優(yōu)化厚度均勻性。本文深入探討自動對刀技術(shù)的作用機制、實現(xiàn)方式及其對切割工藝優(yōu)化的重要意義。 一、引言 碳化硅襯底是第三代半導體器件的核心基礎(chǔ)材料，其切割質(zhì)量直接影響器件性能與成品率。在碳化硅襯底切割過程中，起始位置精度不足會導致切割路徑偏

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• 碳化硅襯底切割進給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型2025-06-25 11:22

  

  摘要：碳化硅襯底切割過程中，進給量與磨粒磨損狀態(tài)緊密關(guān)聯(lián)，二者協(xié)同調(diào)控對提升切割質(zhì)量與效率至關(guān)重要。本文深入剖析兩者相互作用機制，探討協(xié)同調(diào)控模型構(gòu)建方法，旨在為優(yōu)化碳化硅襯底切割工藝提供理論與技術(shù)支撐。 一、引言 碳化硅憑借優(yōu)異的物理化學性能，成為第三代半導體材料的核心。在其襯底加工環(huán)節(jié)，切割是關(guān)鍵工序。切割進給量直接影響切割效率與材料去除率，而磨粒磨損

  碳化硅 334瀏覽量

• 晶圓邊緣 TTV 測量的意義和影響2025-06-14 09:42

  

  摘要：本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導體制造中的重要意義，分析其對芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響，同時研究測量方法、測量設(shè)備精度等因素對測量結(jié)果的作用，為提升半導體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)。 關(guān)鍵詞：晶圓邊緣；TTV 測量；半導體制造；器件性能；良品率 一、引言 在半導體制造領(lǐng)域，晶圓總厚度偏差（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標之一，而晶圓邊

  晶圓 測量 165瀏覽量

• 基于進給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)2025-06-13 10:07

  

  碳化硅襯底切割過程中，厚度不均勻問題嚴重影響其后續(xù)應用性能。傳統(tǒng)固定進給量切割方式難以適應材料特性與切割工況變化，基于進給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度均勻性提供了新思路，對推動碳化硅襯底加工技術(shù)發(fā)展具有重要價值。 技術(shù)原理分析 梯度調(diào)節(jié)依據(jù) 碳化硅硬度高、脆性大，切割起始階段，材料表面完整，刀具與材料接觸狀態(tài)穩(wěn)定，可采用相對較大的進給量提高加工效率

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