為了安全使用SiC模塊，需要計算工作條件下的功率損耗和結溫，并在額定值范圍內使用。MOSFET損耗計....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 06-18 17:44
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三菱電機集團近日宣布與GE Vernova公司（美國馬薩諸塞州劍橋）簽署諒解備忘錄，強化雙方在高壓直....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 06-13 14:17
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截至2025年3月31日的財年，半導體器件實現(xiàn)了2863億日元的營收實績，占三菱電機全業(yè)務線的5.2....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 06-09 17:55
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在電力電子領域，當多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 05-30 14:33
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通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 05-23 10:52
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量子科技、具身智能、6G等未來產業(yè)，都依賴半導體技術的支撐，頭部半導體企業(yè)擁有長期高增長前景。三菱電....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 05-16 10:20
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柵極驅動器是確保SiC MOSFET安全運行的關鍵，設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 05-06 15:54
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柵極驅動器是保證SiC MOSFET安全運行的關鍵，設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 04-24 17:00
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三菱電機集團今日宣布，將于4月22日開始供應兩款新型空調及家電用SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 04-16 14:58
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三菱電機集團近日宣布，將于5月1日開始供應其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 04-10 11:34
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近日，在“智慧新生態(tài)，共贏新時代”2025海爾智家全球供應商合作伙伴大會上，三菱電機憑借為其變頻空調....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 04-02 11:24
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本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 03-26 16:52
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商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 03-12 15:53
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SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 02-26 15:07
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SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持17....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 02-12 11:26
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三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內部結構，與現(xiàn)有的Si....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 01-22 10:58
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三菱電機株式會社近日宣布，將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 01-17 09:36
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在Si-IGBT的DIPIPM基礎上，三菱電機開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 01-08 13:48
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三菱電機集團近日宣布，將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 12-25 15:59
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三菱電機開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產品化，率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中，是一家....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 12-18 17:35
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1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前，....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 12-04 10:50
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三菱電機集團近日宣布，將投資約100億日元，在日本福岡縣的功率器件制作所建設一座新的功率半導體模塊封....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 11-20 17:57
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柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 11-20 17:38
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三菱電機集團近日宣布提供用于下一代光收發(fā)器的新型200Gbps PIN光電二極管（PD）芯片樣品，以....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 11-14 15:06
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三菱電機集團近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規(guī)....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 11-14 15:03
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本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 11-14 14:59
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SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學計量比組成的晶體，因其內部結構堆積順序的不同，形成不同的....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 11-14 14:57
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與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 11-14 14:55
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SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 11-14 14:53
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高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以....
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三菱電機半導體 發(fā)表于 11-14 14:51
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工商網監(jiān)