恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF
2011-08-16 08:51:27
1163 X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:14477 
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)03N10 100V 3A SOT-89 MOS管 HN03N10D，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN03N10D參數(shù)：100V 3ASOT-89 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌
2021-03-24 10:44:05
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 10N10 100V 10A 香薰機(jī)MOS管 ,原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷10N10參數(shù)： TO-252/SOT-89100V10AN溝道 MOS場效應(yīng)管
2020-07-31 14:50:51
`100V MOS管100V 貼片MOS 100V常用MOS推薦：HC160N10L，HC080N10L，HC240N10LS，原裝現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)惠！100V 3A/5A/8A霧化器MOS管,3A
2020-11-14 14:19:22
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng) 4N10 100V MOS，替代型號(hào)HN0501，mos原廠，庫存現(xiàn)貨熱銷 4N10 ：100V 4A SOT-23 N溝道MOS管/場效應(yīng)管 HC0551010參數(shù)：100V
2020-11-20 14:48:03
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 100V 15A 汽車LED燈MOS管 HN15N10DA，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN15N10DA參數(shù)：100V 15A TO-252 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌
2021-05-08 15:39:38
型號(hào)：HC160N1038VDS：100VIDS：3A封裝：SOT-23溝道：N溝道100V MOS管HC160N1038 原廠mos，庫存現(xiàn)貨熱銷可以替代SI2328DS售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)上
2020-11-20 13:54:17
10LS運(yùn)用在香薰機(jī)MOS管上。HC160N10LS參數(shù)：100V 4A SOT-23 N溝道MOS管/場效應(yīng)管品牌：惠海半導(dǎo)體型號(hào)：HC160N10LSVDS：100VIDS：4A封裝：SOT-23溝道：N
2020-10-09 15:36:45
低內(nèi)阻小節(jié)電容發(fā)熱小中低壓MOS大全TO-252 SOT23-3封裝100V MOS管100V 30A 35A 50A 23 23L SOP8 TO-252 N溝道MOS管【低電壓開啟低內(nèi)阻】主營
2021-03-13 09:34:36
的技術(shù)支持、售前服務(wù)及售后服務(wù)，讓您無任何后顧之憂應(yīng)用范圍：LED燈控制器MOS管、LED燈驅(qū)動(dòng)板用MOS管 、100V加濕器MOS管,100V香薰機(jī)MOS管，100V霧化器MOS管，100V美容儀MOS管
2020-09-25 15:55:42
100V MOS管100V 貼片MOS 100V常用MOS推薦：HC160N10L，HC080N10L，HC240N10LS，原裝現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)惠！100V 3A/5A/8A霧化器MOS管,3A/5A
2020-11-02 15:15:36
SOT-89 N溝道MOS管/場效應(yīng)管HN03N10D參數(shù)：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管HN0801產(chǎn)品應(yīng)用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
SL3036SL3028功率10W 36V48V50V55V60V系列GPS追蹤器降壓IC芯片，GPS追蹤器供電降壓IC、GPS供電芯片，電瓶車GPS供電IC，100V電瓶車GPS電源芯片、GPS降壓IC恒壓IC電源
2019-02-27 10:30:00
、SL3038等100V降壓IC，已經(jīng)在POE和GPS行業(yè)應(yīng)用多年，各大廠商都有使用SL3036、SL3036H、SL3038等系列芯片。100V降壓12V 100V轉(zhuǎn)5V3A恒壓IC電動(dòng)車SL3036H
2018-12-07 16:12:14
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，實(shí)際電壓可以達(dá)到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。HC510參數(shù)：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管
2020-07-24 17:25:11
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
摻雜的N-的外延層即epi層來控制。圖2：N溝道垂直導(dǎo)電的平面結(jié)構(gòu)及Rdson組成 在低壓器件中，由于N-外延層比較薄，N+層和漏極的金屬襯底對(duì)通態(tài)的電阻影響大；大于100V的器件，N-外延層是通態(tài)電阻
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET結(jié)構(gòu)圖1列出這二種溝道功率MOSFET的結(jié)構(gòu)，都是溝槽型Trench結(jié)構(gòu)。從結(jié)構(gòu)上來看，襯底都是漏極D，但半導(dǎo)體的類型不同：N溝道的漏極是N型半導(dǎo)體，P溝道的漏極是P型半導(dǎo)體。當(dāng)N溝道
2016-12-07 11:36:11
RDS（ON）MOSFET。 AON7804非常適合用于緊湊型DC / DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。推薦產(chǎn)品：AON7804AOS其它相關(guān)產(chǎn)品請 點(diǎn)擊此處 了解特性：V[sub]DS[/sub]=30VI[sub
2019-07-22 09:31:55
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
能NCE型號(hào)：NCE0106RVDS：100VIDS ： 6A封裝: SOT-89溝道：N溝道種類：絕緣柵(MOSFET)NCE0106R原裝，NCE0106R庫存現(xiàn)貨熱銷NCE0106R為新潔能推出
2020-10-28 16:28:24
廣泛運(yùn)用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品。NCE0140KA為新潔能推出的100V，N溝道，大電流MOS，NCE0140KA實(shí)際電流可以達(dá)到40A，可以滿足充電器，移動(dòng)電源
2019-11-20 11:02:40
OC6702 是一款內(nèi)置100V 功率NMOS 高效率、高精度的升壓型大功率LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片。OC6702 采用固定關(guān)斷時(shí)間的控制方式，關(guān)斷時(shí)間可通過外部電容進(jìn)行調(diào)節(jié)，工作頻率可根據(jù)用戶要求而改變
2020-05-27 10:56:26
，增強(qiáng)型MOSFET分為P溝道增強(qiáng)型和N溝道增強(qiáng)型，耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中，小編將介紹其中一種類型的MOSFET，即P溝道MOSFET?；靖拍?b class="flag-6" style="color: red">溝道由大多數(shù)電荷載流子作為
2022-09-27 08:00:00
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
一般說明PW2324采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和柵極電壓低至4.5V的操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。特征 VDS=100V，ID=3.7A RDS（開）
2020-12-11 16:35:03
`深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管，替代AO系列。 可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:20:57
`產(chǎn)品概述SL3041是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管可設(shè)定輸出電流的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器?？晒ぷ髟趯捿斎腚妷悍秶哂袃?yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（10v至100v）提供最大3A電流的高效率
2021-04-22 11:52:09
產(chǎn)品概述SL3041 是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管可設(shè)定輸出電流的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器?？晒ぷ髟趯捿斎腚妷悍秶哂袃?yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（10V至100V）可提供最大3A電流的高效率
2021-09-29 10:25:53
溝道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N溝道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N溝道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-04-07 15:06:41
溝道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N溝道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N溝道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-03-24 10:35:56
時(shí)，客戶工程師發(fā)現(xiàn)：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時(shí)，Q1的導(dǎo)通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時(shí)候，VTH比正向?qū)ǖ臅r(shí)候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
MOSFET作為開關(guān)使用串聯(lián)在電池負(fù)極和開關(guān)電源負(fù)極之間，但總是燒壞MOSFET，MOSFET選用的是IXFN420N10T，Ids可達(dá)420A，Vds最大100V，而開關(guān)電源是適配48V，電池是鉛酸電池
2016-09-06 12:51:58
````低壓100V貼片MOS管100V4A 4N10 SOT23-3封裝MOS管型號(hào)：HC510中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，實(shí)際電壓可以達(dá)到100V，可以滿足LED電源
2020-07-25 14:36:55
型號(hào)如下：型號(hào)：HC240N10LSN溝道場效應(yīng)管 絲印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封裝，內(nèi)阻200mR 型號(hào)：HC160N10LSN溝道場效應(yīng)管 絲印HC510 100V
2020-09-23 11:38:52
型號(hào)如下：型號(hào)：HC240N10LSN溝道場效應(yīng)管 絲印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封裝，內(nèi)阻200mR 型號(hào)：HC160N10LSN溝道場效應(yīng)管 絲印HC510 100V
2020-10-14 15:18:58
溝道 MOS管60V 50A TO-252 N溝道 MOS管【100V MOS N溝道 】 100V 5A SOT-23 N溝道 MOS管100V 8A SOT-89 N溝道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
東芝的2SK216 N溝道增強(qiáng)型MOSFET 可以用什么型號(hào)的管子直接替換！ 求高手解答！
2011-10-16 22:05:20
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
`霧化器、美容儀、加濕器、香薰機(jī)MOS 100V 調(diào)光LED燈MOS管 5N10【SOT23-3】，10N1012N10 15N10 TO-252HC510中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封
2020-09-23 09:42:17
TDK集團(tuán)隆重推出適合超聲波應(yīng)用的全新B78416A*系列緊湊型愛普科斯 （EPCOS） EP6變壓器。新系列元件為表面安裝 （SMD） 型，有五種型號(hào)供選擇，覆蓋1:1:8.42至1:1:15
2022-02-17 16:04:14
保護(hù)、輸出短路保護(hù)和過溫保護(hù)。SL3041 外圍電路簡單，封裝采用ESOP8產(chǎn)品特點(diǎn)● 3A輸出峰值電流● 10V至100V寬工作電壓范圍● 內(nèi)置100V功率MOSFET● 130KHZ固定開關(guān)頻率
2021-07-30 10:38:25
利用ARM7(LPC2210)與CMOS感光芯片(OV7620)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)緊湊型圈像采集、處理系統(tǒng);通過夸理利用LPC2210數(shù)據(jù)總線的工作方式，有效地消除了OV7620對(duì)系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的干擾
2020-04-28 06:38:33
我試圖使用以太網(wǎng)將成像器從spartan6 sp605轉(zhuǎn)移到pc。在基準(zhǔn)參考設(shè)計(jì)界面中，它顯示“鏈接已連接到fpga”，但以太網(wǎng)狀態(tài)LED未激活。我想從緊湊型閃存添加一個(gè)圖像，我想用以太網(wǎng)傳輸它。在
2019-09-16 09:52:13
你好，我正在使用XUPV5-LX110T評(píng)估平臺(tái)，我想將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀取到一個(gè)緊湊型閃存（CF），CF存儲(chǔ)器插槽就在平臺(tái)上。關(guān)于如何實(shí)現(xiàn)它的任何想法？謝謝，普拉卡什。
2019-08-19 07:59:53
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
描述該用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的三相緊湊型功率級(jí)參考設(shè)計(jì)使用支持基本電容隔離要求的 UCC53xx 柵極驅(qū)動(dòng)器，可通過光耦合器提供更長的使用壽命和更佳的傳播延遲匹配，從而最大程度地減小逆變器死區(qū)失真和損耗
2018-09-30 09:44:42
了市場的許可和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。ROHM公司推出了SML-M13和SML-MN2系列帶反射器的緊湊型LED，其中SML-M13系列LED型號(hào)包括
2019-03-29 03:56:31
溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的縮寫。對(duì)工程師來說
2021-04-09 09:20:10
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSF
2010-02-05 08:37:091769 東芝泰格株式會(huì)社(TOSHIBA TEC)推出一款緊湊型超靜音WILLPOS C10重型終端，以滿足制造、運(yùn)輸、零售和能源相關(guān)行業(yè)的任務(wù)關(guān)鍵型移動(dòng)應(yīng)用需求
2011-05-19 08:56:57658 日前，東芝公司宣布，公司已為智能手機(jī)與平板電腦燈移動(dòng)設(shè)備的高電流充電電路開關(guān)推出超緊湊型MOSFET，包括兩種高功耗封裝電池“SSM6J781G”和“SSM6J771G”。
2013-07-30 16:27:391141 
東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 關(guān)鍵詞：MOSFET , NXP , PBSM5240PF , Trench 恩智浦半導(dǎo)體（NXP）推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道
2019-01-07 12:53:02591 新產(chǎn)品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時(shí)能夠進(jìn)行自動(dòng)目視檢查，從而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463093 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:11
3 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081 適用于緊湊型、高效、低EMI電源的60V和100V、低IQBoost/SEPIC/倒相轉(zhuǎn)換器
2021-05-27 11:55:175 的能力主要通過實(shí)踐培養(yǎng)起來的。 近日，東芝針對(duì)汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計(jì)中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)前市
2021-10-25 14:16:291658 
的能力主要通過實(shí)踐培養(yǎng)起來的。 新品 近日，東芝針對(duì)汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計(jì)中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)
2021-11-26 15:22:501827 
東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 （“東芝
2022-03-18 17:35:264581 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 NP16P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:001412 
NP2P10MR(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:57946 
采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN280ENEA
2023-02-20 20:01:430 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV280ENEA
2023-02-20 20:01:560 LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、36.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，專為高功率 PoE 應(yīng)用而設(shè)計(jì)-PSMN040-100MSE
2023-02-23 18:40:070 D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570 點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
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