富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:23
4212 賽普拉斯非易失性隨機(jī)存取存儲器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風(fēng)險(xiǎn)”狀態(tài)，無論是在正常運(yùn)行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:2610429 
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識這個全稱；它通?？s寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個 DDR 芯片上畫
2018-04-02 09:21:218082 在同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
說起存儲器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機(jī)存取存儲器，隨機(jī)存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
，用于存放正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。CPU可以直接進(jìn)行隨機(jī)讀寫，訪問速度較高。RAM：（Random Access Memory），隨機(jī)存取存儲器，是一種可讀/寫存儲器，一般用于計(jì)算...
2021-07-26 08:08:39
設(shè)計(jì)（重點(diǎn)）位擴(kuò)展（位并聯(lián)法）字節(jié)擴(kuò)展（地址串聯(lián)法）【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類這里我們揀SRAM和DRAM來講【3】SRAM基本原理：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)：所謂...
2021-07-29 06:21:48
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機(jī)存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機(jī)讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
實(shí)驗(yàn)二靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實(shí)驗(yàn)
2021-12-03 08:22:16
靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM存儲數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
ARM體系結(jié)構(gòu)中主要半導(dǎo)體存儲器嵌入式系統(tǒng)使用的存儲器有多種類型，按其存取特性可分為隨機(jī)存取存儲器和只讀存儲器；按照所處的物理位置可分為片內(nèi)存儲器和片外存儲器以及外部存儲設(shè)備；按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除，而EEPROM可以單個字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動態(tài)隨機(jī)
2022-03-02 07:20:19
它們寫入靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器一個長期的存儲設(shè)備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。對靜電敏感。正如
2021-12-03 15:47:25
MT47H64M16NF-25E:M動態(tài)隨機(jī)存取存儲器：規(guī)格：存儲器類型易失存儲器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲容量1Gb （64M x 16）存儲器接口并聯(lián)時鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
監(jiān)視ic的adm708（模擬器件）和74hc系列的cmos門組成電路。 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）多年來被廣泛應(yīng)用于各種場合。凡是需要快速存取數(shù)據(jù)方面的應(yīng)用，特別會要求初始存取等待時間
2020-12-10 16:44:18
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
驅(qū)動器和磁泡存儲器。從1970年代開始，主流的集成半導(dǎo)體存儲器則主要分為三類：動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SRAM) 和閃存。計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
（StaticRandom-AccessMemory）即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，所謂“靜態(tài)”是指這種存儲器只要保持通電，里面存儲的數(shù)據(jù)就可以一直保持，但是掉電之后就會丟失。與DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存...
2021-08-12 06:14:59
sram存儲原理是依靠，概念靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下
2019-04-16 09:20:18
Erasable PROM）?！ 。?） 混合型?！ 《雽?dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 ?。?）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34
怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
什么是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器？SRAM是由哪些部分組成的？
2021-10-09 08:37:59
方式隨機(jī)存取存儲器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動態(tài) RAM（DRAM）動態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲器（ROM）存儲容量的擴(kuò)展存儲器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲器概述
2021-07-26 06:22:47
字節(jié)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它通過簡單的串行接口與微處理器通信。實(shí)時時鐘/日歷提供秒、分、小時、日、月、星期和年的信息。對于少于31天的月份，月末日期會自動調(diào)整，包括閏年的更正。時鐘以24小時制或12小時制運(yùn)行，帶有上午/下午指示器。3.地址命令字節(jié)MSB(位7)必須是邏輯1。如果為0，對DS130
2022-01-17 08:30:02
鐵電存儲器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲器，它將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號都記錄在時鐘信號CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
第三十一講 隨機(jī)存取存儲器
9.3 隨機(jī)存取存儲器9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲單元一、
2009-03-30 16:36:571138 
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43700 
摘要：該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機(jī)存取存儲器(RTC + FRAM)的高精度實(shí)時時鐘，無需外接電池即可保持存儲器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49677 
名稱 RAM（隨機(jī)存取存儲器） RAM -random access memory 隨機(jī)存儲器 定義 存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
2010-06-29 18:16:592213 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011420 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321917 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運(yùn)作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 DS1346/DS1347的SPI?兼容的實(shí)時時鐘(RTC)含有一個實(shí)時時鐘/日歷和31 × 8位靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331600 
據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報(bào)道，美國科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲設(shè)備鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲數(shù)據(jù)的存儲器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對一種特定的應(yīng)用。本文旨在對目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評述。
2017-11-03 18:03:052730 所謂「隨機(jī)訪問」，指的是當(dāng)存儲器中的訊息被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對的，存取順序訪問（SequenTIal Access）存儲設(shè)備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系（如磁帶）。
2018-06-28 12:17:0011794 TMS320C55x（C55）外部存儲器接口（EMIF）支持無粘性接口高密度和高速同步突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SBSRAM）。對于時鐘SBSBRAM，EMIF可以在眾多C55×DSP CPU時鐘輸出倍頻下工作。給出了支持不同類型SBSRAM存儲器的系統(tǒng)級連接和寄存器配置的例子。
2018-05-04 08:51:19
13 本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲器接口（EMIF）和TMS320C6000 DSP EMIF的特點(diǎn)。這兩個接口都支持異步存儲器、同步突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SBSRAM）和同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）。
2018-05-07 11:01:063 美國芯片設(shè)計(jì)商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業(yè)Reliance Memory，以實(shí)現(xiàn)電阻式隨機(jī)存取存儲器（RRAM）技術(shù)的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:005566 隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。
2018-05-17 17:04:5819724 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是STM32同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）的源代碼程序資料免費(fèi)下載
2018-08-31 15:53:3921 隨機(jī)存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲器的最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1143323 半導(dǎo)體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011606 
隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4915155 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:243653 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地
2019-04-01 16:17:4232430 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM的讀寫實(shí)驗(yàn)報(bào)告書免費(fèi)下載。
2019-08-02 17:39:284 SRAM表示靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，只要供電它就會保持一個值，它沒有刷新周期，由觸發(fā)器構(gòu)成基本單元，集成度低，每個SRAM存儲單元由6個晶體管組成，因此其成本較高。
2019-09-11 16:26:212553 我們許多人都知道，隨機(jī)存取存儲器（Random Access Memory，縮寫：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。
2020-01-13 11:50:271949 新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生，也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它通常以六個聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲器，但也是最貴的，也占用了比動態(tài)隨機(jī)存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582764 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034771 
鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲器，它將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:166106 UG-1755：評估ADG5401F故障保護(hù)，6Ω隨機(jī)存取存儲器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關(guān)
2021-03-23 00:21:254 ADG7421F：低壓故障保護(hù)和檢測，20?隨機(jī)存取存儲器，雙單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 實(shí)驗(yàn)二 靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實(shí)驗(yàn)
2021-11-23 17:51:0737 一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所使用的隨機(jī)存取內(nèi)存主要包括動態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，...
2022-02-07 12:29:531 國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，內(nèi)部組織為32K字，每個字8位。最大時鐘20MHz，采用最先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 
富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021132 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨(dú)配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個采用CMOS工藝（6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，堆疊六個SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256Kx40bit寬的獨(dú)立塊數(shù)據(jù)接口。可以使用專用的#CSn單獨(dú)選擇每個塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四個采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR16M16XS54XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。該SIP模塊采用VDIC非常密集的SIP技術(shù)制造，可堆疊四個4-Mbit SRAM組采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為四個256K x的獨(dú)立塊16位寬數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 14:17:250 VDSR8M32XS64XX2V12是一種高速、高度集成的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，包含8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。每個銀行都有16位接口，并通過特定的#CS。它特別適用于高可靠性、高性能和高密度系統(tǒng)應(yīng)用程序，如固態(tài)質(zhì)量記錄器、服務(wù)器或工作站。
2022-06-08 11:55:591 VDSR8M16XS54XX2V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。該SIP模塊采用VDIC非常密集的SIP技術(shù)制造，可堆疊四個4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256K×的獨(dú)立區(qū)塊16位寬數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 11:53:180 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨(dú)配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個2Mx的獨(dú)立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SIP制造技術(shù)，該設(shè)備堆疊4個4-Mbit MRAM模具。它由四個512K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機(jī)存取存儲器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨(dú)立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個1-Mbit MRAM模具。它由四個128K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個獨(dú)立模塊。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模塊。
2022-06-08 10:18:481 W9825G6KH是一種高速同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM），由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達(dá)每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個人計(jì)算機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060 SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
2022-11-17 14:53:32893 在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463113 
相變隨機(jī)存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:15699 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39546 
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 16:38:391598 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55317 ，非易失性存儲器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34817 后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27379 低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56303 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39358
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論