非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
13 
“
華為中國政企的成功
之路只有一條，那就是‘伙伴+
華為’
之路。
華為在醫(yī)療健康行業(yè)市場的數(shù)智化
之路，需要伙伴的一路同行?！?/div>
2024-03-19 09:24:17166 隨著數(shù)據(jù)存儲需求的持續(xù)增長，數(shù)據(jù)中心存儲技術(shù)和架構(gòu)不斷發(fā)展以滿足企業(yè)和消費者的需求。在本節(jié)中，我們將分析數(shù)據(jù)中心存儲未來的一些關(guān)鍵趨勢。 一、全閃存存儲陣列 隨著閃存成本的下降以及相對于傳統(tǒng)硬盤
2024-03-18 17:39:22141 存儲卡 閃存 2GB
2024-03-14 23:16:25
在巴塞羅那舉辦的2024年世界移動通信大會上，華為數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品線總裁周躍峰博士詳細(xì)介紹了即將面世的OceanStorArctic磁電存儲產(chǎn)品。
2024-03-14 15:12:591284 近日，中國華為公司數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品線總裁周躍峰博士在巴塞羅那世界移動通信大會上介紹了即將推出的磁電存儲設(shè)備“OceanStor Arctic”。
2024-03-11 15:23:531143 我有一個 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個 NOR 閃存，我可以從中將固件讀取到 RAM，然后 NOR 閃存的一部分內(nèi)存應(yīng)該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲設(shè)備。
我應(yīng)該采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
曙光存儲推出ParaStor分布式全閃存儲，攜業(yè)內(nèi)首創(chuàng)技術(shù)XDS，以訓(xùn)練加速、穩(wěn)定性強、性價比高的獨特價值，全維度涵蓋網(wǎng)絡(luò)、計算和平臺，為千行百業(yè)的AI大模型開發(fā)者提供存儲解決方案。
2024-03-01 11:30:19137 存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
2024-02-22 16:21:51612 近日，華為在數(shù)據(jù)存儲新春新品發(fā)布會上，向全球展示了其全新的數(shù)據(jù)湖解決方案，以及專為商業(yè)市場與分銷市場設(shè)計的全閃存存儲新品。這些創(chuàng)新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著華為在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域邁出了重要的一步，旨在幫助金融、政府、運營商以及教育科研等行業(yè)更好地管理和利用他們的數(shù)據(jù)資產(chǎn)。
2024-02-21 10:35:01245 此次發(fā)布的新品包括OceanStor Dorado 2100，這是業(yè)界首款面向非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)設(shè)計的A-A架構(gòu)入門級全閃存NAS，還有對應(yīng)升級的SAN存儲OceanStor Dorado 2000和支持SAN&NAS一體化的OceanStor Dorado 3000。
2024-02-20 14:18:32193 NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器和智能手機存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
文章目錄介紹創(chuàng)世SD卡引腳與NORFlash存儲比較介紹SDNANDFLASH（SecureDigitalNANDFlash）是一種安全數(shù)字NAND閃存技術(shù)，通常用于存儲數(shù)據(jù)，并且具有一些額外的安全
2024-01-24 18:29:55373 
近日，佰儲存儲在印度第15屆DT Awards 2023頒獎盛典上大放異彩，憑借在存儲技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品競爭力以及市場服務(wù)方面的卓越表現(xiàn)，成功斬獲“增長最快的閃存制造商品牌”大獎。這一榮譽不僅體現(xiàn)了公司在印度市場的卓越表現(xiàn)，更是對其全球化戰(zhàn)略的有力肯定。
2024-01-24 17:34:59427 近日，佰維亮相印度第15屆DT Awards 2023頒獎盛典，公司憑借在存儲技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品競爭力以及市場服務(wù)方面的突出表現(xiàn)，斬獲了“增長最快的閃存制造商品牌”大獎。
2024-01-24 17:30:15168 光子特別適合傳輸量子信息。光子可用于通過光纜向衛(wèi)星或量子存儲元件發(fā)送量子信息。但光子的量子力學(xué)狀態(tài)必須是盡可能精確地存儲，并經(jīng)過一定時間后再轉(zhuǎn)換回光子。
2024-01-22 14:42:00169 IDC數(shù)據(jù)表明，傳統(tǒng)企業(yè)存儲系統(tǒng)中的全閃陣列同比下降5.5%，用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲。
2024-01-03 10:43:18282 
華為在2023年第三季度全閃存（SSA）全球市場中表現(xiàn)出色，實現(xiàn)了驚人的增長，市場份額首次超越Dell，成為全球全閃存市場的季度第一。
2023-12-29 16:18:25522 （RDMA over Converged Ethernet）被廣大存儲廠商所接受，成為業(yè)界NoF的主流。華為推出的NoF+存儲網(wǎng)絡(luò)解決方案，相較于標(biāo)準(zhǔn)NoF方案，在性能、可靠性、易用性上均實現(xiàn)了顛覆性改進(jìn)，是全閃存時代的最佳選擇。
2023-12-18 16:41:00470 
FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存，閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲特性相當(dāng)于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
2023-12-15 14:06:27419 NOR FLASH是一種非易失性存儲技術(shù)，對計算機存儲具有重大影響，閃存其獨特的特性和功能影響著計算機存儲系統(tǒng)的各個方面
2023-12-05 10:32:31332 本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見，在本文中除特別說明外，統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx。 STM32F10xxx內(nèi)嵌的閃存存儲器可以用于在線編程(ICP)或在程序中編程(IAP)燒寫。
2023-11-28 15:16:56
2 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17911 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《性能超群的含閃存存儲器、8引腳PIC微控制器.pdf》資料免費下載
2023-11-17 11:02:010 長江存儲在以上起訴書中稱，長江存儲不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論：長江存儲是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過了美光。
2023-11-13 16:53:04531 
訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289 華為鴻蒙系統(tǒng)（HUAWEI Harmony OS），是華為公司在2019年8月9日于東莞舉行的華為開發(fā)者大會（HDC.2019）上正式發(fā)布的操作系統(tǒng)。
華為鴻蒙系統(tǒng)是一款全新的面向全場景的分布式
2023-11-02 19:39:45
長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無出其右者。
2023-11-02 11:11:46842 
快閃存儲器（flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙?b class="flag-6" style="color: red">存儲器。它是一種非易失性存儲器，即斷電數(shù)據(jù)也不會丟失。
2023-10-24 15:19:17498 
近期，DEKRA德凱攜手華為智能光伏，共同參加由光伏行業(yè)媒體PV Tech舉辦的線上研討會，向全球觀眾分享并探討逆變器安全創(chuàng)新之路。
2023-10-23 12:30:52400 中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?！蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 日前有媒體報道稱，受三星等存儲原廠減產(chǎn)以及國內(nèi)閃存龍頭存儲顆粒產(chǎn)能不足的影響，內(nèi)存和閃存元器件采購成本逐步上漲。
2023-10-16 11:13:05452 非易失性的新技術(shù)，力求制造出同時替代閃存和DRAM的通用存儲。 ? ULTRARAM 與閃存和DRAM的區(qū)別 ? 閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲形式，因為其特性不同，往往只能被分別用于特定場景中。以閃存為例，其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴(kuò)展性等特點，但缺點在于
2023-10-09 00:10:001310 云端原生的實現(xiàn)，就現(xiàn)在來看，華為的Serverless應(yīng)該是系統(tǒng)地考慮了這個問題。
而前端的實現(xiàn)，現(xiàn)在官方主推為“Stage模型+ArkTS+API9及以上”應(yīng)用開發(fā)，我們認(rèn)為通過以上方式實現(xiàn)
2023-10-08 10:22:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何對STM8S和STM8A閃存程序存儲器和數(shù)據(jù)EEPROM進(jìn)行編程.pdf》資料免費下載
2023-10-07 16:05:500 本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見，在本文中出特別說明外，統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33
原文標(biāo)題：倒計時1天 | 華為全聯(lián)接大會2023，聚焦變革之路，共享智能化洞見！ 文章出處：【微信公眾號：中軟國際】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
2023-09-19 21:00:04548 片上閃存特性和系統(tǒng)框圖
? 存儲空間組織架構(gòu)
? 用戶閃存
? 系統(tǒng)閃存
? OTP
? 選項字節(jié)
? 閃存讀接口
? 等待周期
? 指令預(yù)取
? 指令高速緩存
? 數(shù)據(jù)高速緩存
? 擦除和編程操作
? 讀保護(hù)和寫保護(hù)
? STM32F2和STM32F1的閃存特性比較
2023-09-13 07:10:38
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
的存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，交流最新技術(shù)與行業(yè)趨勢。 會議現(xiàn)場，華為、浪潮、Solidum、鎧俠、戴爾、慧榮科技等廠商均展出了旗下創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品。 在慧榮科技與旗下專注于企業(yè)級存儲領(lǐng)域子公司寶存科技的展臺上，可以看到業(yè)界首款采用QLC閃存的ZNS（Zone Namespaces）SSD產(chǎn)品，在
2023-09-06 15:34:29498 。
Keil C166開發(fā)工具版本4.02和更高版本幫助解決了這個問題！
L166鏈接器/定位器現(xiàn)在能夠在閃存中存儲功能代碼，同時允許您定義不同的執(zhí)行地址(通常在RAM中)。
您可以輕松地將代碼復(fù)制到
2023-09-01 11:10:08
Mate60Pro搭載麒麟9000S處理器，采用5nm工藝制程，性能和能效均有所提升。配備LPDDR5內(nèi)存和UFS3.1閃存，提供出色的運行速度和存儲能力。支持5G網(wǎng)絡(luò)和Wi-Fi6E技術(shù)，確保高速網(wǎng)絡(luò)連接
2023-08-31 09:39:59
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《評估報告:全閃存HP 3PAR StoreServ 7450存儲系統(tǒng)和第5代16Gb/s光纖通道.pdf》資料免費下載
2023-08-30 16:41:370 全閃存存儲的歷史性時刻到來！ Gartner最新數(shù)據(jù)顯示，2023年第一季度全球外部存儲市場同比增長0.5%；其中，全閃存陣列同比增長3.6%，市場規(guī)模超過非全閃存陣列，占整個外部存儲市場收入
2023-08-29 18:30:03204 
分析閃存控制器的架構(gòu)，首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2023-08-29 16:10:09496 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《博科結(jié)構(gòu)技術(shù)與純存儲閃存陣列//m20驗證測試報告.pdf》資料免費下載
2023-08-29 15:06:530 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《日立統(tǒng)一存儲虛擬機全閃存系統(tǒng)和博科第五代光纖通道SAN.pdf》資料免費下載
2023-08-29 09:45:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光纖通道與iSCSI相比在支持企業(yè)工作負(fù)載的全閃存存儲陣列方面性能優(yōu)勢.pdf》資料免費下載
2023-08-28 16:44:060 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實現(xiàn)閃存存儲優(yōu)勢的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計注意事項.pdf》資料免費下載
2023-08-28 11:02:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《云優(yōu)化性能：使用基于閃存的存儲的I/O密集型工作負(fù)載.pdf》資料免費下載
2023-08-28 10:04:340 8月25日，以“在一起，共迎新機遇”為主題的第三屆華為數(shù)據(jù)存儲用戶精英論壇在西寧召開。在此次大會上， 華為正式宣布開源CANTIAN引擎，并推出分布式存儲全閃新品。 同時，華為向與會客戶匯報
2023-08-25 18:45:07431 
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 基于四級單元（QLC）的存儲陣列采用軟件支持的ASIC或FPGA邏輯（以克服生命周期限制、提高耐用性和性能），目前已部署用于通用塊存儲用例。它們還被部署在備份和災(zāi)難恢復(fù)用例中，在這些用例中，取代 TLC 介質(zhì)設(shè)備陣列的性能并不那么重要。
2023-08-16 10:26:45624 
Storage?(NYSE: PSTG)今日宣布其已實現(xiàn)一項愿景目標(biāo)，即率先成為業(yè)界首家以全閃存解決方案滿足客戶全部存儲需求的技術(shù)提供商。目前只有 Pure Storage 可以真正做到這一點，這主要歸功于
2023-08-08 17:38:24733 北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級存儲市場跟蹤報告》，報告顯示，中國企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲銷售額
2023-08-08 12:55:47716 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級存儲市場跟蹤報告》，報告顯示，中國企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲銷售額15億元，市場占比25%，混閃存儲銷售額38
2023-08-07 11:10:02328 在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 
在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 
今日，全球領(lǐng)先的檢驗、檢測及認(rèn)證機構(gòu)DEKRA德凱為華為OceanStor全閃存存儲頒發(fā)全球首個DEKRA德凱存儲產(chǎn)品碳足跡和DEKRA Seal碳標(biāo)簽證書。華為OceanStor全閃存存儲憑借業(yè)界
2023-07-31 17:11:37661 半導(dǎo)體存儲器是當(dāng)今電子設(shè)備的核心組件，從智能手機到高性能計算機，幾乎所有設(shè)備都需要某種形式的半導(dǎo)體存儲器。根據(jù)應(yīng)用需求和工作原理，半導(dǎo)體存儲器可以分為兩大類：內(nèi)存和閃存。本文將介紹這兩大類存儲器的種類和工作原理。
2023-07-31 09:57:32598 
8月8日-10日， 全球閃存峰會FMS2023 將在美國加州圣克拉拉會議中心隆重舉行。作為國際閃存行業(yè)的盛會，F(xiàn)MS2023將展示閃存最新進(jìn)展，聚焦DRAM、DNA數(shù)據(jù)存儲、UCIe、CXL
2023-07-28 16:35:12278 
手機“性能鐵三角”——SoC、運行內(nèi)存、閃存決定了一款手機的用戶體驗和定位，其中存儲器性能和容量對用戶體驗的影響越來越大。
2023-07-27 17:01:33557 長江存儲已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊，存儲密度15.47Gb每平方毫米，而且傳輸速度高達(dá)2400MT/s，妥妥的世界第一，結(jié)果被美國一直禁令給攔住了，死死限制在128層，但我們肯定不會坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311233 
UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲的閃存標(biāo)準(zhǔn)，而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲技術(shù)，用于移動設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備中的非易失性存儲。
2023-07-18 15:00:0313546 NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 
8 存儲器 8.4 片上閃存 RA6 MCU具有兩部分閃存：代碼閃存和數(shù)據(jù)閃存，各部分的大小和擦寫周期數(shù)因器件而異。閃存控制單元 (FCU) 控制閃存的編程和擦除。閃存應(yīng)用程序命令接口 (FACI
2023-06-26 12:10:03375 
華為OceanStor某型號存儲，十幾塊FC硬盤組建一組RAID5磁盤陣列，配備了一塊熱備盤;上層使用EXT3文件系統(tǒng)，配置了oracle數(shù)據(jù)庫。
2023-06-13 15:32:33442 
守護(hù)數(shù)字山河，華為存儲刷新IO500紀(jì)錄的時代意義
2023-06-12 09:37:42763 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 4 選項設(shè)置存儲器 選項設(shè)置存儲器用于確定復(fù)位后MCU的狀態(tài)。該存儲器分配在閃存中的配置設(shè)置區(qū)域和程序閃存區(qū)域。這兩個區(qū)域的可用設(shè)置方法不同。Cortex-M33內(nèi)核MCU的選項設(shè)置存儲器可能具有
2023-06-08 17:00:04411 
我使用的是 3.0.4 nonos-sdk，由于添加了庫，我的指令 ram 空間不足。
是否有可能將所有沒有段屬性的函數(shù)存儲到閃存中而不是指令 ram 中？還是我必須用 ICACHE_FLASH_ATTR 定義每個函數(shù)？
2023-06-06 06:23:11
我們在定制板上使用 imxrt1064，我們有一個外部閃存連接 flexspi1。
對于我們的項目，我們需要在外部閃存上存儲 lvgl 圖像和字體，因為片上閃存 (4MB) 的大小不夠
我們正在使用具有外部存儲選項的 gui guider 1.5.1 我們?nèi)绾问褂盟鼇碜x取和寫入外部閃存中的圖像
2023-05-30 07:50:00
在當(dāng)今智能設(shè)備的互聯(lián)世界中，我們希望更快地訪問我們的數(shù)據(jù)，同時我們希望它得到保護(hù)并免受入侵者的侵害。閃存不僅速度更快，而且安全可靠，其化身為UFS - 通用閃存。此博客深入了解 UFS 設(shè)備的各種安全模式以及如何訪問它們。它還指出了如何使用加密來進(jìn)一步保護(hù)數(shù)據(jù)。
2023-05-26 15:29:051759 
近日，IBM 存儲推出了基于其閃存產(chǎn)品 IBM FlashSystem 的新能力，幫助企業(yè)高效應(yīng)對數(shù)據(jù)安全威脅。
2023-05-25 16:35:02829 NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193 
，還是擔(dān)心系統(tǒng)的安全，使用一種稱為閃存的電子存儲器的便攜式存儲設(shè)備是好的解決辦法。
電子存儲器有多種形式，可用于多種用途。 閃存用于在計算機、數(shù)碼相機和家用視頻游戲機中方便快捷地存儲信息。 它更像是一個硬盤驅(qū)動器，而不是 RAM。
2023-05-22 17:33:45411 
如上圖所示，這是程序試圖擦除內(nèi)部閃存的代碼，但問題是它已被正確擦除，無法證明它是可以正確編程的代碼。
或者，如何讀取或攜帶閃存中存儲的內(nèi)容？未來我們計劃通過串口通信接收數(shù)據(jù)，存儲在flash中，運行bootloader。
2023-05-19 06:01:16
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在第 2 步代碼中，當(dāng)數(shù)據(jù)存儲在閃存中時會
2023-05-17 08:20:37
我們?nèi)绾瓮ㄟ^ . 例如，如果我正在托管一個從 Flash 提供頁面、css、js 等服務(wù)的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器，現(xiàn)在使用 http 服務(wù)器我可以對草圖（.bin 文件）進(jìn)行 OTA，但是我如何對我的文件進(jìn)行 OTA 更新存儲在閃存/文件系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)文件？
2023-05-16 08:25:12
我想了解我的微控制器 (MPC5777C) 的生產(chǎn)日期以及品牌和型號信息。我在閃存上看到了 UID 信息。我認(rèn)為這些信息（品牌、型號、生產(chǎn)年份等）我可以從閃存中讀取。是否可以？哪些地址存儲這些信息？
2023-05-05 06:39:19
當(dāng)芯片處于 I2C 從屬模式時，有什么方法可以通過 AUX 更改存儲在內(nèi)部閃存中的設(shè)置（例如模擬的 EDID）？
2023-04-18 06:56:44
應(yīng)用了閃存堆疊技術(shù)的3D NAND Flash的出現(xiàn)，比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲空間，滿足了業(yè)界日益增長的存儲需求，因而成為主流。
2023-04-10 17:35:171440 所花費的時間，但允許開發(fā)人員在需要時編輯特定部分。閃存能夠擦除大量數(shù)據(jù)，從而大大提高了擦除速度，并使設(shè)備可以更緊湊地存儲信息。但是由于這個原因，它也失去了編輯某些字節(jié)的能力，從而迫使開發(fā)人員在進(jìn)行任何
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
我希望在特定的閃存位置存儲變量/參數(shù)集。我記得我必須 在閃存中使用 __attribute__ 和內(nèi)存地址，但我沒有找到 s32k146 或 s32k sdk 的任何具體示例。
2023-04-04 07:51:52
當(dāng)我提到 AN12714 i.MX 加密存儲使用 CAAM 安全密鑰修訂版 0 — 2020 年 2 月 25 日最后，我發(fā)現(xiàn)我的閃存是 Nand，但是NAND 閃存是一個 MTD 設(shè)備，因此
2023-04-03 06:24:34
并行NOR閃存嵌入式存儲器
2023-03-24 14:01:23
我正在使用 i.MXRT1176 并計劃使用 FlexSPI 模塊將固件更新寫入外部 NOR 閃存。該應(yīng)用程序?qū)耐煌獠?b class="flag-6" style="color: red">存儲器運行，但是，更新將寫入不同的部分。我以前沒有使用過帶有外部程序存儲
2023-03-24 08:08:30
程序會通過藍(lán)牙將.sb2文件下載到sdcard，然后booloader會讀取0xB000地址的AES密鑰，解密sdcard中的文件，最終將程序?qū)懭雈lash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲在哪里，我應(yīng)該什么時候?qū)⑺鼘懭?b class="flag-6" style="color: red">閃存才能使整個更新過程安全？
2023-03-23 08:47:27
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