三星電子和SK海力士計(jì)劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM，這是用于圖形處理單元（GPU）的最新一代高性能內(nèi)存。
2024-03-18 10:35:29
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內(nèi)存（DRAM）市場(chǎng)正在迎來(lái)一波上漲潮。
2024-03-08 14:18:52208 
三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱(chēng)的帶寬新紀(jì)錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:42145 隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)高性能內(nèi)存的需求也日益增長(zhǎng)。特別是高帶寬內(nèi)存（HBM）和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DDR5）等高端DRAM產(chǎn)品，正受到市場(chǎng)的熱烈追捧。為了順應(yīng)這一
2024-03-06 10:49:49261 3 月 5 日消息，美光科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場(chǎng)演講，介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:3561 近期的演示會(huì)上，美光詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:24190 三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者，在本季度DRAM營(yíng)收達(dá)到79.5億美元，環(huán)比增長(zhǎng)近50％，主要受益于1αnm DDR5的出貨提速，服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60％。
2024-03-05 15:40:57162 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00249 搬運(yùn)自集微網(wǎng)此前的報(bào)道得知，自今年起DRAM存儲(chǔ)芯片價(jià)格呈現(xiàn)明顯漲勢(shì)，且中國(guó)客戶(hù)已接受這種情況。預(yù)計(jì)2024年度，需求復(fù)蘇的PC制造商和智能手機(jī)制造商會(huì)引領(lǐng)NAND Flash和DRAM價(jià)格進(jìn)一步走高。
2024-02-23 15:49:57246 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
近日，三星電子宣布在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，以加強(qiáng)其在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實(shí)驗(yàn)室的成立將專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D DRAM，以滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。
2024-01-31 11:42:01362 截至目前，健鼎已經(jīng)開(kāi)始供應(yīng)DDR5內(nèi)存條使用的PCB板，其業(yè)務(wù)涵蓋存儲(chǔ)模組與汽車(chē)、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備PCB板等多個(gè)領(lǐng)域。其中，汽車(chē)板比重高達(dá)25%，服務(wù)器及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備PCB板比重為20%，DRAM及DDR模組板比重超過(guò)18%。
2024-01-29 14:18:24218 原有的DRAM采用2D結(jié)構(gòu)，即大量元件密集排布在同一平面。然而，為了提升性能，儲(chǔ)存行業(yè)正致力于開(kāi)發(fā)高密度的3D DRAM。這項(xiàng)技術(shù)包括水平堆積和垂直堆積兩種方式，均能有效地增加存儲(chǔ)空間。
2024-01-29 09:31:17231 報(bào)導(dǎo)指出，因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場(chǎng)過(guò)剩情況緩解，2023年11月DRAM批發(fā)價(jià)約2年半來(lái)首度呈現(xiàn)揚(yáng)升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利，今后將持續(xù)要求漲價(jià)。
2024-01-25 12:33:5298 DRAM稼動(dòng)率緩步改善，業(yè)界認(rèn)為，整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升，較2023年第4季小幅提升約5%左右，下半年投片量回升速度將明顯加快。
2024-01-23 10:53:04159 近日，臺(tái)積電在法人說(shuō)明會(huì)上表示，由于人工智能（AI）芯片先進(jìn)封裝需求持續(xù)強(qiáng)勁，目前產(chǎn)能無(wú)法滿(mǎn)足客戶(hù)的需求，供不應(yīng)求的狀況可能延續(xù)到2025年。為了應(yīng)對(duì)這一需求，臺(tái)積電今年將持續(xù)擴(kuò)充先進(jìn)封裝產(chǎn)能。
2024-01-22 15:59:49331 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 消息透露，自2023年末起，存儲(chǔ)芯片價(jià)格逐漸上漲；盡管整個(gè)行業(yè)陷入衰退期，受服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用拉動(dòng)，先進(jìn)DRAM芯片需求依然穩(wěn)健。而在另一方面，NAND閃存需求預(yù)計(jì)將繼續(xù)走弱。
2024-01-09 15:16:12614 TS201的核電壓1。05V，I/O電壓2.5V，DRAM電壓1.5V的上電順序應(yīng)該誰(shuí)先誰(shuí)后?。咳绻麅蓚€(gè)電壓間隔幾十ms建立可不可以？
我現(xiàn)在調(diào)整電壓上電順序，會(huì)導(dǎo)致DSP不加載程序。
2024-01-09 08:18:32
有存儲(chǔ)模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià)，但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價(jià)格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價(jià)格，但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466 據(jù)DRAM產(chǎn)品分類(lèi)顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿(mǎn)足，買(mǎi)方預(yù)期DDR4價(jià)格將進(jìn)一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型，但對(duì)于DDR4采購(gòu)量增幅不定。預(yù)計(jì)PC DRAM季度合約價(jià)變化幅度將在10～15%之間，其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開(kāi)始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu)；此外，三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22387 根據(jù)最新的存儲(chǔ)器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來(lái)NAND Flash價(jià)格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲(chǔ)器制造商計(jì)劃在Q1上調(diào)DRAM價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)將達(dá)到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:16872 隨著上游原廠醞釀提價(jià)，多家存儲(chǔ)器模塊業(yè)者已經(jīng)開(kāi)始備貨，以應(yīng)對(duì)潛在的市場(chǎng)變化。預(yù)計(jì)供應(yīng)給OEM廠商的合約價(jià)將在二季度起全面反映DRAM的漲價(jià)趨勢(shì)。
2024-01-03 15:34:13733 近期，全球DRAM市場(chǎng)風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能，這一舉動(dòng)無(wú)疑將對(duì)整個(gè)市場(chǎng)帶來(lái)深遠(yuǎn)的影響。而現(xiàn)在，最新消息表明，DRAM價(jià)格有望在2024年第一季度迎來(lái)新一輪的上漲，漲幅預(yù)計(jì)達(dá)到15%至20%。
2024-01-03 14:35:20414 據(jù)報(bào)道，近期三星宣布自明年第一季度起，DRAM價(jià)格將上漲至少15%；盡管NAND閃存漲價(jià)跡象尚不明顯，但預(yù)測(cè)同樣存在跟進(jìn)上漲的可能。據(jù)IT之家引用集邦觀點(diǎn)預(yù)計(jì)，DRAM價(jià)格漲勢(shì)將持續(xù)至2024年末。
2024-01-03 14:31:03471 2024-01-03 10:46:21549 他在記者會(huì)上稱(chēng)，雖然期望2023年上半年能夠全面恢復(fù)，但還需耐心等待。部分領(lǐng)域的需求推動(dòng)著市場(chǎng)前行，然而市場(chǎng)并未全面復(fù)蘇。他特別指出，現(xiàn)階段DRAM產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)良好，但NAND卻仍然停滯不前。
2023-12-19 13:54:26190 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003894 三星dram的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)在第三季度約增加15.9%，達(dá)到52.5億美元，市場(chǎng)占有率為38.9%，占據(jù)首位。三星對(duì)ai高用量產(chǎn)品的需求不斷增加，1alpha nm ddr5的批量生產(chǎn)也呈現(xiàn)良好勢(shì)頭。
2023-12-05 17:07:08461 
trendforce表示，第三季度三家企業(yè)的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)均有所增加，由于ai話題的擴(kuò)散，對(duì)高用量產(chǎn)品的需求保持穩(wěn)定，而且在批量生產(chǎn)1 alpha nm ddr5以后價(jià)格也有所上升，從而使三星第三季度dram銷(xiāo)售額增長(zhǎng)15.9%，約52.5億美元。
2023-12-05 10:19:53297 
三星將從明年開(kāi)始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢(xún)問(wèn)三星今后將開(kāi)發(fā)的技術(shù)時(shí)，管理人員公開(kāi)了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過(guò)去五年了。過(guò)去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
2023-11-25 14:30:15536 
Micron的D1B DRAM打破了0.4 Gb/mm2的密度壁壘，對(duì)提升電子設(shè)備性能至關(guān)重要，包括移動(dòng)電話和其他邊緣設(shè)備。
2023-11-24 11:11:45167 
DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程，包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。
2023-11-22 16:52:11904 
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也有成熟的工藝，而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476 
DRAM有多種類(lèi)型可供選擇。有些速度非?？?，如HBM，但也很昂貴。其他類(lèi)型速度較慢，但價(jià)格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構(gòu)架構(gòu)中，兩者都可以發(fā)揮重要作用，以及多種其他DRAM類(lèi)型和更狹義的存儲(chǔ)器，如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 
據(jù)sk海力士透露，LPDDR5T是迄今為止最能大幅提高智能手機(jī)性能的存儲(chǔ)產(chǎn)品中速度最快的產(chǎn)品。公司方面強(qiáng)調(diào)說(shuō)，將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品適用范圍，引領(lǐng)移動(dòng)dram領(lǐng)域的升級(jí)。
2023-11-13 10:32:31779 在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中，“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的，尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配，可以說(shuō)晶體管的小型化已經(jīng)達(dá)到了極限。那么DRAM的小型化又如何呢？
2023-11-08 11:38:29151 
筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲(chǔ)器模組合約價(jià)，10 月也較9 月上漲11.5%，到每單位33 美元。智能手機(jī)DRAM合約價(jià)也開(kāi)始漲價(jià)。TrendForce 預(yù)計(jì)第四季行動(dòng)DRAM
2023-11-03 17:23:09958 在2023年2月在國(guó)際學(xué)會(huì)ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲(chǔ)容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58783 
美光1β DDR5 DRAM支持計(jì)算能力向更高的性能擴(kuò)展，能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶(hù)端平臺(tái)上的人工智能（AI）訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)（IMDB）等應(yīng)用。
2023-10-26 14:19:24136 完成與高通最新移動(dòng)處理器的兼容性驗(yàn)證，正式開(kāi)始向客戶(hù)提供產(chǎn)品 "將通過(guò)加強(qiáng)與高通的合作，實(shí)現(xiàn)智能手機(jī)發(fā)展為AI時(shí)代的核心應(yīng)用。" 韓國(guó)首爾2023年10月25日?/美通社/ -- SK海力士25
2023-10-25 18:17:54711 
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類(lèi)以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34815 三星電子在此次會(huì)議上表示：“從2023年5月開(kāi)始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram，目前正在開(kāi)發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度。”另外，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 據(jù)TrendForce的研究顯示，第4季DRAM與NAND Flash均價(jià)將開(kāi)始全面上漲。特別是DRAM，預(yù)計(jì)第4季的合約價(jià)將季漲幅約在3%到8%之間。然而，這波上漲是否能持續(xù)，取決于供應(yīng)商是否堅(jiān)守減產(chǎn)策略以及實(shí)際需求的回升程度，尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務(wù)器。
2023-10-16 09:17:18376 在芯片供應(yīng)過(guò)剩、需求低迷的情況下，DRAM芯片現(xiàn)貨價(jià)格自2022年2月以來(lái)一直處于下跌狀態(tài)。三星和SK海力士自去年底開(kāi)始大幅削減芯片產(chǎn)量，導(dǎo)致芯片庫(kù)存資產(chǎn)觸底反彈，芯片價(jià)格持續(xù)走低。價(jià)格依次回升。
2023-10-09 16:35:59507 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在近期的閃存峰會(huì)上，一家由英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎(jiǎng)。他們展示了ULTRARAM，一個(gè)結(jié)合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001310 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬(wàn)個(gè)dram和3萬(wàn)個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬(wàn)個(gè)dram和1萬(wàn)個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221687 
內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開(kāi)的話題，稍微復(fù)雜一點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最為復(fù)雜也最貴的核心部件了，其設(shè)計(jì)，仿真，調(diào)試，焊接，等等都非常復(fù)雜，且重要。對(duì)DRAM
2023-09-25 11:38:421900 
作為存儲(chǔ)半導(dǎo)體大企業(yè)的華本在汽車(chē)用市場(chǎng)上持續(xù)獲得利潤(rùn)。此前，利基型dram已進(jìn)入車(chē)用相機(jī)市場(chǎng)，到2022年，nor plash也將進(jìn)入1線國(guó)際大工廠，應(yīng)用于自動(dòng)駕駛系統(tǒng)和車(chē)用娛樂(lè)系統(tǒng)。
2023-09-22 09:57:06286 據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開(kāi)始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:50503 日前有消息稱(chēng)，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正在迎來(lái)一輪明顯的復(fù)蘇，特別是移動(dòng)DRAM芯片銷(xiāo)售行業(yè)。
2023-09-14 10:42:471045 2022年第四季度DRAM行業(yè)營(yíng)收環(huán)比下降超過(guò)三成，跌幅超過(guò)2022年第三季度。2022年第四季度DDR4內(nèi)存價(jià)格環(huán)比下降23-28%，DDR5內(nèi)存價(jià)格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758 
在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。
2023-09-08 10:02:25592 
有傳聞稱(chēng)，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個(gè)dram垂直連接起來(lái)，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個(gè)芯片就可以?xún)?chǔ)存與整個(gè)hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:32399 長(zhǎng)5%至91.28億美元，DRAM市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)11.9%至106.75億美元。 整體來(lái)看， 二季度全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模198.03億美元，環(huán)比增長(zhǎng)9%，但不足去年同期的一半，同比下跌54%。 尤其在
2023-09-05 16:13:32317 
盧東暉表示，由于整體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)尚處于庫(kù)存調(diào)整階段，市場(chǎng)需求端除了應(yīng)用在AI及服務(wù)器等應(yīng)用的高寬帶存儲(chǔ)器（HBM）需求非常強(qiáng)勁，不過(guò)目前HBM占美光比重仍低，整體DRAM景氣還得手機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)等需求回升，才能確立整體景氣復(fù)甦。
2023-09-05 16:07:56440 在下面的圖中較為詳細(xì)的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:371168 
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021021 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。 技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體
2023-08-08 14:24:12744 
在過(guò)去一段時(shí)間內(nèi)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)遭受了來(lái)自PC和智能手機(jī)需求低迷的嚴(yán)重沖擊，導(dǎo)致DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，整個(gè)行業(yè)景氣不振。特別是用于智能手機(jī)和PC上暫存數(shù)據(jù)的DRAM，價(jià)格長(zhǎng)期跌跌不休，給廠商帶來(lái)了巨大
2023-08-03 15:18:57841 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649 
據(jù)日經(jīng)新聞7月31日?qǐng)?bào)導(dǎo)，面向智能手機(jī)、PC的消費(fèi)量DRAM價(jià)格已經(jīng)連2個(gè)月呈現(xiàn)持平（價(jià)格未下跌）
2023-08-02 18:25:48351 引言：DRAM價(jià)格已連續(xù)兩個(gè)月未出現(xiàn)大幅下跌。
2023-08-02 10:33:42682 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032201 元器件原理＜DRAM＞ 由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫(xiě)入方法 ＜“1” 時(shí)＞ Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電位為 low 元器件原理＜SRAM＞ 存儲(chǔ)單元
2023-07-12 17:29:08754 
為了實(shí)現(xiàn)這一功能，還必須適合用于輔助計(jì)算的dram。現(xiàn)有智能手機(jī)使用的移動(dòng)dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋(píng)果公司的要求，提供了最適合操作r1芯片的dram。大幅增加了輸入/輸出（i/o）頻道的數(shù)量，可以將數(shù)據(jù)迅速傳送到存儲(chǔ)器內(nèi)外。
2023-07-12 09:39:56375 但這并不是全部，報(bào)道稱(chēng)三星內(nèi)部計(jì)劃將減產(chǎn)持續(xù)至明年，在半導(dǎo)體市場(chǎng)重回供需平衡之前，公司將避免擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。Omdia預(yù)計(jì)，明年下半年三星的DRAM月產(chǎn)量將保持在60萬(wàn)片，較目前水平進(jìn)一步減少。
2023-07-06 15:57:36378 Mobile DRAM方面，由于上半年智能手機(jī)需求疲弱，盡管傳統(tǒng)旺季有望帶動(dòng)Mobile DRAM需求，加上原廠同時(shí)進(jìn)行減產(chǎn)，但對(duì)于快速降低原廠庫(kù)存的助益仍相當(dāng)有限。
2023-07-06 11:39:44170 
模擬芯片的庫(kù)存方面，報(bào)告預(yù)測(cè)將在2023年第二季度強(qiáng)勁優(yōu)化。由于需求旺盛，分立芯片的短缺將持續(xù)；MCU庫(kù)存指數(shù)在2023年第一季度進(jìn)入正常區(qū)間。
2023-07-04 14:50:19117 Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch Hybrid Bonding and Mini-TSV)。該論文的發(fā)表，是西安紫光國(guó)芯在SeDRAM方向上持續(xù)創(chuàng)新的最新突破。
2023-07-03 15:25:20559 據(jù)悉，DRAM批發(fā)價(jià)格為存儲(chǔ)廠商和客戶(hù)間每個(gè)月或每季敲定一次。業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)，目前價(jià)格還在季末的拉鋸戰(zhàn)中，個(gè)別廠商面對(duì)的情況不一樣，若下游企業(yè)本身的庫(kù)存水位高，會(huì)不會(huì)接受價(jià)格調(diào)整還需再觀察。
2023-06-29 15:41:10262 存儲(chǔ)芯片行業(yè)目前正面臨長(zhǎng)時(shí)間虧損衰退的情況，DRAM價(jià)格已經(jīng)跌至不可再降的水平，但巨頭廠商似乎計(jì)劃推動(dòng)價(jià)格上漲。
2023-06-29 14:57:32617 據(jù)悉，dram的批發(fā)價(jià)格是存儲(chǔ)器事業(yè)者和顧客公司之間每個(gè)月或每個(gè)季度決定的。業(yè)界人士表示：“目前價(jià)格還處于季節(jié)的最后階段，因此個(gè)別制造企業(yè)面臨的狀況有所不同?！辈⒎Q(chēng)：“如果下級(jí)企業(yè)的庫(kù)存水位上升，是否會(huì)受到價(jià)格調(diào)整，還需要進(jìn)一步觀察。”
2023-06-29 11:00:47393 該報(bào)道稱(chēng)，在智能手機(jī)和電腦中儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的dram價(jià)格暫時(shí)停止下跌，這可能是因?yàn)榇笮痛鎯?chǔ)器企業(yè)減產(chǎn)導(dǎo)致市場(chǎng)庫(kù)存減少。2023年5月的指標(biāo)產(chǎn)品ddr4 8gb的批發(fā)價(jià)格（大量交易價(jià)格）為每個(gè)1.48美元左右，與前一個(gè)月（2023年4月）相同，已經(jīng)結(jié)束了連續(xù)12個(gè)月下滑的局面。
2023-06-27 09:45:56347 DRAM景氣去年初時(shí)就反轉(zhuǎn)，但當(dāng)時(shí)原廠并未踩煞車(chē)，反而認(rèn)為是市場(chǎng)短期修正或中國(guó)封城造成的短暫影響。
2023-06-16 14:47:12119 研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前預(yù)測(cè)，盡管全球經(jīng)濟(jì)普遍放緩，但2023年SiC襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。
2023-06-08 10:12:34436 
市場(chǎng)上，DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌，4月份DDR4 8Gb批發(fā)價(jià)為每個(gè)1.48美元左右，環(huán)比下跌1%。
2023-06-01 17:59:111713 DRAM錯(cuò)誤數(shù)據(jù)主要通過(guò)Linux檢錯(cuò)糾錯(cuò)驅(qū)動(dòng)程序采集。同時(shí)獲取每個(gè)CE的微觀地址信息，即channel、rank、bank、row和column。
2023-06-01 14:34:21183 
在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下，美國(guó)芯片制造商美光科技公司九年來(lái)首次超越韓國(guó) SK 海力士公司成為全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 市場(chǎng)的第二大廠商。 根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550 3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。
2023-05-31 11:41:58358 DRAM 連接32位SDRAM時(shí)，最大支持64Mx32bit？
2023-05-26 07:27:07
基于先進(jìn)CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn)，加速下一代存儲(chǔ)器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在存儲(chǔ)行業(yè)有些萎靡不振的當(dāng)下，大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫(kù)存，也有的廠商考慮從新的技術(shù)方向給存儲(chǔ)行業(yè)注入生機(jī)，比如最近發(fā)布了3D X-DRAM技術(shù)的NEO
2023-05-08 07:09:001982 
CUBE是Customized/Compact Ultra Bandwidth Elements，即“半定制化緊湊型超高帶寬DRAM”的簡(jiǎn)稱(chēng)。華邦電子次世代內(nèi)存產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)企劃經(jīng)理曾一峻在向《電子工程專(zhuān)輯》說(shuō)明CUBE核心價(jià)值時(shí)表示，新能源汽車(chē)、5G、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的不斷發(fā)展
2023-05-05 11:07:44866 
我正在使用 Keil microvision 在 RT1062 上開(kāi)發(fā)應(yīng)用程序。
應(yīng)用程序代碼和數(shù)據(jù)在 DRAM 中。我使用secure provisioning tool生成了一個(gè)可以刷入的bin
2023-04-28 07:02:14
如何使用低延遲 DRAM 用戶(hù)手冊(cè) (M19202EJ1V0UM00)
2023-04-26 20:28:11
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002616 
2022年DRAM模組及組件市場(chǎng)規(guī)模為994億美元，預(yù)計(jì)2022—2030年復(fù)合年增長(zhǎng)率為1.40%，到2030年將達(dá)到1111億美元。
2023-04-19 09:30:161003 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）在交出一份相當(dāng)不理想的Q1財(cái)報(bào)之后，三星電子終于決定，將削減存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)量，減產(chǎn)有望緩解供應(yīng)過(guò)剩，提振陷入寒冬的半導(dǎo)體行業(yè)。 對(duì)于DRAM行業(yè)而言，這真的是巨大的利好
2023-04-15 03:00:002762 
大家好我們?cè)谖覀兊囊豢町a(chǎn)品中使用 i.MX28，它使用以下寄存器設(shè)置在 180MHz EMI_CLK 上工作——volatile unsigned int * DRAM
2023-04-04 08:49:41
大家好，請(qǐng)問(wèn)大家知道如何在SDK1.9中修改U-Boot for P2020的2G DRAM大小嗎？我嘗試更改p1_p2_rdb_pc.h，但是uboot 無(wú)法運(yùn)行，見(jiàn)日志如下。還有一個(gè)
2023-04-03 06:40:26
= 0x0000000000000000 boot_params = 0x0000000000000000 DRAM bank = 0x0000000000000000 -> start
2023-03-29 07:51:32
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