RTD Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到 晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體 制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝參數(shù)。
【應(yīng)用范圍】
光刻、涂膠顯影 TRACK 設(shè)備、原子層沉積 (ALD)、探針臺(tái)測(cè)溫、高精度加熱盤
【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】
1. ±0.05℃高精度測(cè)溫監(jiān)測(cè)：RTD傳感器能夠提供高精度的溫度讀數(shù)，確保半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵步驟能夠在最佳溫度下進(jìn)行，從而保證產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。
2. 實(shí)時(shí)測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)獲?。?/strong>通過RTD Wafer，可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓在熱處理和刻蝕過程中的溫度變化，實(shí)現(xiàn)即時(shí)調(diào)整工藝參數(shù)，優(yōu)化生產(chǎn)效率。
3. 測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)分析能力：測(cè)量后的數(shù)據(jù)通過軟件分析和優(yōu)化工藝參數(shù)，提高產(chǎn)量和產(chǎn)品質(zhì)量。
4.支持過程調(diào)整與驗(yàn)證：通過分析在產(chǎn)品工藝條件下收集的溫度數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)調(diào)整蝕刻和其他關(guān)鍵工藝步驟的條件，以確保最佳性能。
5. 全面熱分布區(qū)監(jiān)測(cè)：在晶圓上支持多達(dá)81個(gè)位置同時(shí)進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè)，從而獲得全面的熱分布圖。
【參數(shù)配置】
Wafer 尺寸 | 2”、3”、4”、6”、8”、12” | 測(cè)溫元件 | RTD |
測(cè)溫點(diǎn)數(shù) | 1-97 | 晶圓材質(zhì) | 硅片 / 藍(lán)寶石等 |
溫度范圍 | -80-350℃(-80-250℃; -80-350℃；0-250℃；0-350℃) | 采樣頻率 | 1Hz/2Hz |
溫度精度 | ±0.05℃（-80-250℃, 0-250℃) ±0.5℃（-80-350℃, 0-350℃） | 配套主機(jī) | 測(cè)溫系統(tǒng)配套主機(jī) |
sensor to sensor | ＜ 0.03℃（-80-250℃, 0-250℃) ＜ 0.1℃（-80-350℃, 0-350℃） | ||
通信方式 | 1、有線數(shù)據(jù)采集 + 無線數(shù)據(jù)傳送到軟件平臺(tái)；2、無線數(shù)據(jù)采集 + 無線數(shù)據(jù)傳送到軟件平臺(tái)； | ||
測(cè)溫軟件 | 測(cè)溫專用軟件，實(shí)時(shí)顯示溫度場(chǎng)剖面圖及實(shí)時(shí)升溫曲線圖 | ||
