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標(biāo)簽 > 光刻技術(shù)

光刻技術(shù)

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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個(gè)數(shù)量級(jí)(從毫米級(jí)到亞微米級(jí)),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。

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光刻技術(shù)技術(shù)

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自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案化技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與步驟

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2025-05-28 標(biāo)簽:芯片制造光刻技術(shù) 256 0

定向自組裝光刻技術(shù)的基本原理和實(shí)現(xiàn)方法

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定向自組裝光刻技術(shù)通過(guò)材料科學(xué)與自組裝工藝的深度融合,正在重構(gòu)納米制造的工藝組成。主要內(nèi)容包含圖形結(jié)構(gòu)外延法、化學(xué)外延法及圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。

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2025-05-09 標(biāo)簽:工藝X射線光刻技術(shù) 265 0

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2024-11-24 標(biāo)簽:芯片制造光刻機(jī)光刻技術(shù) 2283 0

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光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展,對(duì)微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng),光刻膠的需求...

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電子束光刻技術(shù)使得對(duì)構(gòu)成多種納米技術(shù)基礎(chǔ)的納米結(jié)構(gòu)特征實(shí)現(xiàn)精細(xì)控制成為可能。納米結(jié)構(gòu)制造與測(cè)量的研究人員致力于提升納米尺度下的光刻精度,并開(kāi)發(fā)了涵蓋從光...

2024-10-18 標(biāo)簽:納米電子束光刻技術(shù) 874 0

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分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形,通過(guò)模擬計(jì)算確定最佳光...

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光刻工藝的基本知識(shí)

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在萬(wàn)物互聯(lián),AI革命興起的今天,半導(dǎo)體芯片已成為推動(dòng)現(xiàn)代社會(huì)進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù),作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝,不管是...

2024-08-26 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體光刻技術(shù) 1861 0

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光刻技術(shù)資訊

ASML發(fā)布2024年財(cái)報(bào),業(yè)績(jī)強(qiáng)勁增長(zhǎng)

阿斯麥(ASML)近日發(fā)布了其2024年第四季度及全年財(cái)報(bào),數(shù)據(jù)顯示公司業(yè)績(jī)繼續(xù)保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。 在2024年第四季度,ASML實(shí)現(xiàn)了93億歐元的凈銷(xiāo)...

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本文介紹了7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案。 一、什么是7納米工藝? 在談?wù)?納米工藝之前,我們先了解一下“納米”是什么意思。納米(nm)是一個(gè)長(zhǎng)度單...

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最新CMOS技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的飛速發(fā)展,CMOS技術(shù)也在不斷進(jìn)步,以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的性能需求。從最初的簡(jiǎn)單邏輯門(mén)到現(xiàn)在的復(fù)雜集成電路,CMOS技術(shù)已經(jīng)成為推動(dòng)數(shù)字革命的關(guān)鍵力...

2024-11-14 標(biāo)簽:集成電路制程技術(shù)光刻技術(shù) 1865 0

美投資8.25億美元建設(shè)NSTC關(guān)鍵設(shè)施,重點(diǎn)發(fā)展EUV光刻技術(shù)

拜登政府已宣布一項(xiàng)重大投資決策,計(jì)劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元,用于建設(shè)國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)中心(NSTC)的核心設(shè)施。據(jù)美國(guó)商務(wù)部透露,奧爾巴尼...

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日本大學(xué)研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)

近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報(bào)告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體...

2024-08-03 標(biāo)簽:光刻技術(shù)EUV 1567 0

拯救摩爾定律的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)

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阿斯麥和IMEC聯(lián)合光刻實(shí)驗(yàn)室啟用

近日,比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)與全球光刻技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)阿斯麥(ASML)共同宣布,在荷蘭費(fèi)爾德霍芬正式啟用聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室。

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臺(tái)積電轉(zhuǎn)變態(tài)度?秘密訪問(wèn)ASML總部引發(fā)行業(yè)關(guān)注

宿敵英特爾則積極投身于新興高數(shù)值孔徑超紫外光刻領(lǐng)域,已有數(shù)臺(tái)設(shè)備投入其芯片制造部門(mén)使用。據(jù)透露,英特爾正計(jì)劃在即將推出的18A(1.8納米)工藝節(jié)點(diǎn)中試...

2024-05-28 標(biāo)簽:英特爾臺(tái)積電光刻技術(shù) 937 0

三星電子有望在美國(guó)獲得超過(guò) 60 億美元的補(bǔ)貼

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納米壓印光刻技術(shù)應(yīng)用在即,能否掀起芯片制造革命?

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2024-03-09 標(biāo)簽:光刻技術(shù) 4830 0

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光刻技術(shù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

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