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光刻機(jī)

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光刻機(jī)技術(shù)

光刻機(jī)的工作原理和分類

? 本文介紹了光刻機(jī)在芯片制造中的角色和地位，并介紹了光刻機(jī)的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機(jī)：芯片制造的關(guān)鍵角色 ? ? 光刻機(jī)在芯片制造中占...

2024-11-24 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)EUV 5522 0

半導(dǎo)體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖...

2023-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻機(jī)半導(dǎo)體制造 5172 0

濕法去膠液的種類有哪些？去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

光刻技術(shù)通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上，但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠，那么這個(gè)時(shí)候去膠液就發(fā)揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

2023-09-06 標(biāo)簽：晶圓光刻機(jī)光刻技術(shù) 5042 0

光刻機(jī)的基本原理和核心技術(shù)

雖然DUVL機(jī)器可以通過多重曝光技術(shù)將線寬縮小到7-5納米，但如果要獲得更小的線寬，DUVL已經(jīng)達(dá)到了極限。采用EUV作為光源的極紫外光刻（EUVL）成...

2024-04-25 標(biāo)簽：光源晶體管光刻機(jī) 4902 0

光刻技術(shù)的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形...

2023-04-25 標(biāo)簽：芯片電子元件光刻 4590 0

ASML***發(fā)展歷程 ***核心系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測試...

2023-06-15 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)EUV 4578 0

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...

2023-10-09 標(biāo)簽：電路圖光刻光刻機(jī) 4507 0

一文看懂光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)及雙工件臺技術(shù)

? 集成電路作為現(xiàn)代信息技術(shù)的核心與基石，其發(fā)展一直遵循著Intel創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出的摩爾定律：價(jià)格不變時(shí)，約每隔18-24個(gè)月，集成度增加一倍...

2024-11-22 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī) 4331 0

一文讀懂讀透半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備

刻蝕設(shè)備的重要性僅次于光刻機(jī)。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代，要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比，刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升，從25%提至50%。

2023-05-22 標(biāo)簽：晶圓光刻機(jī)半導(dǎo)體設(shè)備 4262 0

***平行光源應(yīng)用及性能參數(shù)

光刻機(jī)用UV光源，其通過特殊光學(xué)設(shè)計(jì)發(fā)射出接近平行光的UV平行光，使特定波段的紫外線通過掩膜掩孔對集成電路高精密線路完成蝕刻曝光顯影的工作。

2023-05-11 標(biāo)簽：led 集成電路光刻機(jī) 3850 0

國產(chǎn)***能否拯救中國半導(dǎo)體行業(yè)？

6年以作者的認(rèn)知我是認(rèn)為不太可能達(dá)成，但就當(dāng)他可能吧，6年后我們才能擁有28nm全打通的國產(chǎn)蝕刻設(shè)備，與網(wǎng)路上鋪天蓋地的蝕刻我們已能做到5nm是不是有如...

2023-01-17 標(biāo)簽：光刻機(jī)量子計(jì)算 3822 0

淺談ASML EUV光刻機(jī)路線圖

目前主力出貨的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度為1.1nm，曝光速度30 mJ/cm2，每小時(shí)曝光160片晶圓，年產(chǎn)量為140萬片。

2022-12-21 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 3667 0

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的利器——IP核

2020-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IP核光刻機(jī) 3645 0

一文解析UCIe技術(shù)細(xì)節(jié)

UCIe[4]是一種開放的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)互連，為異構(gòu)芯片間提供了高帶寬、低延遲、高電源效率和高性價(jià)比的封裝內(nèi)連接，以滿足整個(gè)計(jì)算系統(tǒng)的需求。

2022-10-10 標(biāo)簽：封裝光刻機(jī)異構(gòu)芯片 3536 0

偏振集成紅外光電探測器研究進(jìn)展與應(yīng)用

偏振集成探測器具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊，并且無需圖像配準(zhǔn)對動(dòng)態(tài)目標(biāo)同時(shí)同地同源探測與識別的優(yōu)勢。

2023-08-15 標(biāo)簽：探測器紅外傳感器光刻機(jī) 3304 0

一文解析EUV掩模版缺陷分類、檢測、補(bǔ)償

光刻機(jī)需要采用全反射光學(xué)元件，掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn)，...

2023-06-07 標(biāo)簽：光刻機(jī)光刻技術(shù)EUV 3270 0

淺談半導(dǎo)體設(shè)備高精密陶瓷關(guān)鍵部件的技術(shù)

對于芯片制造來講，光刻是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)，可以說，沒有光刻機(jī)，就沒有現(xiàn)代芯片產(chǎn)業(yè)。在集成電路制造過程中，光刻工藝的費(fèi)用約占制造成本的1/3 左右，耗費(fèi)...

2024-01-31 標(biāo)簽：芯片制造 CMP 光刻機(jī) 3270 0

芯片封裝為什么要用到*** 封裝***與芯片***的區(qū)別

在芯片制造過程中，光刻機(jī)用于在硅片上形成光刻膠圖形，作為制造電路的模板。光刻機(jī)使用紫外光或其他光源照射硅片上的光刻膠，并通過投影光學(xué)系統(tǒng)將圖形投射到硅片...

2023-09-12 標(biāo)簽：芯片制造芯片封裝光學(xué)系統(tǒng) 3117 0

仔細(xì)剖析一下五種UV***的區(qū)別及應(yīng)用場景

UV光刻機(jī)一般可以分為5種，即：接觸式光刻機(jī)，接近式光刻機(jī)，掃描投影式光刻機(jī)

2023-09-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻機(jī) 2883 0

***的簡易工作原理圖掩模版都有哪些種類？

光刻掩模版，別稱“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”，一般使用玻璃或者石英表面覆蓋帶有圖案的金屬圖形，實(shí)現(xiàn)對光線的遮擋或透過功能，是微電子光刻工...

2023-02-13 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī) 2725 0

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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變。光電探測器在軍事和國民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量等；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。
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