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標(biāo)簽 > 光刻

光刻

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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

文章:286個(gè) 瀏覽:30636 帖子:5個(gè)

光刻技術(shù)

光刻區(qū)為什么選黃光燈?為什么不使用紅光或綠光?

黃光的波長遠(yuǎn)離UV范圍,因此不會(huì)引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線,從而保護(hù)光敏材料免受不必要的曝光。

2023-10-11 標(biāo)簽:紫外線光刻光刻膠 3687 0

聊聊芯片設(shè)計(jì)、流片那些事

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晶圓廠每年都會(huì)有固定的幾次MPW機(jī)會(huì),叫Shuttle (班車),到點(diǎn)即發(fā)車,是不是非常形象不同公司拼Wafer,得有個(gè)規(guī)則,MPW按SEAT來鎖定面積...

2023-10-10 標(biāo)簽:MPW芯片設(shè)計(jì)光刻 2777 0

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...

2023-10-09 標(biāo)簽:電路圖光刻光刻機(jī) 4507 0

芯片架構(gòu)計(jì)算任務(wù)改變對(duì)計(jì)算架構(gòu)的需求

芯片架構(gòu)計(jì)算任務(wù)改變對(duì)計(jì)算架構(gòu)的需求

漸進(jìn)式改進(jìn)與性能的巨大飛躍相結(jié)合,雖然這些改進(jìn)將計(jì)算和分析能力提升到全新水平,但也需要全新的權(quán)衡考慮。這些變革的核心在于高度定制的芯片架構(gòu),芯片是在最先...

2023-09-27 標(biāo)簽:傳感器芯片內(nèi)存 1324 0

極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析

極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析

歐洲極紫外光刻(EUVL)技術(shù)利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強(qiáng)大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大...

2023-09-25 標(biāo)簽:濾波器激光器光刻 1579 0

DUV與EUV***的芯片加工流程詳解

DUV與EUV***的芯片加工流程詳解

SSMB就產(chǎn)生了和FEL類似的“微聚束”,但是關(guān)鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài),電子團(tuán)在波蕩器里自由互相作用,最后發(fā)出強(qiáng)光完事。SSMB是讓電子束在...

2023-09-22 標(biāo)簽:芯片芯片制造光刻 3800 0

集成電路為什么越做越小 集成電路電阻怎么識(shí)別

集成電路越做越小是多個(gè)因素共同作用的結(jié)果,包括技術(shù)進(jìn)步、成本和效率考慮、功耗和散熱需求,以及新應(yīng)用的推動(dòng),為電子設(shè)備的發(fā)展提供了更多的可能性和機(jī)遇。

2023-09-05 標(biāo)簽:集成電路電阻電容 2357 0

光伏電池測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有哪些 光伏電池的分類有哪些

光伏電池可以根據(jù)不同的材料和工藝進(jìn)行分類。以下是一些常見的光伏電池分類:   1. 硅晶體太陽能電池:硅晶體太陽能電池是最常見和廣泛應(yīng)用的光伏電池類型...

2023-08-28 標(biāo)簽:太陽能電池光伏電池光伏 4583 0

考慮光刻中厚掩模效應(yīng)的邊界層模型

考慮光刻中厚掩模效應(yīng)的邊界層模型

短波長透明光學(xué)元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波長,而晶片上所需的最小特征繼續(xù)向更深的亞波長尺度收縮。這對(duì)用入射場(chǎng)代替掩模開口上的場(chǎng)的基爾霍夫邊界條件...

2023-08-25 標(biāo)簽:光刻掩模 734 0

研究人員制造出直徑近30厘米的光學(xué)超表面

研究人員制造出直徑近30厘米的光學(xué)超表面

再見鏡頭,你好超表面。所謂的超表面可以幫助使光學(xué)系統(tǒng)在未來變得更薄,同時(shí)增加其功能。 到目前為止,傳統(tǒng)的制造工藝通常只能實(shí)現(xiàn)小的超表面,通常小于一平方毫...

2023-08-07 標(biāo)簽:光刻電子束 942 0

光刻技術(shù)的發(fā)展如何彎道超車或者換道超車

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三十年來,半導(dǎo)體掩模技術(shù)基本保持不變,掩模的制作是在可變成形機(jī)上進(jìn)行的,這些機(jī)器將可變?cè)拗圃?45 度角。隨著功能縮小并變得更加復(fù)雜,電子束和多束掩...

2023-08-01 標(biāo)簽:光刻EUV光刻膠 690 0

cmp是什么意思 cmp工藝原理

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 C...

2023-07-18 標(biāo)簽:光刻CMP晶圓制造 2.0萬 1

Overlay如何與EUV圖案保持同步

Overlay如何與EUV圖案保持同步

套刻計(jì)量(Overlay metrology)工具可提高精度,同時(shí)提供可接受的吞吐量,解決日益復(fù)雜的設(shè)備中的競(jìng)爭(zhēng)要求。

2023-07-10 標(biāo)簽:內(nèi)存光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 2214 0

《先進(jìn)半導(dǎo)體封裝材料及工藝-2023版》

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從封裝的角度來看,要提高帶寬,需要考慮兩個(gè)關(guān)鍵因素:I/O(輸入/輸出)總數(shù)和每個(gè)I/O的比特率。增加I/O總數(shù)需要在每個(gè)布線層/再分布層(RDL)中實(shí)...

2023-07-05 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體封裝3D芯片 1049 0

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

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圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中,刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓光刻 2092 0

綜述:聚合物薄膜的非光刻圖案化方法

綜述:聚合物薄膜的非光刻圖案化方法

非光刻圖案化方法可以從圖案設(shè)計(jì)的自由度上分為三大類,第一類能夠自由形成任意圖案,主要包括掃描探針刻?。⊿PL)和噴墨打?。坏诙愋枰谀0寤蝾A(yù)圖案化基材...

2023-06-21 標(biāo)簽:傳感器光刻噴墨打印 2593 0

面向光刻的設(shè)計(jì)規(guī)則建立及優(yōu)化

面向光刻的設(shè)計(jì)規(guī)則建立及優(yōu)化

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-14 標(biāo)簽:集成電路光刻微電子 541 0

半導(dǎo)體制造光刻工藝制作流程

半導(dǎo)體制造光刻工藝制作流程

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。MOSFET體積越小,單個(gè) MOSFET的耗電量...

2023-06-13 標(biāo)簽:MOSFET光刻 1183 0

半導(dǎo)體制備的主要方法

半導(dǎo)體制備的主要方法

光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一,常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過程開始于在硅片上涂布光刻膠,隨后對(duì)其進(jìn)行預(yù)熱。接著,選擇一種光源(如深紫外光或X...

2023-06-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝光刻 5480 0

一文看懂EUV光刻

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。

2023-06-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓光刻 1544 0

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    TTP223是觸摸鍵檢測(cè)IC,提供1個(gè)觸摸鍵。觸摸檢測(cè)IC是為了用可變面積的鍵取代傳統(tǒng)的按鈕鍵而設(shè)計(jì)的。低功耗和寬工作電壓是觸摸鍵的DC和AC特點(diǎn)。111
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    MAX485是一個(gè)八引腳的RS485電平收發(fā)器(只能單工或半雙工)。內(nèi)部含有一個(gè)輸入信號(hào)接收器R、一個(gè)輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)器D。
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