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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個 瀏覽：92450次 帖子：50個

      功率器件技術(shù)

      新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)

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      高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強(qiáng)度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...

      2023-12-06 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1600 0

      碳化硅SiC在新能源汽車中的應(yīng)用分析

      碳化硅SiC在新能源汽車中的應(yīng)用分析

      SiC器件的主要用途是車載設(shè)備。SiC器件可以使純電動汽車、混合動力車的電機(jī)控制系統(tǒng)損失的功率降低到1/10，實現(xiàn)低功耗化；同時，能將新能源汽車的效率提...

      2023-10-25 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET功率器件 1585 0

      碳化硅SiC功率器件的技術(shù)特點及其應(yīng)用領(lǐng)域

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      隨著能源轉(zhuǎn)換和輸電技術(shù)的發(fā)展，對高效、高速、高溫工作的半導(dǎo)體器件需求日益增長。

      2024-01-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率器件 1584 0

      100V GaN功率器件的特性挑戰(zhàn)

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      100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動態(tài)表...

      2022-10-19 標(biāo)簽：功率器件GaN電源環(huán)路 1573 0

      Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計中的應(yīng)用

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      像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件，常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。功率...

      2024-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 1566 0

      基于TOPSwitch-GX系列的離線電源

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      由于TOPSwitch-GX的高度集成，芯片中解決了許多電源設(shè)計問題。剩下很少的問題需要外部解決，從而為所有應(yīng)用提供了一種通用的電路配置。

      2021-05-15 標(biāo)簽：MOS功率器件 1560 0

      成果展示：具有1.1 kV級高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管

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      為實現(xiàn)具有高擊穿電壓和優(yōu)異正向特性的第三代半導(dǎo)體功率器件，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺，優(yōu)化設(shè)計了一種具有p-NiO...

      2022-08-04 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1560 0

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      隨著第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的快速發(fā)展，功率器件的性能要求日益提高。傳統(tǒng)的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環(huán)境下...

      2024-12-07 標(biāo)簽：封裝功率器件半導(dǎo)體材料 1558 0

      功率ic的原理是什么

      功率IC是一種將多個功率器件、控制器件和其他輔助器件集成到一個芯片上的電子器件，其主要用途是控制和管理電源、電流和電壓等，實現(xiàn)不同電路和設(shè)備的穩(wěn)定和安全...

      2023-02-18 標(biāo)簽：IC功率器件功率IC 1548 0

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      隨著 SiC MOSFET 等新型功率晶體管越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，使用特殊的驅(qū)動器已成為必要。通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，...

      2022-08-10 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 1542 0

      簡單認(rèn)識碳化硅功率器件

      隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有...

      2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1541 0

      功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法

      功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法

      功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

      2024-11-12 標(biāo)簽：芯片功率器件功率半導(dǎo)體 1541 0

      功率器件是什么意思

      功率器件，作為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的核心組件，扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅能夠承受和控制較大的電流、電壓，還廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動汽車、通...

      2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率器件 1523 0

      功率器件的開關(guān)波形分析

      功率器件，特別是如功率MOSFET和IGBT等，在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...

      2024-07-19 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1520 0

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      根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示，芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座，再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去（以對流和輻射的形式），而大部分熱量通過...

      2024-03-06 標(biāo)簽：散熱器散熱片IGBT 1520 0

      GaN和SiC功率器件的最佳用例

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      碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場中全面推進(jìn)。在許多情況下...

      2022-07-29 標(biāo)簽：充電器功率器件SiC 1517 0

      電力電子裝置EMI濾波器平面集成研究

      順應(yīng)逆變器高頻化和集成化發(fā)展，針對開關(guān)頻率提高所帶來嚴(yán)重的電磁干擾問題，采用平面磁集成結(jié)構(gòu)實現(xiàn)雙級EMI濾波器。在EIE型磁芯上實現(xiàn)雙級EMI濾波器所需...

      2023-04-16 標(biāo)簽：電磁兼容濾波器功率器件 1516 0

      功率器件的散熱計算

      功率器件及功率模塊的散熱計算，其目的是在確定的散熱條件下選擇合適的散熱器，以保證器件或模塊安全、可靠地工作。目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件，但大功...

      2023-02-16 標(biāo)簽：模塊散熱器功率器件 1516 0

      如何選擇和開始使用功率器件驅(qū)動器

      如何選擇和開始使用功率器件驅(qū)動器

      作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯 所有的分立式開關(guān)功率器件都需要驅(qū)動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管 ...

      2024-01-01 標(biāo)簽：驅(qū)動器功率器件柵極驅(qū)動器 1509 0

      不常見的半導(dǎo)體功率器件有哪些

      1940年貝爾實驗室在研究雷達(dá)探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技...

      2022-07-14 標(biāo)簽：二極管晶閘管功率器件 1504 0

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        +關(guān)注
        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實例等。
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        NFS
        +關(guān)注
        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機(jī)一樣。
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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