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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——熱等效模型
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率...
2024-12-03 標(biāo)簽:功率器件熱設(shè)計(jì)等效模型 1407 0
氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分,有功率晶體管(MOSFET、IGBT等)、二極管、晶閘管、雙向可控硅...
中文相關(guān)的文章很少,英文稍多,基本都是會(huì)議文章,下了好多篇,慢慢看。 1200V/50A B6 ECP模塊與DBC模塊對(duì)比 ECP :Embedded ...
毫無(wú)疑問(wèn),所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力,在過(guò)去五年中,汽車(chē)行業(yè)一直是該材料的公開(kāi)試驗(yàn)場(chǎng)?;?SiC 的傳動(dòng)系統(tǒng)逆變器——將來(lái)...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)...
【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之五:優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
半橋電路(圖1)廣泛用于功率電子領(lǐng)域的多種應(yīng)用,是現(xiàn)代設(shè)計(jì)中有效轉(zhuǎn)換電能使用的基本電路。但是,只有在半橋、門(mén)驅(qū)動(dòng)器和布線正確且優(yōu)化設(shè)計(jì)時(shí),這種電路的優(yōu)勢(shì)...
如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式
今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》,依然是我覺(jué)得比較好的。
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件熱設(shè)計(jì) 1385 0
華大九天Empyrean Polas工具解決功率設(shè)計(jì)難題
華大九天推出的Empyrean Polas工具,憑借其先進(jìn)的3D場(chǎng)求解器提取算法,成功突破了傳統(tǒng)RC參數(shù)提取方法的瓶頸,特別是在處理PMIC設(shè)計(jì)中的電源...
榮湃產(chǎn)品助力數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源效率的提升
近年來(lái),公有云、私有云的市場(chǎng)快速增長(zhǎng),數(shù)據(jù)中心大量建設(shè),對(duì)服務(wù)器電源的性能提出更高要求,服務(wù)器電源逐漸向高功率密度、高可靠性、高智能化、遠(yuǎn)程控制、實(shí)時(shí)監(jiān)...
2022-10-21 標(biāo)簽:電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1369 0
近年來(lái),由于節(jié)能減排的需要,尤其是移動(dòng)智能設(shè)備的發(fā)展推動(dòng),高效的節(jié)能電源技術(shù)成為市場(chǎng)的發(fā)展方向,如何做好設(shè)備的電源管理成為了各大半導(dǎo)體原廠和終端廠商關(guān)注...
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)2
開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
2023-04-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)IGBTMOS 1367 0
IGBT頭部公司紛紛擴(kuò)產(chǎn) 中國(guó)有哪些優(yōu)秀的IGBT廠商
隨著新能源的爆火,IGBT缺貨成了近年來(lái)的“家常便飯”。根據(jù)富昌電子的數(shù)據(jù),目前英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等IGBT國(guó)際大廠的訂單整體處于相對(duì)飽滿的狀態(tài)...
2023-12-14 標(biāo)簽:英飛凌新能源汽車(chē)二極管 1367 0
傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底,在剝離的過(guò)程中,如藍(lán)寶石就特別困難,會(huì)產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本,且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。
B1506A功率器件分析儀在車(chē)規(guī)級(jí)大功率半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用
“降價(jià)了降價(jià)了!??!某某汽車(chē)又降價(jià)了,最近的汽車(chē)交易市場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)打的火熱啊,趕緊抓住機(jī)會(huì),搞一輛新車(chē),到底是買(mǎi)傳統(tǒng)車(chē)還是新能源呢?別急,我們講一下新能源新在哪里。
2023-06-09 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)DC-DC功率器件 1362 0
三菱電機(jī)新開(kāi)發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管碳化硅模塊(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD-Embedded)技術(shù),可以...
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