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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——熱等效模型

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——熱等效模型

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率...

2024-12-03 標(biāo)簽:功率器件熱設(shè)計(jì)等效模型 1407 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽:功率器件碳化硅寬禁帶 1400 0

提高功率器件輸出密度的方法

提高功率器件輸出密度的方法

“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分,有功率晶體管(MOSFET、IGBT等)、二極管、晶閘管、雙向可控硅...

2024-01-10 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 1392 0

功率器件嵌入PCB技術(shù)文章分享

中文相關(guān)的文章很少,英文稍多,基本都是會(huì)議文章,下了好多篇,慢慢看。 1200V/50A B6 ECP模塊與DBC模塊對(duì)比 ECP :Embedded ...

2024-12-30 標(biāo)簽:pcb功率器件 1392 0

SiC MOSFET發(fā)展趨勢(shì)與解決方案

SiC MOSFET發(fā)展趨勢(shì)與解決方案

毫無(wú)疑問(wèn),所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力,在過(guò)去五年中,汽車(chē)行業(yè)一直是該材料的公開(kāi)試驗(yàn)場(chǎng)?;?SiC 的傳動(dòng)系統(tǒng)逆變器——將來(lái)...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET功率器件碳化硅 1388 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)...

2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 1387 0

【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之五:優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之五:優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

半橋電路(圖1)廣泛用于功率電子領(lǐng)域的多種應(yīng)用,是現(xiàn)代設(shè)計(jì)中有效轉(zhuǎn)換電能使用的基本電路。但是,只有在半橋、門(mén)驅(qū)動(dòng)器和布線正確且優(yōu)化設(shè)計(jì)時(shí),這種電路的優(yōu)勢(shì)...

2020-08-31 標(biāo)簽:示波器功率器件探頭 1387 0

如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式

今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》,依然是我覺(jué)得比較好的。

2023-04-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1385 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...

2025-01-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件熱設(shè)計(jì) 1385 0

華大九天Empyrean Polas工具解決功率設(shè)計(jì)難題

華大九天Empyrean Polas工具解決功率設(shè)計(jì)難題

華大九天推出的Empyrean Polas工具,憑借其先進(jìn)的3D場(chǎng)求解器提取算法,成功突破了傳統(tǒng)RC參數(shù)提取方法的瓶頸,特別是在處理PMIC設(shè)計(jì)中的電源...

2025-02-08 標(biāo)簽:MOS管功率器件華大九天 1376 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

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在本文中,我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽:功率器件GaNHEMT 1369 0

榮湃產(chǎn)品助力數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源效率的提升

近年來(lái),公有云、私有云的市場(chǎng)快速增長(zhǎng),數(shù)據(jù)中心大量建設(shè),對(duì)服務(wù)器電源的性能提出更高要求,服務(wù)器電源逐漸向高功率密度、高可靠性、高智能化、遠(yuǎn)程控制、實(shí)時(shí)監(jiān)...

2022-10-21 標(biāo)簽:電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1369 0

迎合節(jié)能減排硬需求,羅姆打電源管理組合牌

近年來(lái),由于節(jié)能減排的需要,尤其是移動(dòng)智能設(shè)備的發(fā)展推動(dòng),高效的節(jié)能電源技術(shù)成為市場(chǎng)的發(fā)展方向,如何做好設(shè)備的電源管理成為了各大半導(dǎo)體原廠和終端廠商關(guān)注...

2014-03-28 標(biāo)簽:電源管理功率器件無(wú)線充電 1369 0

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

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1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOS...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1367 0

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開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...

2023-04-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)IGBTMOS 1367 0

IGBT頭部公司紛紛擴(kuò)產(chǎn) 中國(guó)有哪些優(yōu)秀的IGBT廠商

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隨著新能源的爆火,IGBT缺貨成了近年來(lái)的“家常便飯”。根據(jù)富昌電子的數(shù)據(jù),目前英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等IGBT國(guó)際大廠的訂單整體處于相對(duì)飽滿的狀態(tài)...

2023-12-14 標(biāo)簽:英飛凌新能源汽車(chē)二極管 1367 0

二維材料異質(zhì)外延GaN及其應(yīng)用探索

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傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底,在剝離的過(guò)程中,如藍(lán)寶石就特別困難,會(huì)產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本,且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。

2024-03-28 標(biāo)簽:功率器件石墨烯GaN 1365 0

B1506A功率器件分析儀在車(chē)規(guī)級(jí)大功率半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

“降價(jià)了降價(jià)了!??!某某汽車(chē)又降價(jià)了,最近的汽車(chē)交易市場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)打的火熱啊,趕緊抓住機(jī)會(huì),搞一輛新車(chē),到底是買(mǎi)傳統(tǒng)車(chē)還是新能源呢?別急,我們講一下新能源新在哪里。

2023-06-09 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)DC-DC功率器件 1362 0

軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

三菱電機(jī)新開(kāi)發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管碳化硅模塊(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD-Embedded)技術(shù),可以...

2024-10-31 標(biāo)簽:MOSFET嵌入式三菱電機(jī) 1352 0

功率器件IGBT用到的導(dǎo)熱材料機(jī)理和作用

功率器件IGBT用到的導(dǎo)熱材料機(jī)理和作用

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展,電子產(chǎn)品的發(fā)展趨向于微型化和密集化,電子器件的功率計(jì)散熱要求也隨之增加。

2023-05-29 標(biāo)簽:散熱器IGBT功率器件 1350 0

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    JDI(Java Debug Interface)是 JPDA 三層模塊中最高層的接口,定義了調(diào)試器(Debugger)所需要的一些調(diào)試接口?;谶@些接口,調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài),例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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