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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92452次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      上海貝嶺車載逆變電源功率器件解決方案

      作為一種電源轉(zhuǎn)換器，車載逆變電源能夠?qū)?chǔ)能電池直流電轉(zhuǎn)換為220V的交流電，給筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、無人機(jī)等設(shè)備提供電能。其輸出波形包括修正弦波和純正弦...

      2022-11-10 標(biāo)簽：功率器件車載逆變電源上海貝嶺 1276 0

      24W電源模塊的設(shè)計(jì)介紹

      24W電源模塊的設(shè)計(jì)涉及到多個(gè)方面，包括電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、功率器件選擇、控制策略、保護(hù)機(jī)制等。 電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 24W電源模塊通常采用開關(guān)電源技術(shù)，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...

      2024-07-08 標(biāo)簽：開關(guān)電源電源模塊功率器件 1275 0

      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測(cè)試方案

      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測(cè)試方案

      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...

      2025-01-14 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 1266 0

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      功率半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介2

      簡(jiǎn)介： 單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)，導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài)，不具備放大，單向?qū)ǎ? 無外部電流、電壓控制，就是0和1的狀態(tài)，電壓電流較小。 應(yīng)用： 各種電子設(shè)備...

      2023-02-20 標(biāo)簽：PN功率器件MOSEFT 1259 0

      嵌入式電路設(shè)計(jì)之三極管基礎(chǔ)電路總結(jié)

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      在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來控制某些電路的開關(guān)功能，此時(shí)三極管可作為開關(guān)器件來使用。作為開關(guān)器件使用時(shí)需使用開關(guān)三極管如9014和9015等小功率器...

      2015-10-01 標(biāo)簽：三極管功率器件開關(guān)器件 1259 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

      碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

      2024-08-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1256 0

      碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

      隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導(dǎo)...

      2023-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1255 0

      碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

      碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

      隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子領(lǐng)域也迎來了前所未有的變革。在這場(chǎng)變革中，碳化硅（SiC）功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1253 0

      百億美元的BLDC電機(jī)市場(chǎng)，其驅(qū)動(dòng)電路可使用170N1F4A場(chǎng)效應(yīng)管代換！

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      依據(jù)數(shù)據(jù)分析，在2022年BLDC的市場(chǎng)規(guī)模是189億美元，預(yù)計(jì)2025年的市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)223億美元。

      2024-03-05 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)BLDC 1253 0

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      半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片...

      2023-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓功率器件 1249 0

      一種電動(dòng)欄桿機(jī)控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

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      電動(dòng)欄桿機(jī)是機(jī)電一體化設(shè)備，不僅應(yīng)用于公路、橋梁和口岸，同時(shí)也廣泛使用在各種場(chǎng)區(qū)的禁行管理場(chǎng)合。電動(dòng)欄桿系統(tǒng)設(shè)計(jì)的技術(shù)水平對(duì)產(chǎn)品的功耗、壽命及可靠性影響...

      2023-07-23 標(biāo)簽：mcu控制器MODBUS 1234 0

      pcb電路板散熱技巧有哪些

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      對(duì)電路板進(jìn)行很好的散熱處理是非常重要的。PCB電路板的散熱是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)，那么PCB電路板散熱技巧是怎樣的，下面我們一起來討論下。

      2023-08-04 標(biāo)簽：pcb元器件功率器件 1225 0

      功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進(jìn)趨勢(shì)

      IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀(jì)80年代，并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí)，通過新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...

      2022-10-20 標(biāo)簽：封裝IGBT功率器件 1222 0

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      目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)...

      2023-06-27 標(biāo)簽：pcb印制電路板功率器件 1220 0

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      IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件，其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性...

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      碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用！

      電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...

      2022-11-23 標(biāo)簽：IGBT功率器件SiC 1205 0

      CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么

      CoolGaN和增強(qiáng)型GaN（通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管，即e-mode HEMT）在概念上有所重疊，但具體來說，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...

      2024-09-07 標(biāo)簽：晶體管功率器件GaN 1201 0

      專家分享：高效高可靠LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的心得

      要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場(chǎng)營銷副總裁Doug...

      2014-05-12 標(biāo)簽：MOSFETLED驅(qū)動(dòng)功率器件 1196 0

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      碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，使其在高效能、高頻率和高溫...

      2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1195 0

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