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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92449次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      飛兆半導(dǎo)體于2013年功率電子論壇中推多項(xiàng)創(chuàng)新解決方案

      飛兆半導(dǎo)體公司（紐約證券交易所代號： FCS），高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，將與行業(yè)和學(xué)術(shù)界專家齊聚一堂，參加2013年6月18-2...

      2013-06-04 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體開關(guān)電源電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1033 0

      什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

      什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

      氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向...

      2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無刷直流電機(jī) 1030 0

      雙脈沖平臺(tái)搭建的難題如何破解

      雙脈沖平臺(tái)搭建的難題如何破解

      雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。

      2023-07-12 標(biāo)簽：示波器功率器件雙脈沖測試 1029 0

      功率MOSFET選型指南

      功率MOSFET選型指南

      俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”，對于電子設(shè)計(jì)工程師，在項(xiàng)目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項(xiàng)目的成功。

      2023-08-25 標(biāo)簽：MOSFET封裝MOS 1027 0

      碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺(tái)蓄勢待發(fā)

      碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺(tái)蓄勢待發(fā)

      根據(jù)研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...

      2023-09-28 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1025 0

      碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

      碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

      傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES...

      2023-08-14 標(biāo)簽：pcb功率器件SiC 1020 0

      淺談IGBT產(chǎn)業(yè)鏈中的幾個(gè)玩家

      低壓的光伏經(jīng)過前年的低谷期，最近兩三年都是處于上升的階段，包括很多光伏逆變的客戶發(fā)展還是比較快，海外市場會(huì)多一些，包括這幾年崛起的終端客戶，比如德業(yè)和錦浪。

      2022-09-20 標(biāo)簽：IGBT功率器件 1020 0

      用于可穿戴設(shè)備和汽車的功率器件方案

      用于可穿戴設(shè)備和汽車的功率器件方案

      PMIC 是小型電池供電設(shè)備的最佳選擇，因?yàn)樗鼈兛梢栽趩涡酒刑峁┩暾碾娫唇鉀Q方案，并包括電壓轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器、電池電量指示器、電池充電器和 LED 驅(qū)...

      2022-07-26 標(biāo)簽：電源電源管理功率器件 1018 0

      英飛凌CoolSiC? MOSFET G2，助力下一代高性能電源系統(tǒng)

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      所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù)，并已取代了平面技術(shù)，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...

      2024-05-16 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET功率器件 1016 0

      如何增強(qiáng)SiC功率器件的性能與可靠性？

      電動(dòng)汽車 (EV) 市場的快速增長推動(dòng)了對下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。

      2024-04-07 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體功率器件 1013 0

      車規(guī)級功率器件可靠性測試難點(diǎn)及應(yīng)用場景

      車規(guī)級功率器件可靠性測試難點(diǎn)及應(yīng)用場景

      車規(guī)級功率器件未來發(fā)展趨勢 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢，GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:...

      2023-07-04 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 1011 0

      碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

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      碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

      2023-09-24 標(biāo)簽：封裝技術(shù)BGA功率器件 1004 0

      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測試

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      氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...

      2024-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1002 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及未來趨勢

      隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。然而，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能極限。為了滿足不斷增長的性能需求，碳化硅（SiC）...

      2023-12-13 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1001 0

      汽車功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的號角吹響 國產(chǎn)功率半導(dǎo)體未來可期

      在新能源汽車的供應(yīng)鏈上電池、電機(jī)、電控、功率半導(dǎo)體、視頻傳感器、激光雷達(dá)、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。

      2022-09-05 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件功率半導(dǎo)體 997 0

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      國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-不間斷電源

      不間斷電源（UPS）是一種將蓄電池與主機(jī)相連接，將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備，主要是為了在市電故障時(shí)能夠?yàn)橛?jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。

      2023-11-20 標(biāo)簽：蓄電池不間斷電源MOS 994 0

      被GaN扼殺的硅、分立功率器件

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      四十年來，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MO...

      2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET功率器件GaN 992 0

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      在現(xiàn)代電子行業(yè)，隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多，傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

      2024-04-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 992 0

      功率器件電鍍的原理和步驟

      功率器件電鍍的原理和步驟

      在功率半導(dǎo)體制程里，電鍍扮演著舉足輕重的角色，從芯片前端制程到后端封裝，均離不開這一關(guān)鍵工序。目前，我國中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板，...

      2025-06-09 標(biāo)簽：晶圓電鍍功率器件 989 0

      螺釘布置對底部散熱型表貼式功率器件熱表現(xiàn)的影響

      螺釘布置對底部散熱型表貼式功率器件熱表現(xiàn)的影響

      觀眾朋友們大家好~今天起，我們?nèi)碌臋谀俊抡?01大講堂正式上線！仿真作為我們半導(dǎo)體器件研發(fā)的重要工具之一，通過建模、驗(yàn)證、優(yōu)化等流程，讓我們在研發(fā)...

      2023-08-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體元器件PCB板 983 0

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        +關(guān)注
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        工業(yè)4.0
        +關(guān)注
        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        英偉達(dá)
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        以無人駕駛來說，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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        OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        ARM架構(gòu)過去稱作進(jìn)階精簡指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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        Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實(shí)現(xiàn)對各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實(shí)現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項(xiàng)功能。
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        OpenCL
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        OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺(tái)編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺(tái)可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺(tái)的API組成。
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        嵌入式操作系統(tǒng)
        +關(guān)注
        嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
      • Windows CE
        Windows CE
        +關(guān)注
        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
      • JDI
        JDI
        +關(guān)注
        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
      • NFS
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        +關(guān)注
        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
      • 麒麟960
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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      • 米爾科技
        米爾科技
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        米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
      • ARM公司
        ARM公司
        +關(guān)注
        ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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        OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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