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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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碳化硅(SiC)是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料,用于制造電動(dòng)汽車(EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...
電裝和三菱電機(jī)將在碳化硅業(yè)務(wù)上合計(jì)投資10億美元
市場(chǎng)估計(jì)表明,SiC總潛在市場(chǎng)將從2022年的30億美元增長(zhǎng)到2030年的210億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為28%。 相干公司宣布,電裝和三菱電機(jī)將在其碳化硅...
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面。
2023-04-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車逆變器 1095 0
上海貝嶺功率器件在電動(dòng)輕便摩托車控制器的應(yīng)用解析
在中國(guó)電動(dòng)兩輪車已經(jīng)成為人們?nèi)粘I钪斜夭豢缮俚慕煌üぞ?。隨著電動(dòng)自行車國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的不斷改進(jìn),電動(dòng)自行車向著低速、高安全性和長(zhǎng)續(xù)航里程等方向逐漸演進(jìn)。與此...
Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用有哪些呢?
像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。
隨著小信號(hào)器件概念的出現(xiàn),半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號(hào)器件及功率器件兩大類:世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)也將小信號(hào)器件定義為耗...
常用功率半導(dǎo)體器件知識(shí)匯總總結(jié)
晶閘管(SCR)自問世以來,其功率容量提高了近3000倍?,F(xiàn)在許多國(guó)家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV / 4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV / 4kA和6kV ...
碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面...
如何利用IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測(cè)試?
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開關(guān)器件,為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流,具備驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管功率器件 1079 0
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)
隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?,將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出...
2024-01-06 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)功率器件碳化硅 1078 0
碳化硅(SiC)功率元器件是一種半導(dǎo)體器件,具有許多獨(dú)特的特性,使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。以下是SiC功率元器件的一些主要特征: 碳化硅(Si...
第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展,第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb...
碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件...
對(duì)于電子設(shè)備來說,工作時(shí)都會(huì)產(chǎn)生一定的熱量,從而使設(shè)備內(nèi)部溫度迅速上升,電子設(shè)備的可靠性能就會(huì)下降,對(duì)電路板進(jìn)行很好的散熱處理是非常重要的。
功率半導(dǎo)體行業(yè)深度報(bào)告:能源變革大時(shí)代,功率器件大市場(chǎng)
MOSFET,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單和輻射強(qiáng)等優(yōu) 點(diǎn),通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型 ...
碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用前景
隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,具有高頻...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對(duì)碳化硅功...
如何利用LTspice輕松模擬工程電源與MEMS信號(hào)鏈設(shè)計(jì)
一般的共享電源和數(shù)據(jù)接口經(jīng)過編碼,可減少信號(hào)直流成分,從而在發(fā)送交流信號(hào)成分時(shí)簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。但是,許多數(shù)字輸出傳感器接口(例如,SPI和I2C)尚未經(jīng)過...
近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問題依然存在。
2023-06-15 標(biāo)簽:功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1037 0
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