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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個 瀏覽：92450次 帖子：50個

      功率器件技術(shù)

      【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之一：直擊電源設(shè)計不同階段痛點

      什么才是電源測試工程師所關(guān)注的測試難點？走訪了百位測試工程師，泰克將工程師的測試痛點總結(jié)出來。

      2020-02-27 標(biāo)簽：電源設(shè)計功率器件泰克科技 1345 0

      Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)

      兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢。

      2022-09-16 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 1345 0

      炸管，探頭也被燒壞了？

      在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評估、功率模塊開發(fā)和特性評估、電源設(shè)計器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時，都需要對其驅(qū)動波形進(jìn)行測試，這時大多數(shù)工程...

      2022-12-09 標(biāo)簽：功率器件探頭氮化鎵 1342 0

      寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

      寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

      碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。

      2023-10-09 標(biāo)簽：電動汽車功率器件SiC 1342 0

      射頻（RF）電路設(shè)計的常見問題

      　降低高/低功率器件干擾耦合的設(shè)計原則。在蜂窩電話PCB上，通?？梢詫⒌驮胍舴糯笃麟娐贩旁赑CB的某一面，而將高功率放大器放在另一面，并最終通過雙工器把...

      2024-03-12 標(biāo)簽：pcb模擬電路元器件 1342 0

      SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項

      SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項

      SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡...

      2024-11-14 標(biāo)簽：晶圓功率器件SiC 1331 0

      電源轉(zhuǎn)換器的發(fā)展方向是什么？

      對于服務(wù)器、以太網(wǎng)交換機、基站、以及等云端基礎(chǔ)設(shè)施終端設(shè)備內(nèi)電源的功率密度的要求越來越高。為了應(yīng)對這一要求，將集成MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶...

      2018-07-11 標(biāo)簽：mosfetdc轉(zhuǎn)換器功率器件 1328 0

      基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用

      基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用

      在工商業(yè)儲能系統(tǒng)中，儲能變流器（PCS）是核心組件之一，其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅（SiC）功率器件的廣泛應(yīng)用，儲能PCS的效率、...

      2025-03-03 標(biāo)簽：MOSFET功率器件PCS 1320 0

      DBA基板未來應(yīng)用領(lǐng)域分析

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      隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中，直接覆鋁陶瓷基板（DBA基板）因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目，成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。 DB...

      2023-06-20 標(biāo)簽：功率器件DBA陶瓷基板 1318 0

      車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷，2023年看不到供需緩解跡象

      功率器件品類眾多，其中車規(guī)功率器件量價齊升市場規(guī)模已超過1000億元

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 1310 0

      常見電源拓?fù)浼爱a(chǎn)品介紹

      常見電源拓?fù)浼爱a(chǎn)品介紹

      去年源自危機感開的公眾號，自從技術(shù)轉(zhuǎn)崗業(yè)務(wù)，加上市場趨勢向下，總覺得要多積累一些東西來增加自身的價值，也逐漸理解業(yè)務(wù)未必就是把技術(shù)放下，也意識到哪怕不放...

      2024-01-11 標(biāo)簽：PFC功率器件LLC 1309 0

      過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件...

      2024-01-05 標(biāo)簽：安森美仿真模型功率器件 1308 0

      碳化硅功率器件的可靠性分析方法和過程

      碳化硅功率器件的可靠性分析方法和過程

      碳化硅功率器件的可靠性是指該器件在正常工作條件下，能夠持續(xù)穩(wěn)定地提供所需的功率，并且不會出現(xiàn)故障或失效的可能性。

      2023-02-19 標(biāo)簽：功率器件可靠性分析碳化硅 1303 0

      關(guān)于MOS管燒毀的原因有哪些？

      關(guān)于MOS管燒毀的原因有哪些？

      大電流的快速切換會導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個或多個電源軌，則可能會對控制電路產(chǎn)生干擾。

      2023-09-19 標(biāo)簽：二極管MOS管導(dǎo)通電阻 1301 0

      碳化硅功率器件在儲能領(lǐng)域的應(yīng)用示例

      碳化硅功率器件在儲能領(lǐng)域的應(yīng)用示例

      碳化硅功率器件目前被廣泛用于電源、用于電池充電和牽引驅(qū)動的電池電動汽車（BEV）電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機驅(qū)動以及太陽能和風(fēng)力發(fā)電逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)...

      2023-12-03 標(biāo)簽：太陽能功率器件SiC 1293 0

      碳化硅二極管的區(qū)別和用途

      碳化硅二極管的區(qū)別和用途

      隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升，硅基器件物理極限無法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來，以碳化硅(silicon carb...

      2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1284 0

      SiC功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用前景

      SiC功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用前景

      隨著新能源汽車銷量暴漲的東風(fēng)，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)...

      2023-10-18 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1284 0

      功率ic的主要用途有哪些

      當(dāng)今社會，各種電力設(shè)備和電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛，這些設(shè)備需要電源管理和電力控制來確保其高效、高精度和高可靠性的運行。功率IC作為一種集成電路，具有多種...

      2023-02-18 標(biāo)簽：IC功率器件功率IC 1283 0

      IGBT功率器件功耗

      IGBT功率器件功耗

      IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個，一是功率器件導(dǎo)通時，產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功...

      2024-07-19 標(biāo)簽：IGBT功率器件變流器 1282 0

      便攜式儲能設(shè)備拓?fù)浼笆袌鲆?guī)模

      便攜式儲能設(shè)備拓?fù)浼笆袌鲆?guī)模

      便攜儲能市場的規(guī)模便攜儲能的典型應(yīng)用拓?fù)鋱D以及需要的主要功率器件龍騰產(chǎn)品RoadMap掃一掃獲取更多資訊

      2022-11-10 標(biāo)簽：MOS管功率器件 1279 0

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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口。基于這些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機上有哪些類和實例等。
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        NFS
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機一樣。
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        麒麟960
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
      • ARM公司
        ARM公司
        +關(guān)注
        ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目，是一系列軟件開源項目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項目。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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        OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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