晶閘管和IGBT有什么區(qū)別？

SCR的開(kāi)關(guān)時(shí)間較長(zhǎng)，所以頻率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的開(kāi)關(guān)頻率較高。IGBT模塊可達(dá)30KHZ左右，IGBT單管開(kāi)關(guān)頻率更高，達(dá)50...

2019-07-30 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 4.1萬(wàn) 0

幾種能夠?qū)崿F(xiàn)快速短路保護(hù)的方法，并且通過(guò)實(shí)際測(cè)試驗(yàn)證了可行性

目前有4種常用的短路檢測(cè)及保護(hù)方法，其原理示意圖如圖4所示。其中最直接的方式就是使用電流探頭或者分流電阻檢測(cè)漏極電流。業(yè)界最常用的方法是檢測(cè)飽和壓降。M...

2018-07-16 標(biāo)簽：MOSFET功率器件短路保護(hù) 2.4萬(wàn) 0

基于GaN的開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)是關(guān)鍵要素

輸入電壓兼容TTL電平，并且最大輸入電壓可以高達(dá)14V，而不考慮VDD軌電壓。同時(shí)，在高側(cè)/低側(cè)的應(yīng)用中，低傳播延遲和軌到軌的時(shí)鐘傾斜對(duì)效率也是至關(guān)重要...

2018-10-19 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 2.2萬(wàn) 0

變頻器參數(shù)設(shè)置步驟

變頻器是工業(yè)上常用的驅(qū)動(dòng)功率器件，一般被用于驅(qū)動(dòng)異步電機(jī)的調(diào)速運(yùn)行。當(dāng)然隨著目前技術(shù)的發(fā)展，變頻器所能完成的工作已經(jīng)不僅僅只有電機(jī)的調(diào)速了，通過(guò)變頻器上...

2023-05-11 標(biāo)簽：變頻器異步電機(jī)功率器件 2.2萬(wàn) 0

常用的功率半導(dǎo)體器件盤點(diǎn)匯總

電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電...

2015-06-30 標(biāo)簽：功率器件 2.1萬(wàn) 0

光耦繼電器跟固態(tài)繼電器有什么區(qū)別

光耦繼電器歸于固態(tài)繼電器，一般電磁繼電器靠電流經(jīng)過(guò)線圈使鐵芯變成有磁性的磁鐵吸合銜鐵，從而使相關(guān)的觸點(diǎn)動(dòng)作操控負(fù)載的通斷，而光耦繼電器沒(méi)有觸點(diǎn)，其工作原...

2019-08-30 標(biāo)簽：繼電器功率器件光耦繼電器 2.0萬(wàn) 0

小小的貼片電阻可以讓你的電路無(wú)緣無(wú)故失效

先來(lái)看看某廠家四種常用封裝電阻的參數(shù)表。其中表中有兩個(gè)值：額定工作電壓和最大工作電壓。　

2017-10-24 標(biāo)簽：貼片電阻封裝貼片 1.8萬(wàn) 0

常用的開(kāi)關(guān)器件有哪些？

目前，在中、小型變頻調(diào)速器中用得最多的是功率晶體管，為了提高放大倍數(shù)，常做成達(dá)林頓管，一般電路圖中仍畫(huà)成單管，代表符號(hào)是CTR或BTR。

2019-08-01 標(biāo)簽：晶體管功率器件開(kāi)關(guān)器件 1.7萬(wàn) 0

金剛石基氮化鎵（GaN）技術(shù)的未來(lái)展望

Felix Ejeckam于2003年發(fā)明了金剛石上的GaN，以有效地從GaN晶體管中最熱的位置提取熱量。其基本理念是利用較冷的GaN放大器使系統(tǒng)更節(jié)能...

2018-07-26 標(biāo)簽：功率器件GaN金剛石 1.6萬(wàn) 0

電子元器件選型教程之電子元器件選型參數(shù)與原則（超實(shí)用）

給大家分享一個(gè)超實(shí)用的電子元器件選型教程，主要介紹之電子元器件選型參數(shù)與電子元器件選型原則。

2021-01-05 標(biāo)簽：電子元器件元器件功率器件 1.6萬(wàn) 0

氧化鋁和電解鋁有什么區(qū)別 電解鋁和氧化鋁的用途

氧化鋁是一種化學(xué)化合物，由鋁和氧元素組成，化學(xué)式為Al2O3。它是一種非導(dǎo)電的陶瓷材料，具有高熔點(diǎn)、高硬度和優(yōu)異的耐腐蝕性。氧化鋁廣泛應(yīng)用于陶瓷制品、磨...

2023-07-05 標(biāo)簽：功率器件電解鋁氧化鋁 1.6萬(wàn) 0