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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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如何實(shí)現(xiàn)IGBT的軟開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)
正常IGBT的工作頻率在10—20kHz,其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速中,它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體...
LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路
LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于高壓場(chǎng)合。而針對(duì)高壓芯片的ESD防護(hù)領(lǐng)域,可采取GGNLDMOS的設(shè)計(jì)思路。
技術(shù)突破:中國(guó)電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶
由圖可以看出,β-Ga2O3的主要優(yōu)勢(shì)在于禁帶寬度,但也存在著不足,主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低,特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過,相對(duì)來說,這些缺點(diǎn)對(duì)功...
功率器件被稱為功率電子器件,即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。它是電子部件和電子設(shè)備-發(fā)電機(jī)的統(tǒng)稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...
2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器功率器件 7484 0
mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平,并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。
特高壓技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)
新能源是支撐國(guó)家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵,隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出,中國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。
2022-10-12 標(biāo)簽:元器件太陽(yáng)能光伏功率器件 7325 0
采用TL494芯片實(shí)現(xiàn)電動(dòng)跑步機(jī)的開關(guān)電源設(shè)計(jì)
中國(guó)經(jīng)濟(jì)與世界的不斷接軌,使中國(guó)臺(tái)灣這個(gè)原先在電動(dòng)跑步機(jī)行業(yè)一直處于壟斷的地位,慢慢地被國(guó)內(nèi)大陸的電跑廠家所削弱。據(jù)2006年、2007年成都體育產(chǎn)品博...
IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下,而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)(如-40℃~+65℃)。溫度和散熱對(duì)于系統(tǒng)...
氧化鋁導(dǎo)電性能如何 檢測(cè)氧化鋁最簡(jiǎn)單的方法
氧化鋁本身具有較低的導(dǎo)電性能。純凈的氧化鋁是一種絕緣材料,不具備良好的電導(dǎo)性。這是因?yàn)檠趸X在晶體結(jié)構(gòu)中具有高度的離子性,其結(jié)構(gòu)中的氧離子和鋁離子之間形...
功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)綜述
在有限的封 裝空間內(nèi),如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度,已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮...
線性電源功率器件工作在線性狀態(tài),如我們常用的穩(wěn)壓芯片LM7805、LM317、SPX1117等。下圖1是LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖。
2023-12-08 標(biāo)簽:pcb開關(guān)電源電源電路 6848 0
為什么反激電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是反激電源變壓器?(2)
精通反激電源變壓器設(shè)計(jì)2-精通反激電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵---反激電源變壓器2A
第三代半導(dǎo)體(氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等)的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率,小型化,集成化和多功能方面前進(jìn),對(duì)封裝基板...
功率器件,也稱為功率電子器件,是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分,它們具備處理高電壓和高電流的能力,是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對(duì)功率器件的詳細(xì)介紹,...
超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹
功率器件要得到較高的擊穿電壓,就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度,常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。
2023-09-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 6585 0
變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動(dòng)電路損壞致使1個(gè)橋臂上的2個(gè)開關(guān)器件同一時(shí)間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其...
激光雷達(dá)系統(tǒng)正在進(jìn)入各種其他應(yīng)用領(lǐng)域
隨著激光雷達(dá)的發(fā)展,相關(guān)市場(chǎng)也會(huì)出現(xiàn)增長(zhǎng)。據(jù)Yole Développement預(yù)測(cè),氮化鎵功率器件的市場(chǎng)將在未來五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)79%的年復(fù)合增長(zhǎng)率,并在2...
2018-09-21 標(biāo)簽:功率器件激光雷達(dá)自動(dòng)駕駛 6358 0
功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的...
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