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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

+關(guān)注42人關(guān)注

功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

如何實(shí)現(xiàn)IGBT的軟開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)

正常IGBT的工作頻率在10—20kHz,其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速中,它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體...

2013-01-11 標(biāo)簽:IGBT功率器件 7790 2

關(guān)于八吋晶圓的性能分析和應(yīng)用介紹

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特種工藝技術(shù)包括高精度模擬CMOS、射頻CMOS、嵌入式存儲(chǔ)器CMOS、CIS、高壓CMOS、 BiCMOS和BCDMOS。這些特種技術(shù)對(duì)晶圓代工廠的工...

2019-08-30 標(biāo)簽:晶圓功率器件 7764 0

LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路

LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路

LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于高壓場(chǎng)合。而針對(duì)高壓芯片的ESD防護(hù)領(lǐng)域,可采取GGNLDMOS的設(shè)計(jì)思路。

2023-12-06 標(biāo)簽:ESD功率器件LDMOS 7654 0

技術(shù)突破:中國(guó)電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶

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由圖可以看出,β-Ga2O3的主要優(yōu)勢(shì)在于禁帶寬度,但也存在著不足,主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低,特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過,相對(duì)來說,這些缺點(diǎn)對(duì)功...

2019-03-01 標(biāo)簽:晶圓功率器件氧化鎵 7628 0

什么是功率器件,具有什么特性

  功率器件被稱為功率電子器件,即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。它是電子部件和電子設(shè)備-發(fā)電機(jī)的統(tǒng)稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...

2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器功率器件 7484 0

功率mos管燒毀原因分析及導(dǎo)致失效原因

mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平,并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。

2022-12-29 標(biāo)簽:二極管MOS管功率器件 7423 0

特高壓技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)

新能源是支撐國(guó)家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵,隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出,中國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。

2022-10-12 標(biāo)簽:元器件太陽(yáng)能光伏功率器件 7325 0

采用TL494芯片實(shí)現(xiàn)電動(dòng)跑步機(jī)的開關(guān)電源設(shè)計(jì)

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中國(guó)經(jīng)濟(jì)與世界的不斷接軌,使中國(guó)臺(tái)灣這個(gè)原先在電動(dòng)跑步機(jī)行業(yè)一直處于壟斷的地位,慢慢地被國(guó)內(nèi)大陸的電跑廠家所削弱。據(jù)2006年、2007年成都體育產(chǎn)品博...

2019-06-24 標(biāo)簽:芯片電機(jī)功率器件 7322 0

淺談IGBT模塊使用溫度范圍

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IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下,而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)(如-40℃~+65℃)。溫度和散熱對(duì)于系統(tǒng)...

2024-01-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率器件 7009 0

氧化鋁導(dǎo)電性能如何 檢測(cè)氧化鋁最簡(jiǎn)單的方法

氧化鋁本身具有較低的導(dǎo)電性能。純凈的氧化鋁是一種絕緣材料,不具備良好的電導(dǎo)性。這是因?yàn)檠趸X在晶體結(jié)構(gòu)中具有高度的離子性,其結(jié)構(gòu)中的氧離子和鋁離子之間形...

2023-07-05 標(biāo)簽:功率器件氧化鋁 6967 0

功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)綜述

功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)綜述

在有限的封 裝空間內(nèi),如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度,已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮...

2023-04-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝功率器件 6886 0

LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖

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線性電源功率器件工作在線性狀態(tài),如我們常用的穩(wěn)壓芯片LM7805、LM317、SPX1117等。下圖1是LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖。

2023-12-08 標(biāo)簽:pcb開關(guān)電源電源電路 6848 0

為什么反激電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是反激電源變壓器?(2)

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2018-08-16 標(biāo)簽:電源功率器件電源變壓器 6820 0

AMB活性金屬焊接陶瓷基板的性能及應(yīng)用

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第三代半導(dǎo)體(氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等)的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率,小型化,集成化和多功能方面前進(jìn),對(duì)封裝基板...

2023-06-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 6808 0

功率器件的種類和應(yīng)用領(lǐng)域

功率器件,也稱為功率電子器件,是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分,它們具備處理高電壓和高電流的能力,是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對(duì)功率器件的詳細(xì)介紹,...

2024-07-16 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率器件 6705 0

超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

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功率器件要得到較高的擊穿電壓,就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度,常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。

2023-09-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 6585 0

常見9大功放電路分析

常見9大功放電路分析

功放,顧名思義就是功率放大的縮寫,與電壓或者電流放大來說,功放要求獲得一定的、不失真的功率,一般在大信號(hào)狀態(tài)下工作。

2023-05-04 標(biāo)簽:放大器音頻功放功放電路 6573 0

變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法

  變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動(dòng)電路損壞致使1個(gè)橋臂上的2個(gè)開關(guān)器件同一時(shí)間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其...

2016-06-02 標(biāo)簽:變頻器逆變器功率器件 6515 0

激光雷達(dá)系統(tǒng)正在進(jìn)入各種其他應(yīng)用領(lǐng)域

隨著激光雷達(dá)的發(fā)展,相關(guān)市場(chǎng)也會(huì)出現(xiàn)增長(zhǎng)。據(jù)Yole Développement預(yù)測(cè),氮化鎵功率器件的市場(chǎng)將在未來五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)79%的年復(fù)合增長(zhǎng)率,并在2...

2018-09-21 標(biāo)簽:功率器件激光雷達(dá)自動(dòng)駕駛 6358 0

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的...

2023-10-27 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率模塊 6331 0

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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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