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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

SiC功率器件的封裝形式

SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層,且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù),從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...

2023-02-16 標(biāo)簽:封裝技術(shù)功率器件SiC 4593 0

SiC材料及器件介紹

SiC材料及器件介紹

SiC,作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

2023-09-28 標(biāo)簽:晶圓場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管 4578 0

功率器件的定義和分類(lèi)

功率器件的定義和分類(lèi)

作為電子系統(tǒng)中的最基本單元,半導(dǎo)體功率器件在包括汽車(chē)電子、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武器裝備、儀器儀表、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療電子等各行業(yè)都起著...

2023-05-12 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體晶閘管 4548 0

二極管失效的主要原因

二極管失效的主要原因

對(duì)普通整流二極管來(lái)講,只要應(yīng)用電路中存在電網(wǎng)波動(dòng)、同網(wǎng)中的大功率設(shè)備開(kāi)啟關(guān)斷、雷擊、開(kāi)關(guān)火花、大容量的感性負(fù)載、大容量的容性負(fù)載這些情況下,瞬間電壓高于...

2023-06-16 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體整流二極管 4546 0

開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗有哪些

開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開(kāi)關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面:開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...

2022-03-21 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源功率器件集電極 4542 0

一文解析無(wú)芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器

一文解析無(wú)芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器

功率器件在工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿(mǎn)足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間,ROHM使用專(zhuān)有的微制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)無(wú)核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-05-10 標(biāo)簽:變壓器功率器件Rohm 4482 0

雙脈沖測(cè)試(DPT)的方法解析

雙脈沖測(cè)試(DPT)的方法解析

雙脈沖測(cè)試是電力變壓器和互感器的一種常見(jiàn)測(cè)試方法,其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性,確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。

2024-03-11 標(biāo)簽:電力變壓器IGBT功率器件 4478 0

搶先看!微波功率器件的基石和開(kāi)拓者,新一代高效率長(zhǎng)壽命行波管

搶先看!微波功率器件的基石和開(kāi)拓者,新一代高效率長(zhǎng)壽命行波管

功率行波管的發(fā)展走過(guò)了70年的歷程,具有寬頻帶、高功率、高效率等特點(diǎn),是現(xiàn)代雷達(dá)通信電子戰(zhàn)等系統(tǒng)的核心元器件,并不斷地推動(dòng)系統(tǒng)向高頻率、高功率、集成化、...

2018-05-25 標(biāo)簽:微波功率器件行波管 4471 0

PCB銅皮面積的計(jì)算

PCB銅皮面積的計(jì)算

首先給出答案,對(duì)于散熱,并非銅皮面積越大越好,銅皮較薄時(shí)更是如此。

2023-09-21 標(biāo)簽:PCBsmt散熱 4471 0

IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱路模型

IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱路模型

功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計(jì)及使用過(guò)程中如何保證其可靠運(yùn)行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問(wèn)題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)...

2022-08-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件散熱系統(tǒng) 4458 0

PLC梯形圖語(yǔ)言的編程原則及邏輯指令

用戶(hù)程序的運(yùn)算是根據(jù)PLC的輸入/輸出映象寄存器中的內(nèi)容,邏輯運(yùn)算結(jié)果可以立即被后面的程序使用

2023-02-28 標(biāo)簽:繼電器plc西門(mén)子 4451 0

功率器件的概念 功率器件封裝類(lèi)型有哪些

功率器件是指用于控制、調(diào)節(jié)和放大電能的電子元件。它們主要用于處理大功率電信號(hào)或驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載,例如電機(jī)、變壓器、照明設(shè)備等。

2023-06-28 標(biāo)簽:集成電路smdBGA 4449 0

溫度對(duì)CoolSiC? MOSFET的影響

溫度對(duì)CoolSiC? MOSFET的影響

CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開(kāi)關(guān)損耗低,它們的效率很高,因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。

2022-06-22 標(biāo)簽:MOSFET電壓功率器件 4447 0

什么是硅基氮化鎵?

硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,主要應(yīng)用于功率器件,憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器...

2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 4430 1

功率半導(dǎo)體的定義和分類(lèi) 功率器件的應(yīng)用

功率半導(dǎo)體的定義和分類(lèi) 功率器件的應(yīng)用

功率半導(dǎo)體,又稱(chēng)電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類(lèi)器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開(kāi)關(guān)...

2023-07-27 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率器件 4415 0

功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開(kāi)關(guān),開(kāi)關(guān)速度非???,1秒可以開(kāi)關(guān)上千次(kHz),高速功率器件可達(dá)到幾十kHz,甚至上百kHz。開(kāi)關(guān)速度越快意味著...

2022-04-22 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 4378 0

功率器件心得——功率MOSFET心得

功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載,帶載能力要強(qiáng)。

2016-12-05 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體功率器件 4348 0

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái),在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)...

2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 4338 0

氮化鎵mos管驅(qū)動(dòng)方法

氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì)...

2024-01-10 標(biāo)簽:電阻MOS管功率器件 4334 0

不同因素對(duì)IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響?

不同因素對(duì)IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響?

結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量,能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。

2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率模塊 4323 0

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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶(hù)出售芯片,而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱(chēng)作分頁(yè)內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪(fǎng)問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線(xiàn)的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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