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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層,且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù),從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...
SiC,作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
2023-09-28 標(biāo)簽:晶圓場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管 4578 0
作為電子系統(tǒng)中的最基本單元,半導(dǎo)體功率器件在包括汽車(chē)電子、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武器裝備、儀器儀表、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療電子等各行業(yè)都起著...
對(duì)普通整流二極管來(lái)講,只要應(yīng)用電路中存在電網(wǎng)波動(dòng)、同網(wǎng)中的大功率設(shè)備開(kāi)啟關(guān)斷、雷擊、開(kāi)關(guān)火花、大容量的感性負(fù)載、大容量的容性負(fù)載這些情況下,瞬間電壓高于...
開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開(kāi)關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面:開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...
2022-03-21 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源功率器件集電極 4542 0
功率器件在工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿(mǎn)足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間,ROHM使用專(zhuān)有的微制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)無(wú)核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...
雙脈沖測(cè)試是電力變壓器和互感器的一種常見(jiàn)測(cè)試方法,其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性,確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。
搶先看!微波功率器件的基石和開(kāi)拓者,新一代高效率長(zhǎng)壽命行波管
功率行波管的發(fā)展走過(guò)了70年的歷程,具有寬頻帶、高功率、高效率等特點(diǎn),是現(xiàn)代雷達(dá)通信電子戰(zhàn)等系統(tǒng)的核心元器件,并不斷地推動(dòng)系統(tǒng)向高頻率、高功率、集成化、...
功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計(jì)及使用過(guò)程中如何保證其可靠運(yùn)行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問(wèn)題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)...
2022-08-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件散熱系統(tǒng) 4458 0
用戶(hù)程序的運(yùn)算是根據(jù)PLC的輸入/輸出映象寄存器中的內(nèi)容,邏輯運(yùn)算結(jié)果可以立即被后面的程序使用
功率器件是指用于控制、調(diào)節(jié)和放大電能的電子元件。它們主要用于處理大功率電信號(hào)或驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載,例如電機(jī)、變壓器、照明設(shè)備等。
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,主要應(yīng)用于功率器件,憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器...
2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 4430 1
功率半導(dǎo)體的定義和分類(lèi) 功率器件的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體,又稱(chēng)電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類(lèi)器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開(kāi)關(guān)...
我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開(kāi)關(guān),開(kāi)關(guān)速度非???,1秒可以開(kāi)關(guān)上千次(kHz),高速功率器件可達(dá)到幾十kHz,甚至上百kHz。開(kāi)關(guān)速度越快意味著...
功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載,帶載能力要強(qiáng)。
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái),在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)...
氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì)...
不同因素對(duì)IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響?
結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量,能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。
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