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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1782個(gè) 瀏覽：91863次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      搶先看！微波功率器件的基石和開拓者，新一代高效率長壽命行波管

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      功率行波管的發(fā)展走過了70年的歷程，具有寬頻帶、高功率、高效率等特點(diǎn)，是現(xiàn)代雷達(dá)通信電子戰(zhàn)等系統(tǒng)的核心元器件，并不斷地推動(dòng)系統(tǒng)向高頻率、高功率、集成化、...

      2018-05-25 標(biāo)簽：微波功率器件行波管 4369 0

      二極管失效的主要原因

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      對(duì)普通整流二極管來講，只要應(yīng)用電路中存在電網(wǎng)波動(dòng)、同網(wǎng)中的大功率設(shè)備開啟關(guān)斷、雷擊、開關(guān)火花、大容量的感性負(fù)載、大容量的容性負(fù)載這些情況下，瞬間電壓高于...

      2023-06-16 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體整流二極管 4357 0

      SiC材料及器件介紹

      SiC材料及器件介紹

      SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

      2023-09-28 標(biāo)簽：晶圓場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管 4354 0

      IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱路模型

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      功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設(shè)計(jì)及使用過程中如何保證其可靠運(yùn)行，一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)...

      2022-08-01 標(biāo)簽：IGBT功率器件散熱系統(tǒng) 4335 0

      功率器件心得——功率MOSFET心得

      功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，帶載能力要強(qiáng)。

      2016-12-05 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體功率器件 4327 0

      溫度對(duì)CoolSiC? MOSFET的影響

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      CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。

      2022-06-22 標(biāo)簽：MOSFET電壓功率器件 4306 0

      什么是硅基氮化鎵？

      硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器...

      2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 4291 1

      氮化鎵(GaN)器件基礎(chǔ)技術(shù)問題分享

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      作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢(shì)。

      2023-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率器件 4268 0

      功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

      我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開關(guān)，開關(guān)速度非?？欤?秒可以開關(guān)上千次(kHz)，高速功率器件可達(dá)到幾十kHz，甚至上百kHz。開關(guān)速度越快意味著...

      2022-04-22 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 4243 0

      功率器件的概念 功率器件封裝類型有哪些

      功率器件是指用于控制、調(diào)節(jié)和放大電能的電子元件。它們主要用于處理大功率電信號(hào)或驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載，例如電機(jī)、變壓器、照明設(shè)備等。

      2023-06-28 標(biāo)簽：集成電路smdBGA 4234 0

      PLC梯形圖語言的編程原則及邏輯指令

      用戶程序的運(yùn)算是根據(jù)PLC的輸入/輸出映象寄存器中的內(nèi)容，邏輯運(yùn)算結(jié)果可以立即被后面的程序使用

      2023-02-28 標(biāo)簽：繼電器plc西門子 4216 0

      氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理

      氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...

      2024-01-09 標(biāo)簽：控制器功率器件GaN 4201 0

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      功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)...

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      　　對(duì)MSP430系列單片機(jī)進(jìn)行編程的方式有以下3種：利用JTAG接口，利用BSL固件和利用用戶自定義的升級(jí)固件。由于利用自定義升級(jí)固件進(jìn)行程序升級(jí)的方...

      2016-05-31 標(biāo)簽：單片機(jī)MSP430功率器件 4101 0

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      結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量，能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。

      2023-02-07 標(biāo)簽：IGBT功率器件功率模塊 4098 0

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      首先給出答案，對(duì)于散熱，并非銅皮面積越大越好，銅皮較薄時(shí)更是如此。

      2023-09-21 標(biāo)簽：PCBsmt散熱 4096 0

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      超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...

      2023-06-08 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4067 0

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      2022-08-31 標(biāo)簽：功率器件紋波開關(guān)變換電路 4001 0

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      電吹風(fēng)是居家生活必備物品。傳統(tǒng)的吹風(fēng)機(jī)轉(zhuǎn)速通常在2萬轉(zhuǎn)左右，干發(fā)速度較慢（中長發(fā)常常超過10分鐘以上）；利用高溫干發(fā)，還容易損傷頭發(fā)；噪聲比較大的同時(shí)重...

      2023-09-19 標(biāo)簽：PWM電機(jī)emc 3992 0

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      2023-12-11 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 3986 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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        OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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